校正多透镜阵列的像场弯曲的系统和方法技术方案

通过使用非平面的校正表面减小聚焦元件阵列的像场上的焦平面误差，所述校正表面成形为使得聚焦元件的焦点比当校正表面为平面时更接近单平面。例如，当在光刻系统的投影系统中使用聚焦元件阵列时可以使用这种布置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻装置、一种聚焦元件阵列、一种器件制造方法、一种改进聚焦元件阵列的方法和设置光刻装置的方法。
技术介绍
光刻装置是将期望的图案施加到基底或基底的一部分上的一种装置。光刻装置例如可以用于制造平板显示器、集成电路(IC)和包括微细结构的其他器件。在常规的光刻装置中，构图部件或者可以称为掩模或中间掩模版，它可以用于产生相应于平板显示器(或其他器件)的一个单独层上的电路图案，该图案例如可以通过成像在涂敷于基底上的辐射敏感材料层(抗蚀剂)而转印到所有或一部分基底(例如玻璃板)上。代替电路图案，构图部件可以用于产生其他图案，例如滤色镜图案或光点矩阵。代替掩模，构图部件包括具有单独可控元件阵列的构图阵列。与基于掩模的系统相比，在这种系统中可以更加快速和低成本地改变图案。平板显示器通常是矩形形状。设计成曝光这种类型的基底的光刻装置可以提供曝光区，该曝光区覆盖了矩形基底的全宽度，或者覆盖了部分宽度(例如一半宽度)。可以在曝光区下方扫描基底，同时通过投影光束同步扫描掩模或中间掩模版。通过这种方式，将图案转印到基底上。如果曝光区覆盖了基底的全宽度，就可以使用单次扫描完成曝光。如果曝光区覆盖了例如基底的一半宽度，就可以在第一次扫描之后横向移动基底，然后通常是执行另一扫描来曝光基底的其他部分。由于总是需要在器件中形成更小的特征，因此有必要使用光刻技术和以更高的精度形成更小的图案特征。相应地，有必要以更高的精度控制将辐射投影到基底上的位置。因此，需要的是一种系统和方法，其可以提供在光刻装置中使用的改进的光学元件。
技术实现思路
在一个实施例中，提供一种包括构图部件和投影系统的光刻装置。所述构图部件可调制辐射光束。所述投影系统将调制的辐射光束投影到基底的靶部上。所述投影系统包括聚焦元件阵列和非平面校正表面。所述聚焦元件阵列配置成使得每个聚焦元件将部分调制的辐射光束聚焦到基底上。所述非平面校正表面成形为使得当投影系统将调制的辐射光束投影到基底上时，聚焦元件的焦点比当校正表面为平面时更接近单平面。在另一个实施例中，提供一种聚焦元件阵列，其配置成使得当辐射光束入射到阵列上时，对于给定的辐射波长每个聚焦元件将部分辐射光束聚焦到各个焦点。所述聚焦元件阵列包括非平面校正表面，其成形为使得当辐射光束入射到阵列上时，聚焦元件的焦点比当校正表面为平面时更接近单平面。在另一个实施例中，提供一种包括下列步骤的器件制造方法，使用包括聚焦元件阵列的投影系统将调制的辐射光束投影到基底上，所述聚焦元件阵列配置成使得每个聚焦元件将部分调制的辐射光束聚焦到基底上。使用非平面的校正表面，所述校正表面成形为使得当投影系统将调制的辐射光束投影到基底上时，聚焦元件的焦点比当校正表面为平面时更接近单平面。在又一个实施例中，提供一种改进聚焦元件阵列的方法，其包括以下步骤。当辐射光束入射到聚焦元件阵列上时测量多个聚焦元件的焦点位置。确定所需的非平面校正表面的形状，使得当校正表面应用于聚焦元件阵列时，焦点比它们在测量步骤中更接近单平面。提供具有根据确定步骤成形的校正表面的聚焦元件阵列。在又一个实施例中，提供一种设置具有投影系统的光刻装置的方法，所述投影系统包括聚焦元件阵列，该聚焦元件阵列配置成使得每个聚焦元件将部分调制的辐射光束聚焦到基底上，所述方法包括以下步骤。测量多个聚焦元件将调制的辐射光束的相应部分聚焦的焦点位置。确定所需的非平面校正表面的形状，使得当校正表面包括在投影系统中时，聚焦元件将调制的辐射光束的相应部分聚焦的焦点比它们在测量步骤中更接近单平面。提供具有根据确定步骤成形的校正表面的投影系统。下面参考附图详细描述本专利技术进一步的实施例、特征和优点以及本专利技术的各个实施例的结构和操作。附图说明这些附图在此被并入并构成说明书的一部分，它们示出了本专利技术的一个或多个实施例，并与说明书一起用于说明本专利技术的原理和使本领域技术人员制造和利用本专利技术。图1和2示出了根据本专利技术的各个实施例的光刻装置。图3示出了使用如图2所示的本专利技术的一个实施例将图案转印到基底的方式。图4示出了根据本专利技术的一个实施例的光引擎的布置。图5a和5b示出了根据本专利技术的一个实施例在光刻装置中使用的光学元件和改进的光学元件。图6a、6b和6c示出了用于实施在图5a和5b中所示改进的示例性实施例。图7示出了用于实施本专利技术的另一个实施例。现在参考附图描述本专利技术。图中，相似的参考数字表示相同或功能类似的元件。附加地，参考数字中最左边的数位可以确定参考数字首次出现的附图。具体实施例方式尽管论述了具体结构和布置，但是应该理解其目的仅仅是说明性的。本领域技术人员应该认识到，在不脱离本专利技术的精神和范围的条件下，可以使用其它结构和布置。对本领域技术人员来说显而易见的是，本专利技术还可以在各种其它应用中使用。图1示意性地表示了本专利技术的一个实施例的光刻装置。该装置包括照射系统IL、构图部件PD、基底台WT和投影系统PS。所述照射系统(照射器)IL配置成调制辐射光束B(例如UV辐射)。构图部件PD(例如中间掩模版或掩模或单独可控元件阵列)可调制光束。一般地，单独可控元件阵列的位置相对投影系统PS固定。但是，它可以代替地与定位装置连接，所述定位装置配置成根据某些参数精确定位单独可控元件阵列。基底台WT构造成支撑基底(例如涂敷抗蚀剂的基底)W，并与配置成根据某些参数精确定位基底的定位装置PW连接。投影系统(例如折射投影透镜系统)PS配置成将由单独可控元件阵列调制的辐射光束投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如包括用于引导、整形或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者其任意组合。这里使用的术语“构图部件”或“对比部件”应广义地解释为可以用于调制辐射光束的截面从而在基底靶部中形成图案的任何装置。所述部件可以是静态构图部件(例如掩模或中间掩模版)或动态构图部件(例如可编程元件阵列)。为了简便，大部分描述是关于动态构图部件的，但是应该理解在不脱离本专利技术的范围的条件下也可以使用静态构图部件。应该注意，赋予给辐射光束的图案可以不与基底靶部中的期望图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。类似地，最终在基底上形成的图案可以和在任何情况下在单独可控元件阵列上形成的图案不一致。这可以是在一种布置中的情况，其中在给定的时间间隔或给定的曝光次数中逐步形成在基底的每部分上形成的最终图案，在所述时间间隔中单独可控元件阵列和/或基底的相关位置会改变。一般地，在基底靶部上形成的图案与在靶部中形成的器件如集成电路或平板显示器的特殊功能层(例如平板显示器中的滤色镜层或平板显示器中的薄膜晶体管层)相对应。这种构图部件的实例包括例如中间掩模版、可编程反射镜阵列、激光二极管阵列、发光二极管阵列、光栅光阀和LCD阵列。构图部件的图案在电子装置(例如计算机)的辅助下可进行编程，构图部件例如包括多个可编程元件(例如在上文中提到的除中间掩模版之外的所有器件)，在此构图部件可以共同地称为“对比器件”)。在一个实例中，构图部件包括至少10个可编程元件，例如至少100个、至少1000个、至少10000个、至少100000个、至少10000本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻装置，包括：调制辐射光束的构图部件；将调制的辐射光束投影到基底的靶部上的投影系统，所述投影系统包括聚焦元件阵列，其配置成使得聚焦元件阵列中的每个聚焦元件将部分调制的辐射光束聚焦到基底上，和非平面校正表面，其成形为使得当投影系统将调制的辐射光束投影到基底上时，聚焦元件的焦点比当校正表面为平面时更接近单平面。

