一种片上集成滤波器的三维封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开了一种片上集成滤波器的三维封装结构，包括层叠设置的上层封装板和下层封装板、以及设置在下层封装板的上表面的片上集成滤波器。本发明专利技术在系统集成的时候同时集成了滤波器，且集成滤波器工艺与转接板工艺兼容，可以一次加工成型，简化集成工艺，实现三维集成封装，解决传统射频系统封装集成一致性差，以及小型化困难的问题。以及小型化困难的问题。以及小型化困难的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种片上集成滤波器的三维封装结构及其封装方法


[0001]本专利技术涉及，具体涉及一种片上集成滤波器的三维封装结构及其封装方法。

技术介绍

[0002]滤波器结构是电子系统中不可或缺的组成部分，在电子系统微型化、小型化背景下微系统技术的应用与发展对系统集成方式提出了新的要求，对于其中的关键结构滤波器不仅要求性能好、尺寸小，而且还需要其在尺寸、材料、封装等方面必须与微系统集成封装技术兼容，容易与微系统集成。射频电子系统中传统的集成封装方式主要基于LTCC(低温共烧陶瓷)或其他层压板材，对于滤波器的集成多采用表面贴装技术装配，精度，尺寸以及集成度难以满足小型化的需求。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供了一种片上集成滤波器的三维封装结构及其封装方法。
[0004]为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：
[0005]第一方面，本专利技术提出了一种片上集成滤波器的三维封装结构，包括层叠设置的上层封装板和下层封装板、以及设置在下层封装板的上表面的片上集成滤波器；
[0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种片上集成滤波器的三维封装结构，其特征在于，包括层叠设置的上层封装板和下层封装板、以及设置在下层封装板的上表面的片上集成滤波器；所述下层封装板包括第一硅基板、以及设置在所述第一硅基板上表面的第一金属布线层和下表面的第二金属布线层，所述第一金属布线层包括片上集成滤波器图形结构；所述上层封装板包括第二硅基板、以及设置在所述第二硅基板上表面的第三金属布线层和下表面的第四金属布线层，所述第四金属布线层包括片上集成滤波器图形结构，并且与第一金属布线层键合连接构成双层片上集成滤波器。2.根据权利要求1所述的片上集成滤波器的三维封装结构，其特征在于，所述下层封装板还包括采用片上集成或异质集成方式集成在第一硅基板或第一金属布线层上的第一集成芯片；所述下层封装板通过第一金属布线层的片上集成滤波器图形结构与上层封装板的第四金属布线层部分键合连接构成双层片上集成滤波器。3.根据权利要求1所述的片上集成滤波器的三维封装结构，其特征在于，所述下层封装板还包括采用片上集成或异质集成方式集成在第一硅基板或第一金属布线层上的第一集成芯片；所述上层封装板还包括采用片上集成或异质集成方式集成在第二硅基板或第四金属布线层上的第二集成芯片；所述下层封装板通过第一金属布线层与上层封装板的第四金属布线层整体键合连接构成双层片上集成滤波器。4.根据权利要求1所述的片上集成滤波器的三维封装结构，其特征在于，所述片上集成滤波器图形结构包括由多条对称设置的谐振微带线组成的谐振单元、以及分别与谐振单元连接的输入微带线和输出微带线，多条所述谐振微带线的一端均通过TSV通孔接地。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡柳林，唐小宏，何舒玮，陈依军，卢朝保，侯杰，周鹏，吴晓东，袁野，唐仲俊，董金生，
申请(专利权)人：成都嘉纳海威科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：