光刻装置和调节器件制造装置的内部空间的方法制造方法及图纸

一种光刻装置，包括配置成向所述装置的内部空间供给第一气流的至少一个第一气体喷头和配置成向所述装置的内部空间供给第二气流的至少一个第二气体喷头，其中所述气体喷头配置成将第一气流和第二气流至少部分地朝向彼此引导。还提供一种方法，其用于调节器件制造装置的内部空间，其中第一调节气流和第二调节气流被供给到所述内部空间，使得第一调节气流和第二调节气流至少部分地向彼此引导。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
光刻装置是将期望的图案施加到基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传递到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的传递是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地，单一的基底将包含被相继构图的相邻靶部的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并且同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图部件传递到基底上。气体喷头的应用可以从现有技术了解。例如，在图18中欧洲专利EP0498499示出了光刻装置的一部分。所述装置包括干涉仪光束在其中传播的干涉仪系统和空间。优选地使恒定的、层流气流穿过该空间，以便获得较好的干涉仪系统的精度。可以控制供给气体的纯度和温度。所述气体例如具有纯度级1，其温度变化例如稳定在0.1℃内。
技术实现思路
期望的是提供一种光刻装置，其中可以改进装置中至少部分内部路径和/或光路的调节。在本专利技术的一个方面，提供一种光刻装置，其包括配置成向所述装置的内部空间供给第一气流的至少一个第一气体喷头和配置成向所述装置的内部空间供给第二气流的至少一个第二气体喷头，其中所述气体喷头配置成将第一气流和第二气流至少部分地朝向彼此引导。此外，在本专利技术的一个方面，提供一种光刻装置，其包括具有第一侧面和背对所述第一侧面的第二侧面的至少一个装置元件，其中所述装置包括气体喷头系统，其配置成至少部分地朝所述装置元件的第一侧面供给第一气流，以及配置成至少部分地朝所述装置元件的第二侧面供给第二气流。在本专利技术的一个方面，提供一种方法，其用于调节器件制造装置的内部空间，其中第一调节气流和第二调节气流被供给到所述内部空间，使得第一调节气流和第二调节气流至少部分地向彼此引导。此外，在本专利技术的一个方面，提供一种用于调节器件制造装置的内部空间的方法，其中第一气流至少部分地朝向一装置元件的第一侧面引导，而第二气流至少部分地朝向所述装置元件的第二侧面引导，所述第二侧面背对所述第一侧面。附图说明现在仅仅通过实例的方式，参考随附的示意图描述本专利技术的各个实施例，其中相应的参考标记表示相应的部件，其中图1示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻装置；图2示意性地以截面的形式示出了常规气体喷头系统的一部分；图3示出了根据本专利技术的一个实施例的气体喷头系统的一部分；图4示意性地示出了图3的顶视图；图5是类似于图4的另一个实施例的视图；图6以截面的形式示出了根据一个实施例的气体喷头系统的排气侧的细节；图7是另一个实施例的一部分的顶视图；图8是类似于图3的本专利技术的另一个实施例；以及图9示意性地以侧视图的形式示出了该实施例的一部分。具体实施例方式图1示意性地表示了根据本专利技术的一个实施例的光刻装置。该装置包括照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射束B(例如UV辐射或不同类型的辐射)。支撑结构(例如掩模台)MT，其配置成支撑构图部件(例如掩模)MA，并与配置成依照某些参数精确定位该构图部件的第一定位装置PM连接。包括基底台或基底支座(例如晶片台)WT的基底区SZ，所述基底台构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与配置成依照某些参数精确定位基底的第二定位装置PW连接。投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，其配置成利用构图部件MA将赋予给辐射束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如包括用于引导、整形或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者其任意组合。支撑结构可以支撑即承受构图部件的重量。它可以一种方式保持构图部件，该方式取决于构图部件的定向、光刻装置的设计以及其它条件，例如构图部件是否保持在真空环境中。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来保持构图部件。掩模支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。支撑结构可以确保构图部件例如相对于投影系统位于期望的位置。这里任何术语“中间掩模版”或者“掩模”的使用可以认为与更普通的术语“构图部件”同义。这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给辐射束在其截面赋予图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给辐射束的图案可以不与基底靶部中的期望图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地，赋予给辐射束的图案与在靶部中形成的器件如集成电路的特殊功能层相对应。构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的实例包括掩模，可编程反射镜阵列，以及可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个实例采用微小反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向反射入射的辐射束。倾斜的反射镜可以在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如浸没液体的使用或真空的使用。