形成放射线图像拍摄板的光导层和放射线图像拍摄板制造技术

一种形成放射线图像拍摄板的光导层，其特征在于所述光导层由硒合金形成，所述硒合金在其中含有０．１～１０００摩尔ｐｐｍ单价金属和０．１～１０００摩尔ｐｐｍ除Ｓｅ外的硫族元素。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适合例如X射线系统等射线照相系统的放射线图像拍摄板(radiation image taking panel)，更具体地说，本专利技术涉及形成放射线图像拍摄板的光导层(也叫“光电导层”)。
技术介绍
已经知道一种X射线图像拍摄板，其中为了降低受测试者在医药X射线照射中所暴露的放射线剂量，使用对X射线敏感的光导层作为光敏体和用光或许多电极读取和记录在光导层上用X射线形成的静电潜像。因为该程序具有高的分辨率，所以与利用TV摄像管的常规间接发射(indirect shooting)相比，该程序是优异的。X射线图像拍摄板，响应X射线向在其中配置的电荷产生层上的投射，产生相应于X射线的能量的电荷，作为电信号读取产生的电荷，从而该光导层起电荷产生层的作用。通常地，无定形硒(a-Se)、PbO、PbI2、HgI2、BiI3、Cd(ZN)Te等已经用作光导层的材料。尽管用例如真空沉积等成膜技术容易大面积地制备无定形硒，但是该无定形硒将包括许多无定形所固有的结构缺陷，灵敏度容易变差。因此，掺杂杂质已经被广泛地应用，例如在日本未审查专利公开第2003-315464号公报中，公开了一种使用掺杂碱金属的无定形硒的光导层。此外，已经知道为了扩展光谱灵敏度带的目的，加入例如Te等硫族元素(“Photographic Science and Engineering”Vol.26，p245，1982)。尽管能够抑制灵敏度变差，但是据报道，“Photographic Science and Engineering”Vol.26，p245，1982中公开的光导层的光电导性的余像特性不够。此外，还知道为了阻止结晶或改进电子转移，加入例如As等V族元素。(“Journal of Vacuum Science and Technology”Vol.9，pp.387-390，1972)。此外，在日本未审查专利公开2001-284628号中公开了硒中的杂质。由于在掺杂碱金属的无定形硒中，例如日本未审查专利公开第2003-315464号公报公开的，发生局部结晶，当在光导层中使用掺杂碱金属的无定形硒时，由于时间流逝造成的图像缺陷容易发生。
技术实现思路
基于上述观察和说明，本专利技术的主要目的是提供一种光导层和配备该光导层的放射线图像拍摄板，所述光导层的灵敏度变差得更少和光电导性的余像特性得到改进。本专利技术的另一个目的是提供一种结晶问题被克服的光导层和配备该光导层的放射线图像拍摄板，所述光导层的电子跃迁被改进和由于时间流逝的图像缺陷被抑制。用形成放射线图像拍摄板的第一光导层可以实现本专利技术的前种目的，特征在于它由其中含有0.1～1000摩尔ppm单价金属和0.1～1000摩尔ppm除Se外的硫族元素的硒合金形成。“单价金属”是指碱金属(Li、Na、K、Rb、Cs)、Tl、Ag、Cu等，“除Se外的硫族元素”是指S或Te。优选单价金属为Na和硒合金含有0.2～200摩尔ppm的Na。优选硫族元素为Te和硒合金含有0.1～400摩尔ppm的Te。根据本专利技术，提供一种第一放射线图像拍摄板，其特征在于它包含用硒合金形成的第一光导层，所述硒合金含有0.1～1000摩尔ppm单价金属和0.1～1000摩尔ppm除Se外的硫族元素(chalcogenide element)。光导层中单价金属的含量比所用原料低约两位数，并且光导层中硫族元素的含量比所用原料低约20％到一位数，这是由于当其为约1000摩尔ppm时的蒸馏效应所致。因此，在产品状态中，本专利技术的光导层包含其中含有0.001～10摩尔ppm单价金属和0.1～1000摩尔ppm除Se外的硫族元素的硒合金。用形成放射线图像拍摄板的第二光导层可以实现本专利技术的后种目的，其特征在于它包含其中含有0.1～1000摩尔ppm单价金属和0.1～4000摩尔ppm V族元素的硒合金。“单价金属”是指碱金属(Li、Na、K、Rb、Cs)、Tl、Ag、Cu等，“V族元素”是指N、P、As、Sb或Bi。“硒合金”是指硒与除硒外的一种或多种元素的合金。优选单价金属为Na和硒合金含有0.2～300摩尔ppm的Na。优选V族元素是Sb和硒合金含有0.15～20摩尔ppm的Sb。另外，优选V族元素是As和硒合金含有1.5～4000摩尔ppm的As。