【技术特征摘要】
US 2005-10-5 11/2431801.一种光刻装置，包括调制辐射光束的构图部件；将调制的辐射光束投影到基底的靶部上的投影系统，所述投影系统包括聚焦元件阵列，其配置成使得聚焦元件阵列中的每个聚焦元件将部分调制的辐射光束聚焦到基底上，和非平面校正表面，其成形为使得当投影系统将调制的辐射光束投影到基底上时，聚焦元件的焦点比当校正表面为平面时更接近单平面。2.根据权利要求1所述的光刻装置，其中所述聚焦元件阵列包括对辐射光束大体上透明的基板；和位于基板的第一侧上的透镜阵列，其中与第一侧相对的基板的第二侧成形为形成非平面校正表面。3.根据权利要求1所述的光刻装置，其中所述聚焦元件阵列包括由基板支撑的多个聚焦元件；和校正板，其上形成有非平面校正表面。4.根据权利要求3所述的光刻装置，其中所述校正板结合到所述基板上。5.根据权利要求4所述的光刻装置，其中所述基板和所述校正板对辐射光束是大体上透明的；所述聚焦元件是位于所述基板的第一侧上的透镜；以及所述校正板结合到与基板的第一侧相对的第二侧。6.根据权利要求3所述的光刻装置，其中所述校正板通过紧固件与所述基板连接。7.根据权利要求6所述的光刻装置，其中所述基板和所述校正板对辐射光束是大体上透明的；所述聚焦元件是位于所述基板的第一侧上的透镜；所述非平面校正表面形成在所述校正板的第一侧上；以及所述校正板固定在所述基板上，使得与相应的第一侧相对的基板第二侧和与相应的第一侧相对的校正板第二侧保持彼此相靠。8.根据权利要求3所述的光刻装置，其中所述基板与所述校正表面连接，使得所述基板变形成与所述校正表面的形状一致。9.根据权利要求3所述的光刻装置，其中所述基板和所述校正板具有大体上相同的热膨胀系数。10.根据权利要求3所述的光刻装置，其中所述基板和所述校正板具有大体上相同的折射率。11.一种聚焦元件阵列，包括非平面校正表面，其成形为使得当辐射光束入射到所述聚焦元件阵列上时，所述聚焦元件阵列中的每个聚焦元件的相应焦点比当校正表面为平面时更接近单平面，其中当辐射光束入射到所述聚焦元件阵列上时，对于给定波长的辐射来说每个聚焦元件将部分辐射光束聚焦到相应的焦点。12...

【专利技术属性】
技术研发人员：LC祖里茨马，JJM巴塞曼斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[]