pH调节水制造装置制造方法及图纸

技术编号:31901983 阅读:32 留言:0更新日期:2022-01-15 12:38
pH调节水制造装置,具有在超纯水(W)的供给线(1)中具备铂族金属负载树脂柱(2)、膜式脱气装置(3)和气体溶解膜装置(4),且在铂族金属负载树脂柱(2)与膜式脱气装置之间设置有pH调节剂注入装置(5)的构成。在膜式脱气装置膜(3)的气相侧连接有非活性气体源(6),并且,在气体溶解膜装置(4)的气相侧也连接有非活性气体源(7),气体溶解膜装置(4)与排出线(8)连通。本发明专利技术的pH调节水制造装置能够高度控制pH。明的pH调节水制造装置能够高度控制pH。明的pH调节水制造装置能够高度控制pH。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】pH调节水制造装置


[0001]本专利技术涉及一种用于电子工业领域等的pH调节水制造装置,尤其涉及一种能高度控制pH的pH调节水制造装置。

技术介绍

[0002]在LSI等电子部件的制造工序中,重复进行处理具有微细结构的被处理体的工序。另外,以除去附着于晶片或基板等处理体表面的微粒、有机物、金属、自然氧化皮膜等为目的进行洗涤,达成并保持高度的清洁度对于保持产品的品质或提高成品率来说是重要的。例如,使用硫酸/过氧化氢水溶液混合液、氢氟酸溶液等洗涤液进行该洗涤,在该洗涤后进行使用超纯水的漂洗。要求供给于该漂洗等洗涤的超纯水或药液为高纯度。另外,近年来,由于半导体设备微细化、材料多样化、工艺复杂化,洗涤次数增多。
[0003]通常在超纯水的制造中使用由前处理系统、一次纯水系统、二次纯水系统(子系统)构成的超纯水制造装置。在使用由这样的超纯水制造装置制造的超纯水进行的漂洗时,存在因超纯水中的溶解氧而在晶片表面上形成薄氧化皮膜的问题。为了解决这个问题,在专利文献1和2中,提出了使用由氢溶解水降低过氧化氢后的水来进行漂洗等洗涤的方法,该氢溶解水是在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种pH调节水制造装置,其中,在超纯水供给线中依次具备铂族金属负载树脂柱和膜式脱气装置,在所述铂族金属负载树脂柱与所述膜式脱气装置之间设置有注入pH调节剂的pH调节剂注入装置,所述pH调节剂为氨、盐酸、柠檬酸或氢氟酸。2.如权利要求1所述的pH调节水制造装置,其中,所述膜式脱气装置为吸入非活性气体的方式。3.如权利要求1或2所述的pH调节水制造装置,其中,在所...

【专利技术属性】
技术研发人员:饭野秀章
申请(专利权)人:栗田工业株式会社
类型:发明
国别省市:

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