一种基于维弗法的单边带调制控制电路，包括：载频信号发生模块，包括第一输出端口和第二输出端口；可调模拟衰减器，与第一输出端口连接；可调模拟移相器，与第二输出端口连接；调制信号发生模块，包括第三输出端口和第四输出端口；第一混频器，分别与可调模拟衰减器和第三输出端口连接；第二混频器，分别与可调模拟移相器和第四输出端口连接；IQ调制器，分别与第一混频器和第二混频器连接。本实用新型专利技术还提供一种PCB板。通过利用可调模拟衰减器以及可调模拟移相器对从载频信号发生模块输出的信号进行处理，从而可以有效调节信号的相位和幅度，基于此，实现了一种高镜像边带抑制比、大带宽单边带调制的单边带调制控制电路。宽单边带调制的单边带调制控制电路。宽单边带调制的单边带调制控制电路。
【技术实现步骤摘要】
基于维弗法的单边带调制控制电路及应用其的PCB板
[0001]本技术涉及微波工程领域，具体地涉及一种基于维弗法的单边带调制控制电路及应用其的PCB板。
技术介绍
[0002]微波工程技术的不断革新为人类的生活带来了极大的便利，其中一项重要技术即为单边带调制技术。相比幅度调制(AM)、双边带调制(DSB) 和残留边带调制(VSB)而言，单边带调制所需要的传输带宽与基带带宽相同(而非两倍)，有效节约了带宽资源，同时还能节约载波发射功率。此技术广泛用于短波无线电广播、载波通信和数据传输等领域。
[0003]常用单边带调制的方法包括滤波法、相移法和维弗法。
[0004]在滤波法中，先使用混频器产生双边带信号，再通过一个低通/高通滤波器保留上/下边带。这样的方法理论上有较好的边带抑制效果，但实际使用过程中却会因为滤波器不够理想而产生一定地过渡带，同时限制了本振的频率范围，并带来信号强度下降、调制后难以解调等一系列后果，不太适用于模拟信号的调制。
[0005]而在相移法中，一般使用相移网络对基带信号和调制信号进行移相，并在IQ调制器中经希尔伯特变换得到上/下边带。这样的方法可以最大限度地实现基带到所需边带的能量转移，满足双向调制解调的需求，对于模拟信号来说非常合适。传统的单边带调制器采用预制的相移网络和混频器实现单边带调制，然而，由于不同频率的电磁波在相同长度的线缆中都会存在不同的相位差，使用同一个相移网络移相的结果不尽相同，这为单边带调制的效果带来极大的负面影响。
技术实现思路
[0006]有鉴于此，本技术的主要目的在于提供一种基于维弗法的单边带调制控制电路及应用其的PCB板，以期至少部分的解决上述提及的技术问题中的至少之一。
[0007]为实现上述目的，本技术的技术方案：
[0008]在本技术的一个方面，提供了一种基于维弗法的单边带调制控制电路，其特征在于，包括：
[0009]载频信号发生模块，包括第一输出端口和第二输出端口；
[0010]可调模拟衰减器，与所述第一输出端口连接；
[0011]可调模拟移相器，与所述第二输出端口连接；
[0012]调制信号发生模块，包括第三输出端口和第四输出端口；
[0013]第一混频器，分别与所述可调模拟衰减器和所述第三输出端口连接；
[0014]第二混频器，分别与所述可调模拟移相器和所述第四输出端口连接；
[0015]IQ调制器，分别与所述第一混频器和所述第二混频器连接。
[0016]在本技术的实施例中，所述载频信号发生模块包括：
[0017]载频信号发生器，被配置为输出载频信号；
[0018]第一功率分配器，与所述载频信号发生器连接，被配置为将所述载频信号分为第一载频信号和第二载频信号，其中，所述第一载频信号从所述第一输出端口输出，所述第二载频信号从所述第二输出端口输出。
[0019]在本技术的实施例中，所述可调模拟衰减器被配置为调节所述第一载频信号的幅值比；
[0020]所述可调模拟衰减器的带宽为1
‑
2800兆赫兹。
[0021]在本技术的实施例中，所述可调模拟移相器被配置为调节所述第二载频信号的相位差；
[0022]所述可调模拟移相器的带宽为400
‑
700兆赫兹。
[0023]在本技术的实施例中，所述第一载频信号和所述第二载频信号的频率相同；
[0024]所述第一载频信号和所述第二载频信号的相位差为90
°
。
[0025]在本技术的实施例中，所述载频信号包括正弦波；
[0026]所述正弦波的频率为400
‑
500兆赫兹，功率为10
‑
16分贝毫瓦。
[0027]在本技术的实施例中，所述调制信号发生模块包括：
[0028]调制信号发生器，被配置为输出调制信号；