这里任何术语“投影透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。如这里所指出的，该装置是透射型(例如采用透射掩模)。或者，该装置可以是反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。光刻装置可以具有两个(双工作台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多工作台式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台或支座上进行准备步骤，而一个或者多个其它台或支座用于曝光。光刻装置还可以是这样一种类型，其中至少部分基底由具有相对高的折射率的液体如水覆盖，从而填充投影系统和基底之间的空间。浸没液体也可以应用于光刻装置中的其他空间，例如应用于掩模和投影系统之间。浸没技术在本领域中是公知的，其用于增大投影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸没”不表示结构如基底必须浸没在液体中，而是表示液体在曝光期间位于投影系统和基底之间。参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。辐射源和光刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是准分子激光器时。在这种情况下，不认为辐射源构成了光刻装置的一部分，辐射束借助于光束输送系统BD从源SO传输到照射器IL，所述光束输送系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是光刻装置的组成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL，如果需要连同光束输送系统BD一起可以称作辐射系统。照射器IL可以包括调节装置AD，其用于调节辐射束的角强度分布。一般地，至少可以调节在照射器光瞳平面上强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，如积分器IN和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻装置，包括配置成向所述装置的内部空间供给第一气流的至少一个第一气体喷头和配置成向所述装置的内部空间供给第二气流的至少一个第二气体喷头，其中所述气体喷头配置成将第一气流和第二气流至少部分地朝向彼此引导。

【技术特征摘要】
US 2005-9-29 11/2381561.一种光刻装置，包括配置成向所述装置的内部空间供给第一气流的至少一个第一气体喷头和配置成向所述装置的内部空间供给第二气流的至少一个第二气体喷头，其中所述气体喷头配置成将第一气流和第二气流至少部分地朝向彼此引导。2.如权利要求1所述的装置，其中所述装置的一个元件至少部分地在第一和第二气体喷头的相对侧之间延伸。3.如权利要求2所述的装置，其中所述元件是反射镜。4.如权利要求1所述的装置，其中所述装置包括至少一个干涉仪系统，其用于应用一个或多个干涉仪光束定位至少部分所述装置，其中第一气体喷头配置成向被一个或多个干涉仪光束横过的区域供给至少部分第一气流。5.如权利要求2和4所述的装置，其中所述元件邻接或布置在被至少一个干涉仪光束横过的区域附近。6.如权利要求4所述的装置，其中第二气体喷头配置成向被干涉仪光束横过的区域供给至少部分第二气流。7.如权利要求4所述的装置，其中第一和第二气体喷头的相对侧大体上平行于干涉仪光束的至少一个路径延伸。8.如权利要求4所述的装置，其中所述装置包括相对投影系统沿X-/Y-方向移动的基底支座，其中干涉仪系统用于提供可动基底支座的X-和Y-方向的定位。9.如权利要求3和8所述的装置，其中提供反射镜用于在Z-方向定位基底支座。10.如权利要求1所述的装置，其中至少第一和第二气体喷头的相对侧布置成向内部空间供给第一气流和第二气流。11.如权利要求1所述的装置，其中第一和第二气体喷头的相对侧中的至少一侧是弯曲表面。12.如权利要求1所述的装置，其中第一和第二气体喷头的相对侧中的至少一侧布置成向内部空间供给会聚或发散的气流。13.如权利要求1所述的装置，其中第一和第二气体喷头的相对侧中的至少一侧是凹面。14.如权利要求1所述的装置，其中第一和第二气体喷头的相对侧中的至少一侧大体上是平面。15.如权利要求1所述的装置，其中所述装置包括相对投影系统移动的基底支座，至少第一气体喷头布置成沿与基底支座的第一移动方向相同的方向至少部分地引导部分相应的气流。16.如权利要求1所述的装置，其中至少第一和第二气体喷头配置成在内部空间中形成至少一个流动涡区。17.如权利要求2和16所述的装置，其中所述流动涡区在所述元件附近形成。18.如权利要求1所述的装置，其中至少第一气体喷头包括具有多个倾斜气体通道的喷头出口侧。19.如权利要求18所述的装置，其中所述喷头出口侧包括具有多个倾斜通道的薄板，每个通道大体上倾斜地穿过所述薄板延伸。20.如权利要求19所述的装置，其中所述薄板是金属板或合金板，所述通道是激光钻孔的通道、蚀刻的通道和/或通过放电机械加工而制造的通道。21.一种光刻装置，包括至少一个装置元件，其具有第一侧面和背对第一侧面的第二侧面，其中所述装置包括一气体喷头系统，其配置成至少部分地朝所述装置元件的第一侧面供给第一气流，以及配置成至少部分地朝所述装置元件的第二侧面供给第二气流。22.如权利要求21所述的装置，其中所述气体喷头系统包括相对侧，其配置成供给第一和第二气流。23.如权利要求22所述的装置，其中所述装置元件至少部分地在气体喷头系统的相对侧之间延伸。24.如权利要求22所述的装置，其中所述气体喷头系统的相对侧大体上平行于干涉仪光束的至少一个路径延伸。25.如权利要求22所述的装置，其中所述气体喷头系统的相对侧是镜面对称的。26.如权利要求22所述的装置，其中所述装置元件包括在第一侧面和第二侧面之间延伸的第三侧面，在使用过程中至少部分第一和第二气流在所述装置元件的第三侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：TAR范恩佩尔，R范德哈姆，NJJ罗塞特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]