在制造有机电子器件的过程中除去有机层的方法和用该方法制造的有机电子器件技术

一种用来制造有机电子器件的方法，该方法包括以下步骤：（ａ）在基片上形成第一导电元件和导电引线，所述第一导电元件和导电引线互相隔开；（ｂ）在基片、第一导电元件和导电引线上面形成有机层；（ｃ）在有机层上面形成具有图案的导电层，所述具有图案的导电层包括第二导电元件，所述具有图案的导电层造成了有机层的暴露部分和未暴露部分；（ｄ）用至少一种含氧气体至少对有机层的暴露部分进行干蚀刻，使一部分导电引线暴露出来，所述干蚀刻在大约０．０１－７．５毫托的压力下进行。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及有机电子器件，更具体地涉及在制造有机电子器件的过程中从性能(performance)敏感的元件上除去有机材料的方法，以及使用该方法制得的有机电子器件。背景信息对于有机电子器件，例如有机发光二极管显示器(OLED)，使用激光烧蚀法从器件不希望有的性能敏感区域除去有机材料。例如，在一种技术中制造OLED器件的起初几步是沉积导电元件(例如阳极之类的电极)和导电引线，并在其上形成图案。所述阳极通常为氧化铟锡(ITO)，导电引线可包括三层的夹层结构，该夹层结构包括粘合层、低电阻率导电层和保护性罩层。一种典型的OLED导电引线结构为Cr/Cu/Cr。形成了阳极和导电引线之后，所述方法包括在基片的整个表面上形成阴极阻挡层，然后形成缓冲层(也被称为电荷输送层)(BL)和电发光层(EL)之类的有机层。在本领域的现有技术中，在此之后将基片送入激光烧蚀系统，在此系统中，激光束集中在需要清除有机层的区域上。这些区域包括电极至导电引线的电接触垫、粘合垫和活性区域周围的框架(有时称为板条(rail))，在这些区域上面具有用作包封盖的胶，这些区域是OLED的性能敏感区域的例子。激光烧蚀法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用来制造有机电子器件的方法，该方法包括以下步骤：　　　　在基片上形成第一导电元件和导电引线，所述第一导电元件和导电引线互相之间隔开；　　　　在基片、第一导电元件和导电引线上面形成有机层；　　　　在有机层上面形成具有图案的导电层，　　　　其中：　　　　所述具有图案的导电层包括第二导电元件；且　　　　所述具有图案的导电层形成了有机层的暴露部分和有机层的未暴露部分；以及　　　　用至少一种含氧气体对至少有机层的暴露部分进行干蚀刻，使导电引线的一部分暴露出来，其中，所述干蚀刻在大约０．０１－７．５毫托的压力范围下进行。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-7-22 10/625,112;US 2004-7-13 10/890,3601.一种用来制造有机电子器件的方法，该方法包括以下步骤在基片上形成第一导电元件和导电引线，所述第一导电元件和导电引线互相之间隔开；在基片、第一导电元件和导电引线上面形成有机层；在有机层上面形成具有图案的导电层，其中所述具有图案的导电层包括第二导电元件；且所述具有图案的导电层形成了有机层的暴露部分和有机层的未暴露部分；以及用至少一种含氧气体对至少有机层的暴露部分进行干蚀刻，使导电引线的一部分暴露出来，其中，所述干蚀刻在大约0.01-7.5毫托的压力范围下进行。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干蚀刻以多于一步的步骤进行。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在至少一个第二步骤中的气体是至少一种惰性气体。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在第二步骤中使用还原气体。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气体还包含含卤素气体。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述气体至少约有10体积％的包含O2的含氧气体、包含CF4的含卤素气体和包含Ar的惰性气体。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片包括聚合膜。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机层包含至少一种是电荷输送材料、防猝灭材料、发光材料或光电探测器材料的材料。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机电子器件为发光二极管、发光显示器、对辐射敏感的器件、光电导管、光生伏打电池、光敏电阻器、光控开关、光电探测器、光电晶体管或光电...

【专利技术属性】
技术研发人员：S帕拉卡施，李峰，LA洛佩兹古蒂雷斯，
申请(专利权)人：EI内穆尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]