半导体制造的系统与方法技术方案

本发明专利技术是有关于一半导体制造的系统与方法，包含由一第一遮罩层与一邻近层形成一有图案的叠对标的。此叠对标的以辐射线照射。因此，反射的光线可由其图案和邻近层所侦测出来，且此图案的位置可经由反射光线而确认。本发明专利技术更包括一半导体制程的叠对标的量测系统。此量测系统至少包括一产生器以及一侦测器，此产生器是以辐射线照射一叠对标的；此侦测器是用以侦测叠对标的反射光线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种半导体制程中叠对量测的系统与方法。
技术介绍
半导体集成电路工业经历了快速的成长。集成电路材料与设计的技术性发展已生产了许多世代的集成电路，而每个世代的集成电路都较前一世代拥有更小的尺寸与更复杂的电路。目前，半导体元件是经由图案化连续的图案层和非图案层加以制造，且连续的图案层之间，其特征是彼此相关的。在制造过程中，每一个图案层必须和前一图案层精确对准。因此，图案识别是成功的微影技术的关键部分。常见的图案识别是以一图案校正技术完成。一较低的(前一个)图案层包括一叠对标的，如此位于一较高的(下一个)图案层的第二个图案才能加以校正。然而，此校正技术于确认叠对标的时有困难之处，特别是镶嵌制程或双镶嵌制程等制造技术。其他制程亦有相同的困难。由此可见，上述现有的半导体制程在制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决现有的半导体制程存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的半导体制造的系统和方法，便成了当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的半导体制程存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的半导体制造的系统和方法，能够改进一般现有的半导体制程，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
为解决上述和其他的问题，并且达到本专利技术所主张的技术优点，本专利技术提供一种，以改善既有技术的操作性能。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种半导体制造的方法，至少包括下列步骤形成一叠对标的，该叠对标的包括以一第一遮罩层与一邻近层所形成的图案；以及以辐射线照射该叠对标的，该叠对标的藉此能反射光线并定位该叠对标的的位置。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体制造的方法，其更包括了以下步骤分别由该图案与该邻近层侦测出第一反射光线和第二反射光线，其中该第一反射光线和该第二反射光线是为不同的光线；以及依该第一反射光线和该第二反射光线来定位该图案的位置。前述的半导体制造的方法，其中所述的图案是为一盒中盒(box-in-box)校正图案中的外盒。前述的半导体制造的方法，其更包括了形成该盒中盒校正图案中的内盒。前述的半导体制造的方法，其中所述的内盒与该外盒由两个不同的遮罩层所形成。前述的半导体制造的方法，其中所述的内盒包括一光阻层。前述的半导体制造的方法，其中所述的外盒包括至少一栓塞层。前述的半导体制造的方法，其更包括了加入至少一种对比加强材料于该图案或该邻近层中。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种半导体制造的系统，至少包括一产生器，是以辐射线照射一叠对标的；以及一侦测器，是用以侦测该叠对标的的反射光线，其中该反射光线是作为叠对量测之用，且该反射光线包括至少两束不同的光线。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体制造的系统，其中所述的叠对标的包括一盒中盒校正图案。本专利技术的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种半导体制造的方法，至少包括下列步骤形成一叠对标的，其中该叠对标的包括了一图中图(figure-in-figure)校正图案的外图和一邻近的介电层，其中该外图包括一由栓塞材料形成的开口；加入至少一种对比加强材料以形成该外图或该介电层；以辐射线照射该叠对标的；分别由该外图与该邻近介电层侦测出第一反射光线和第二反射光线，该第一和第二反射光线是为不同的光线；基于该第一和第二反射光线定位该外图的位置；以及形成该图中图校正图案中的内图，其中该内图与该外图由两个不同的遮罩层所形成。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本专利技术的主要
技术实现思路
