气体喷头、光刻装置和气体喷头的应用制造方法及图纸

一种在光学装置中调节至少一个光路的气体喷头，其中所述气体喷头包括具有喷头出口侧以向光路供给气体的气体分配室，所述气体分配室配置成将气体分配到光路，其中所述气体分配室包括大体上尖锐的锥形尖端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及气体喷头、光刻装置和气体喷头的应用。
技术介绍
光刻装置是将期望的图案施加到基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传递到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的传递是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地，单一的基底将包含被相继构图的相邻靶部的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并且同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图部件传递到基底上。气体喷头的应用可以从现有技术了解。例如，图18中的欧洲专利EP0498499示出了光刻装置的一部分。所述装置包括干涉仪系统和各干涉仪光束在其中传播的空间。优选地使恒定的、层流气流穿过该空间，以便获得较大的干涉仪系统的精度。可以控制供给气体的纯度和温度。所述气体例如具有纯度级1，其温度例如稳定在0.1℃内。美国专利No.6,522,385B2公开了一种不同的气体喷头。该气体喷头布置在晶片台和镜头之间，其包括具有上部框架的圆形头部和与上部框架的底部连接的多孔构件底部。气体喷头头部的厚度从头部的中心孔径向向外地增大。所述头部用于喷淋光刻装置的晶片台，以便防止晶片台污染。
技术实现思路
期望的是提供一种改进的气体喷头，例如用于调节至少一个光路，或者净化某一区域。在本专利技术的一个实施例中，提供一种在光刻装置中调节至少一个光路的气体喷头，其中所述气体喷头包括具有喷头出口侧以向光路供给气体的气体分配室，所述气体分配室配置成将气体分配到光路，其中所述气体分配室包括大体上尖锐的锥形尖端。在本专利技术的一个实施例中，提供一种调节或净化装置中的至少一个区域的气体喷头，其中所述气体喷头至少包括气体分配室，其具有包括多个大体上倾斜的气体通道的喷头出口侧，以便在使用过程中向所述区域供给气体。在本专利技术的一个实施例中，提供一种在光学装置中调节至少一个光学干涉仪路径的气体喷头，其中所述气体喷头包括具有喷头出口侧以向光路供给气体的气体分配室，其中所述气体分配室包括相对所述喷头出口侧延伸的第二侧，所述第二侧包括大体上平行于所述气体出口侧延伸的第一部分，以及和所述气体出口侧一起围成一锐角以提供尖锐的锥形尖端的第二部分。此外，根据本专利技术的一个实施例，提供一种在光学装置中调节至少一个光路的气体喷头，其中所述气体喷头包括具有喷头出口侧以向光路供给气体的气体分配室，其中所述喷头出口侧包括多个气体通道，所述气体通道相对彼此不均匀地分布。在另一个实施例中，提供一种光刻装置，其包括根据本专利技术的一个实施例的至少一个气体喷头。此外，本专利技术的实施例提供了调节或净化一区域的气体喷头的使用，其中所述气体通过气体喷头供给到所述区域。附图说明现在仅仅通过实例的方式，参考随附的示意图描述本专利技术的各个实施例，其中相应的参考标记表示相应的部件，其中图1示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻装置；图2示出了如图1所示的光刻装置的气体喷头的纵向截面；图3示出了图2中示出的气体喷头的底视图；图4是图2的细节Q；图5示出了具有根据本专利技术的一个实施例的气体喷头的装置的一部分；图6示出了图5中示出的实施例的气体喷头的细节的截面图；图7示出了如图5所示的气体喷头的底视图； 图8示出了如图5所示的气体喷头的可替换实施例的底视图；以及图9示出了如图5所示的气体喷头的另一个可替换实施例的底视图。具体实施例方式图1示意性地表示了根据本专利技术的一个实施例的光刻装置。该装置包括照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射光束B(例如UV辐射或不同类型的辐射)。支撑结构(例如掩模台)MT，其构造成支撑构图部件(例如掩模)MA，并与配置成依照某些参数精确定位该构图部件的第一定位装置PM连接。基底台(例如晶片台)WT，其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与配置成依照某些参数精确定位基底的第二定位装置PW连接。投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，其配置成利用构图部件MA将赋予给辐射光束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如包括用于引导、整形或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者其任意组合。支撑结构可以支撑即承受构图部件的重量。它可以一种方式保持构图部件，该方式取决于构图部件的定向、光刻装置的设计以及其它条件，例如构图部件是否保持在真空环境中。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来保持构图部件。掩模支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。支撑结构可以确保构图部件例如相对于投影系统位于期望的位置。这里任何术语“中间掩模版”或者“掩模”的使用可以认为与更普通的术语“构图部件”同义。这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给辐射光束在其截面赋予图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给辐射光束的图案可以不与基底靶部中的期望图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地，赋予给辐射光束的图案与在靶部中形成的器件如集成电路的特殊功能层相对应。构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的实例包括掩模，可编程反射镜阵列，以及可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个实例采用微小反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向反射入射的辐射光束。倾斜的反射镜可以在由反射镜矩阵反射的辐射光束中赋予图案。这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如浸没液体的使用或真空的使用。这里任何术语“投影镜头”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。如这里所指出的，该装置是透射型(例如采用透射掩模)。或者，该装置可以是反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。光刻装置可以具有两个(双工作台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多工作台式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台或支撑上进行准备步骤，而一个或者多个其它台或支撑用于曝光。光刻装置还可以是这样一种类型，其中至少部分基底由具有相对高的折射率的液体如水覆盖，从而填充投影系统和基底之间的空间。浸没液体也可以应用于光刻装置中的其他空间，例如应用于掩模和投影系统之间。浸没技术在本领域中是公知的，其用于增大投影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸没”不表示结构如基底必须浸没在液体中，而是仅表示液体在曝光期间位于投影系统和基底之间。参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调节光刻装置中的至少一个光路的气体喷头，所述气体喷头包括具有喷头出口侧以向所述光路供给气体的气体分配室，所述气体分配室配置成将所述气体分配到所述光路，其中所述气体分配室包括大体上尖锐的锥形尖端。

