AMR磁阻结构及惠斯通电桥制造技术

本发明专利技术揭示了一种AMR磁阻结构及惠斯通电桥，所述AMR磁阻结构包括：第一电阻、第三电阻；所述第一电阻包括若干第一半圆环磁阻条、若干第二半圆环磁阻条；所述第三电阻包括若干第三半圆环磁阻条、若干第四半圆环磁阻条；各第一半圆环磁阻条、各第二半圆环磁阻条、各第三半圆环磁阻条及各第四半圆环磁阻条具有相同的圆心；各第一半圆环磁阻条、各第二半圆环磁阻条、各第三半圆环磁阻条及各第四半圆环磁阻条形成若干依次排列的、半径大小不一的圆环。本发明专利技术提出的AMR磁阻结构及惠斯通电桥，可提高AMR的匹配性，减少芯片面积，同时能避免对外界磁场的检测产生干扰。磁场的检测产生干扰。磁场的检测产生干扰。

【技术实现步骤摘要】
AMR磁阻结构及惠斯通电桥


[0001]本专利技术属于微电子
，涉及一种磁阻元件，尤其涉及一种AMR磁阻结构及惠斯通电桥。

技术介绍

[0002]各向异性磁阻元件(Anisotropic Magneto
‑
Resistive,简称AMR)是用于检测磁场的重要磁性传感器元件。它被广泛应用在汽车，工业控制，家电，通讯设备中，用于检测速度、角度、位置等信息。与传统的霍尔效应元件相比，AMR具有功耗低、灵敏度高等优良特性。但是AMR自身的结构会对输出幅值和OFFSET产生重大影响。
[0003]图1显示了一个由4个AMR元件组成的惠斯通(Wheatstone bridge)电桥。它的工作原理是在加载了一定的电压VDD后，它的差分电压输出VOUT＝VP
‑
VN，会随外加磁场的强度而变化。通过检测VOUT的大小，可以检测到外界磁场的强弱。
[0004]图2为现有的二维AMR传感器元件示意图(CN111433620A),分别由两个螺线状电阻320a,320b和两个多边形电阻330a,330b构成惠斯通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种AMR磁阻结构，其特征在于，所述AMR磁阻结构包括：第一电阻、第三电阻；所述第一电阻包括若干第一半圆环磁阻条、若干第二半圆环磁阻条；所述第三电阻包括若干第三半圆环磁阻条、若干第四半圆环磁阻条；各第一半圆环磁阻条、各第二半圆环磁阻条、各第三半圆环磁阻条及各第四半圆环磁阻条具有相同的圆心；各第一半圆环磁阻条、各第二半圆环磁阻条、各第三半圆环磁阻条及各第四半圆环磁阻条形成若干依次排列的、半径大小不一的圆环；部分圆环由一第一半圆环磁阻条及一第三半圆环磁阻条形成，部分圆环由一第二半圆环磁阻条及一第四半圆环磁阻条形成；各第一半圆环磁阻条的半径大小不同，各第一半圆环磁阻条以半径从大到小的顺序向圆心方向排列，相邻第一半圆环磁阻条首尾相连，相邻第一半圆环磁阻条分别位于共同圆心的两侧；相邻第一半圆环磁阻条间隔一个圆环设置；各第二半圆环磁阻条的半径大小不同，各第二半圆环磁阻条以半径从小到大的顺序向圆周方向排列，相邻第二半圆环磁阻条首尾相连，相邻第二半圆环磁阻条分别位于共同圆心的两侧；最内侧的第一半圆环磁阻条连接最内侧的第二半圆环磁阻条；相邻第二半圆环磁阻条间隔一个圆环设置；各第三半圆环磁阻条的半径大小不同，各第三半圆环磁阻条以半径从大到小的顺序向圆心方向排列，相邻第三半圆环磁阻条首尾相连，相邻第三半圆环磁阻条分别位于共同圆心的两侧；相邻第三半圆环磁阻条间隔一个圆环设置；各第四半圆环磁阻条的半径大小不同，各第四半圆环磁阻条以半径从小到大的顺序向圆周方向排列，相邻第四半圆环磁阻条首尾相连，相邻第四半圆环磁阻条分别位于共同圆心的两侧；最内侧的第三半圆环磁阻条连接最内侧的第四半圆环磁阻条；相邻第四半圆环磁阻条间隔一个圆环设置。2.根据权利要求1所述的AMR磁阻结构，其特征在于：所述AMR磁阻结构进一步包括第二电阻、第四电阻；所述第一电阻的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱剑宇，杨世霞，
申请(专利权)人：深圳麦歌恩科技有限公司，
类型：发明
国别省市：