如下为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体制造的方法，以第一遮罩层与邻近层形成一叠对标的，此叠对标的包括了一图中图校正图案的外图和邻近的介电层，其中该外图包括由栓塞材料形成的开口；在该外图或该介电层中加入至少一种对比加强材料；再以辐射线将此叠对标的曝光；由该外图与该介电层侦测出不同的第一反射光线和第二反射光线，而此外图位置可经由上述的两反射光线确认之；且此图中图校正图案的内图与外图是由两个不同的遮罩层所形成。另外，为了达到上述目的，本专利技术另提供了一种在半导体制程中，一叠对标的量测的系统。此系统主要包括将一叠对标的以辐射线曝光的一辐射产生器，和侦测该叠对标的的反射光线的一侦测器，且该反射光线包括至少两束不同的光线。经由上述可知，本专利技术提供一半导体制造的方法，包括由一第一遮罩层与一邻近层形成一有图案的叠对标的。此叠对标的以辐射线照射。因此，反射的光线可由其图案和邻近层所侦测出来，且此图案的位置可经由反射光线而确认之。借由上述技术方案，本专利技术至少具有下列优点习知的图案校正技术应用于各种半导体制造技术时，于确认图案校正程序中必要的叠对标的，有实际上的困难。此困难可藉由本专利技术中侦测由叠对标的所反射的不同光线而定位该叠对标的的确切位置，进而提升各种半导体制造技术(如微影制程)的良率。综上所述，本专利技术具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构、制造方法或功能上皆有较大改进，在技术上有较大进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的半导体制程具有增进的多项功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图1a是绘示依据本专利技术的实施例的一盒中盒校正图案。图1b是绘示依据本专利技术的实施例的一叠对量测的方法。图2a-2b是绘示依据本专利技术的实施例的包含叠对标的的部分半导体元件。图3是绘示依据本专利技术的实施例的包含叠对标的的半导体元件。10方法 12形成一叠对标的的步骤 14以辐射线照射叠对标的16由此叠对标的侦测反射光线的步骤18确认此叠对标的的外盒的步骤 100盒中盒校正图案102内盒 104外盒106介电层 107叠对标的108剖面线 200部分半导体元件202金属层间介电层 204基材300部分的半导体元件具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的其具体实施方式、结构、制造方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。本专利技术提供了许多不同的实施例或范例以完成本专利技术所揭露的不同特征。特定范例的元件及安排乃描述于后以简化本专利技术的揭露内容。当然，此些范例仅为例举之用而非为限制。另外，本专利技术的揭露内容可能在各范例中重复参考数字及/或字母。此重复是为了使范例更简单明了，而并非在不同的实施例及/或结构之间存在一特定的关连性。而且，在叙述中一第一特征的结构覆盖或位于一第二特征本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造的方法，其特征在于其至少包括下列步骤：形成一叠对标的，该叠对标的包括以一第一遮罩层与一邻近层所形成的图案；以及以辐射线照射该叠对标的，该叠对标的藉此能反射光线并定位该叠对标的位置。

【技术特征摘要】
US 2005-4-6 11/099,9661.一种半导体制造的方法，其特征在于其至少包括下列步骤形成一叠对标的，该叠对标的包括以一第一遮罩层与一邻近层所形成的图案；以及以辐射线照射该叠对标的，该叠对标的藉此能反射光线并定位该叠对标的位置。2.根据权利要求1所述半导体制造的方法，其特征在于其更包括了以下步骤分别由该图案与该邻近层侦测出第一反射光线和第二反射光线，其中该第一反射光线和该第二反射光线是为不同的光线；以及依该第一反射光线和该第二反射光线来定位该图案的位置。3.根据权利要求1所述半导体制造的方法，其特征在于其中该图案是为一盒中盒校正图案中的外盒。4.根据权利要求3所述半导体制造的方法，其特征在于其更包括了形成该盒中盒校正图案中的内盒。5.根据权利要求3所述半导体制造的方法，其特征在于其中该内盒与该外盒由两个不同的遮罩层所形成。6.根据权利要求4所述半导体制造的方法，其特征在于其中该内盒包括一光阻层。7.根据权利要求3所述半导体制造的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆晓慈，林进祥，吴华书，林嘉祥，陈桂顺，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]