【技术实现步骤摘要】
光传感器及其校正方法
[0001]本专利技术涉及一种传感技术，尤其涉及一种光传感器及其校正方法。
技术介绍
[0002]目前，高敏感度的测距传感器在各应用领域例如医疗领域或车用领域中都非常多个需求应用。特别是，可用于传感极弱光的光传感器是目前主要传感器设计方向之一。有鉴于此，如何实现可有效地传感极弱光并且可具有高精确度及可靠度特点的光传感器，以下将提出几个实施例的解决方案。
技术实现思路
[0003]本专利技术是针对一种光传感器及其校正方法，可校正光传感器的传感子像素的相关设定参数，以使光传感器可实现具有高可靠度的单光子崩溃二极管传感功能。
[0004]根据本专利技术的实施例，本专利技术的光传感器包括光源、传感子像素以及控制电路。光源用以发射传感光。传感子像素包括二极管、截止电阻以及时间至数字转换器。二极管具有第一端耦接工作电压。截止电阻耦接在二极管的第二端以及接地端电压之间。时间至数字转换器耦接二极管的第二端。控制电路耦接传感子像素，并且用以依据对应于传感子像素的二极管的光子检测率、内部增益值、截止...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光传感器，其特征在于，包括：光源，用以发射传感光；传感子像素，包括：二极管，具有第一端耦接工作电压；截止电阻，耦接在所述二极管的第二端以及接地端电压之间；以及时间至数字转换器，耦接所述二极管的所述第二端；以及控制电路，耦接所述传感子像素，并且用以依据对应于所述传感子像素的所述二极管的光子检测率、内部增益值、所述截止电阻的电阻值的至少其中之一，以校正所述传感子像素的传感灵敏度，以使所述传感子像素只有当接收到所述传感光时，产生单光子崩溃二极管传感信号。2.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述控制电路通过调整所述传感子像素的所述二极管操作在盖革模式的超额偏压来改变所述传感子像素的所述二极管的所述光子检测率，以校正所述传感子像素的所述传感灵敏度。3.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述控制电路通过调整所述传感子像素的所述二极管操作在盖革模式的超额偏压或操作在突崩线性模式的偏压来改变所述传感子像素的所述二极管的所述内部增益值，以校正所述传感子像素的所述传感灵敏度。4.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述控制电路还通过调整所述传感子像素与至少另一传感子像素的协同工作数量，以对应校正所述光传感器的整体传感灵敏度，其中所述控制电路判断所述传感子像素与所述至少另一传感子像素的多个所述二极管是否在曝光时间区间中同步产生多个传感电流，以确认所述传感子像素与所述至少另一传感子像素的多个所述二极管是否传感到光。5.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述控制电路操作所述光源发射对应于特定脉冲编码的所述传感光，并且所述控制电路判断所述传感子像素的所述时间至数字转换器输出的传感信号是否对应于所述特定脉冲编码，以产生确认传感结果。6.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述控制电路禁能所述光传感器的多个宏像素的每一个的多个传感子像素的一部分予以禁能，以调整所述传感子像素的填充因子，并校正所述光传感器的整体传感灵敏度。7.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，当所述传感子像素的所述二极管被操作在盖革模式或突崩线性模式时，所述控制电路依据所述传感子像素在传感期间提供的传感信号建立信号波形曲线，并且所述控制电路比较所述信号波形曲线与参考信号波形曲线，以确认所述传感子像素是否传感到由所述光源发射的所述传感光。8.根据权利要求7所述的光传感器，其特征在于，所述控制电路依据卜瓦松分布(Poisson distribution)来所述信号波形曲线的数值分布以取得对应于所述传感信号中的背景传感信号部分的所述参考信号波形曲线。9.根据权利要求7所述的光传感器，其特征在于，所述参考信号波形曲线为所述控制电路依据另一传感子像素的所述二极管在所述光源未发射所述传感光的情况下提供的另一传感信号来建立的。10.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述光源发射的所述传感光具有第
一偏极化，其中所述二极管具有所述第一偏极化的滤光器，并且用以接收对应于所述传感光的反射光。11.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，当属于同一像素的所述传感子像素与至少另一传感子像素的多个所述二极管被操作在盖革模式或突崩线性模式时，所述传感子像素及所述至少另一传感子像素在一个图框传感...
【专利技术属性】
技术研发人员：印秉宏，王佳祥，
申请(专利权)人：广州印芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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