【技术特征摘要】
US 2005-10-21 11/2551951.一种调节光刻装置中的至少一个光路的气体喷头，所述气体喷头包括具有喷头出口侧以向所述光路供给气体的气体分配室，所述气体分配室配置成将所述气体分配到所述光路，其中所述气体分配室包括大体上尖锐的锥形尖端。2.如权利要求1所述的气体喷头，其中所述气体分配室包括相对所述喷头出口侧延伸的第二侧，所述第二侧包括大体上平行于所述气体出口侧延伸的第一部分，以及和所述气体出口侧一起围成一锐角以提供所述尖锐的锥形尖端的第二部分。3.如权利要求2所述的气体喷头，其中所述第二侧大体上是矩形。4.如权利要求2所述的气体喷头，其中所述气体喷头配置成大体上平行于所述出口侧朝所述气体分配室的第二侧供给气体，使得所述气体分配室的第二侧使输入气体朝出口侧偏转以便从所述分配室分配气体。5.如权利要求1所述的气体喷头，其中所述尖端的锥角小于大约20°。6.如权利要求1所述的气体喷头，其中所述尖端的锥角小于大约10°。7.如权利要求1所述的气体喷头，其中所述气体喷头布置成在使用过程中光学地调节光刻装置中至少一个干涉仪光束的路径。8.如权利要求1所述的气体喷头，其中至少部分所述气体分配室的出口侧具有单丝织物，以便在使用过程中产生大体上均匀的气体。9.如权利要求1所述的气体喷头，其中至少部分所述气体分配室的尖锐尖端的气体出口侧仅具有一薄板，所述薄板具有将气体分配到所述光路的通道。10.如权利要求1所述的气体喷头，其中所述气体出口侧包括薄金属或合金板，其具有多个激光钻孔的通道、蚀刻的通道和/或用放电加工或在掩模上淀积金属而形成的通道。11.如权利要求1所述的气体喷头，其中所述气体出口侧包括具有多个通道的薄板。12.如权利要求11所述的气体喷头，其中所述通道之一相对所述薄板的外表面倾斜地延伸。13.如权利要求11所述的气体喷头，其中多个所述通道大体上彼此平行地延伸。14.如权利要求11所述的气体喷头，其中所述通道在直径上变化。15.如权利要求11所述的气体喷头，其中沿薄板看所述通道不均匀地分布。16.如权利要求11所述的气体喷头，其中所述薄板是金属或合金板。17.如权利要求11所述的气体喷头，其中所述通道在薄板上均匀分布。18.如权利要求11所述的气体喷头，其中多个所述通道朝从所述大体上尖锐的锥形尖端横向地延伸的区域引导。19.如权利要求1所述的气体喷头，其中所述气体分配室包括至少第一锥形部和从所述第一锥形部延伸的第二锥形部，其中所述至少第一和第二锥形部具有相应的彼此成一直线延伸的气体出口侧，其中所述至少第一和第二锥形部具有相对所述相应出口侧延伸的相应的第二侧，其中相邻锥形部的第二侧彼此围成的角度小于180°。20.如权利要求1所述的气体喷头，其中所述气体分配室配置成以大体上均匀的流动曲线将所述气体分配到所述光路。21.如权利要求1所述的气体喷头，其中所述气体分配室配置成以大体上不均匀的流动曲线将所述气体分配到所述光路。22.一种调节或净化装置中至少一个区域的气体喷头，所述气体喷头包括气体分配室，气体分配室具有包括多个大体上倾斜的气体通道的喷头出口侧，以便在使用过程中向一区域供给气体。23.如权利要求22所述的气体喷头，其中所述喷头出口侧包括至少一个薄板，薄板具有多个大体上倾斜的所述通道，每个通道大体上倾斜地延伸穿过所述薄板。24.如权利要求23所述的气体喷头，其中所述薄板的厚度小于大约1mm。25.如权利要求23所述的气体喷头，其中所述薄板的厚度是大约0.5mm或者更小。26.如权利要求23所述的气体喷头，其中所述薄板是金属板或合金板，其中所述通道是激光钻孔的通道、蚀刻的通道和/或用放电加工形成的通道。27.如权利要求23所述的气体喷头，其中所述薄板由在(光刻的)掩模上淀积的金属如镍构成。28.如权利要求23所述的气体喷头，其中所述薄板由塑料构成。29.如权利要求22所述的气体喷头，其中所述气体通道相对彼此均匀地分布。30.如权利要求22所述的气体喷头，其中所述气体通道相对彼此不均匀地分布，使得当气流或气压没有在气体分配室中均匀分布时气体通道向所述区域均匀地供给气体。31.如权利要求22所述的气体喷头，其中所述通道和所述喷头出口侧围成的角度范围是大约0°-60°。32.如权利要求31所述的气体喷头，其中所述角度的范围是大约20°-50°。33.如权利要求22所述的气体喷头，其中多个所述通道大体上彼此平行地地延伸。34.如权利要求22所述的气体喷头，其中每个所述通道的直径或宽度小于大约0.2mm。35.如权利要求22...

【专利技术属性】
技术研发人员：TAR范恩佩尔，R范德哈姆，NJJ罗塞特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]