[0029]第二功率分配器，与所述调制信号发生器连接，被配置为将所述调制信号分为第一调制信号和第二调制信号，其中，所述第一调制信号从所述第三输出端口输出，所述第二调制信号从所述第四输出端口输出；
[0030]其中，所述第一调制信号和所述第二调制信号的频率相同。
[0031]在本技术的实施例中，所述IQ调制器的I端与所述第一混频器连接，所述IQ调制器的Q端与所述第二混频器连接；或者
[0032]所述IQ调制器的Q端与所述第一混频器连接，所述IQ调制器的I 端与所述第二混频器连接。
[0033]在本技术的实施例中，所述IQ调制器的本振输入和混频输出带宽为6
‑
18吉赫兹，中频带宽为DC
‑
500兆赫兹。
[0034]在本技术的另一个方面，提供了一种PCB板，封装有如上所述的基于维弗法的单边带调制控制电路。
[0035]从上述技术方案可以看出，本技术相对于现有技术至少具有以下有益效果的其中之一或其中一部分：
[0036]通过利用可调模拟衰减器对从载频信号发生模块的第一输出端口输出的信号进行处理，以及利用可调模拟移相器对从载频信号发生模块的第二输出端口输出的信号进行处理，从而可以有效调节信号的相位和幅度，基于此，实现了一种高镜像边带抑制比、大带宽单边带调制的单边带调制控制电路。
附图说明
[0037]图1为本技术实施例提供的基于维弗法的单边带调制控制电路的结构示意图；
[0038]图2为本技术另一实施例提供的基于维弗法的单边带调制控制电路的结构示意图；
[0039]图3为本技术另一实施例提供的基于维弗法的单边带调制控制电路的结构示意图；
[0040]图4为本技术实施例提供的基于维弗法的单边带调制控制电路的单边带调制性能测试结果；
[0041]图5为本技术实施例提供的IQ调制器的电路示意图；以及
[0042]图6为本技术实施例提供的基于维弗法的单边带调制控制电路的 PCB设计图。
具体实施方式
[0043]作为本技术的一个方面，提供一种基于维弗法的单边带调制控制电路，包括载频信号发生模块、可调模拟衰减器、可调模拟移相器、调制信号发生模块、第一混频器、第二混频器以及IQ调制器。
[0044]载频信号发生模块，包括第一输出端口和第二输出端口。
[0045]可调模拟衰减器，与第一输出端口连接。
[0046]可调模拟移相器，与第二输出端口连接。
[0047]调制信号发生模块，包括第三输出端口和第四输出端口。
[0048]第一混频器，分别与可调模拟衰减器和第三输出端口连接。
[0049]第二混频器，分别与可调模拟移相器和第四输出端口连接。
[0050]IQ调制器，分别与第一混频器和第二混频器连接。
[0051]本技术通过利用可调模拟衰减器对从载频信号发生本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于维弗法的单边带调制控制电路，其特征在于，包括：载频信号发生模块，包括第一输出端口和第二输出端口；可调模拟衰减器，与所述第一输出端口连接；可调模拟移相器，与所述第二输出端口连接；调制信号发生模块，包括第三输出端口和第四输出端口；第一混频器，分别与所述可调模拟衰减器和所述第三输出端口连接；第二混频器，分别与所述可调模拟移相器和所述第四输出端口连接；IQ调制器，分别与所述第一混频器和所述第二混频器连接。2.如权利要求1所述的基于维弗法的单边带调制控制电路，其特征在于，所述载频信号发生模块包括：载频信号发生器，被配置为输出载频信号；第一功率分配器，与所述载频信号发生器连接，被配置为将所述载频信号分为第一载频信号和第二载频信号，其中，所述第一载频信号从所述第一输出端口输出，所述第二载频信号从所述第二输出端口输出。3.如权利要求2所述的基于维弗法的单边带调制控制电路，其特征在于，所述可调模拟衰减器被配置为调节所述第一载频信号的幅值比；所述可调模拟衰减器的带宽为1
‑
2800兆赫兹。4.如权利要求2所述的基于维弗法的单边带调制控制电路，其特征在于，所述可调模拟移相器被配置为调节所述第二载频信号的相位差；所述可调模拟移相器的带宽为400
‑
700兆赫兹。5.如权利要求2所述的基于维弗法的单边带调制控制电路，其特征在于，所述第一载频信号和所述第二载频信号的频率相同...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨光灿烂，邹长铃，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：新型
国别省市：
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