根据本专利技术，提供一种第二放射线图像拍摄板，其特征在于它包含用硒合金形成的第二光导层，所述硒合金含有0.1～1000摩尔ppm单价金属和0.1～4000摩尔ppm的V族元素。产品中单价金属的含量比所用原料低约两位数，并且产品中V族元素的含量比所用原料低约一半到一位数，这是由于当其为约1000摩尔ppm时的蒸馏效应所致。因此，在产品状态中，本专利技术的光导层包含其中含有0.001～10摩尔ppm单价金属和0.1～2000摩尔ppm除Se外的V族元素的硒合金。由于本专利技术的第一光导层包含其中含有0.1～1000摩尔ppm单价金属和0.1～1000摩尔ppm除Se外的硫族元素的硒合金，所以它的灵敏度变差得更少，X射线光电流的衰减速度得到改进，从而可以缩短形成图像的时间间隔，增加生产量。因此，本专利技术的第一光导层具有优异的动画性和更好的光电导性的余像特性。特别地，当单价金属为Na且硒合金含有0.2～200摩尔ppm Na和硫族元素为Te且硒合金含有0.1～400摩尔ppm的Te时，第一光导层具有更好的光电导性的余像特性。在本专利技术的第二光导层中，局部结晶更不容易发生，从而电子跃迁得到改进，响应局部结晶随时间的发展的图像缺陷的增加得到抑制。特别地，当单价金属为Na且硒合金含有0.2～300摩尔ppm Na和V族元素为Sb且硒合金含有0.15～20摩尔ppm Sb或V族元素为As且硒合金含有1.5～4000摩尔ppm As时，响应局部结晶随时间的发展的图像缺陷的增加得到抑制。附图说明图1是表示使用本专利技术的光导层的放射线图像拍摄板的一个例子的剖面图。图2是表示使用放射线图像拍摄板的记录/读取系统的示意图。图3A～3D是表示电荷模型的潜像形成程序的图。图4A～4D是表示用电荷模型的记录/读取系统的潜像读取程序的图。图5是表示放射线传感器用AMA板整合的状态的示意图。图6是表示AMA板的等效电路的电路图。图7是表示放射线检测部分的像素的示意剖面图。具体实施例方式本专利技术的第一光导层的特征在于它包含其中含有0.1～1000摩尔ppm单价金属和0.1～1000摩尔ppm除Se外的硫族元素的硒合金。当单价金属小于0.1摩尔ppm时或当除Se外的硫族元素小于0.1摩尔ppm时，不能抑制灵敏度变差，光电导性的余像特性不够。当单价金属大于1000摩尔ppm时，容易发生结晶和/或暗电流增加。当除Se外的硫族元素大于1000摩尔ppm时，由于分馏作用等，难以重复地形成光导层。为了形成其中含有单价金属和除Se外的硫族元素的膜时，例如，用已知沉积设备将已用其使单价金属和除Se外的硫族元素反应的硒合金可以沉积在板上。本专利技术的第二光导层的特征在于它包含其中含有0.1～1000摩尔ppm单价金属和0.1～4000摩尔ppm V族元素的硒合金。当单价金属小于0.1摩尔ppm时或当V硫族元素小于0.1摩尔pp时，不能充分地抑制结晶。当单价金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成放射线图像拍摄板的光导层，其特征在于所述光导层由硒合金形成，所述硒合金在其中含有0.1～1000摩尔ppm单价金属和0.1～1000摩尔ppm除Se外的硫族元素。2.如权利要求1所述的光导层，其中所述单价金属为Na，硒合金在其中含有0.2～200摩尔ppm的Na。3.如权利要求2所述的光导层，其中硫族元素为Te，硒合金在其中含有0.1～400摩尔ppm的Te。4.如权利要求1所述的光导层，其中硫族元素为Te，硒合金在其中含有0.1～400摩尔ppm的Te。5.一种形成放射线图像拍摄板的光导层，其特征在于所述光导层包含硒合金，所述硒合金在其中含有0.001～10摩尔ppm单价金属和0.1～1000摩尔ppm除Se外的硫族元素。6.一种放射线图像拍摄板，其特征在于，所述放射线图像拍摄板包含由硒合金制成的光导层，所述硒合金在其中含有0.001～10摩尔ppm单价金属和0.1～1000摩尔ppm除Se外的硫族元素。7.一种放射线图像拍摄板，其特征在于，所述放射线图像拍摄板包含含有硒合金的光导层，所述硒合金在其中含有0.1～1000摩尔ppm单价金属和0.1～1000摩尔ppm除Se外的硫族元素。8.一种形成放射线图像拍摄板的光导层，其特征在于所述光导层由硒合金形成，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：三宅清照，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：