【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种显示装置的画素结构,且特别是有关于一种画素结构的储存电容的结构。
技术介绍
画素结构具有至少一晶体管结构,其栅极接收水平扫描线,漏极为接收垂直数据线的数据信号,以提供画素显示信号。由于晶体管需于更新数据时维持先前所输入的电荷,才不会使显示面板失去画面,但若只以液晶的电容是无法有效维持其电荷,因此另外还需提供一储存电容于画素扫描期间保存其电荷。为了解上述的问题,传统的画素结构如图1所示。请参阅图1绘示传统显示面板中画素结构的剖面结构图。画素结构100形成于一基板102上,画素结构100包含铟锡氧化层(Indium Tin Oxide,ITO)150、保护层(passivation)140、层间介电层(interlayer dielectric layer,ILD layer)130、栅极绝缘层120、多晶硅层110及晶体管160所形成。晶体管160的栅极126接收扫描线的信号。晶体管160的漏极124延伸至层间介电层130上,形成一第二金属层122b。晶体管160的源极128接收数据线的数据信号。栅极绝缘层120设置于第一金属层122a与多晶硅层110间。保护层140设置于源极128及漏极124的上。铟锡氧化层150为一画素电极,且设置于保护层140上,且以一开口152与漏极124电性连接。画素结构100的储存电容是由储存电容Cp1及储存电容Cp2所构成,储存电容Cp1由第一金属层122a、栅极绝缘层120及多晶硅层110所构成,而储存电容Cp2由第二金属层122b、层间介电层130与第一金属层122a所构成。然而现今对显示器的解析度 ...
【技术保护点】
一种画素结构,包括:一基板,具有一晶体管区及一电容区;一图案化半导体层形成于该基板上,且一部份的该图案化半导体层位于该晶体管区上,其中该部份的该图案化半导体层具有一源区及一漏区;一介电层,覆盖于该图案化半导体层及该基板上;一图案化第一金属层,形成于该晶体管区及该电容区的该介电层上;一内层介电层,覆盖于该图案化第一金属层及该介电层上;一图案化第二金属层,形成于部份该内层介电层上,且电性连接该源区及漏区;一保护层,覆盖于该图案化第二金属层及该内层介电层上,其中该保护层及该内层介电层中具有一开口,以暴露出被保留的部份该内层介电层;以及一图案化画素电极,形成于部份该保护层及该开口中的该被保留的部份该内层介电层上,且电性连接该图案化第二金属层。
【技术特征摘要】
1.一种画素结构,包括一基板,具有一晶体管区及一电容区;一图案化半导体层形成于该基板上,且一部份的该图案化半导体层位于该晶体管区上,其中该部份的该图案化半导体层具有一源区及一漏区;一介电层,覆盖于该图案化半导体层及该基板上;一图案化第一金属层,形成于该晶体管区及该电容区的该介电层上;一内层介电层,覆盖于该图案化第一金属层及该介电层上;一图案化第二金属层,形成于部份该内层介电层上,且电性连接该源区及漏区;一保护层,覆盖于该图案化第二金属层及该内层介电层上,其中该保护层及该内层介电层中具有一开口,以暴露出被保留的部份该内层介电层;以及一图案化画素电极,形成于部份该保护层及该开口中的该被保留的部份该内层介电层上,且电性连接该图案化第二金属层。2.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该电容区具有一第一电容,由该图案化画素电极、位于该开口下的该被保留的该内层介电层及位于该电容区的该图案化第一金属层所构成。3.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,一另一部份的该图案化半导体层,形成于该电容区上。4.根据权利要求3所述的画素结构,其特征在于,该电容区具有一第二电容,由位于该电容区的该图案化第一金属层、该介电层及位于该电容区的该另一部份的该图案化半导体层所构成。5.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该被保留的该内层介电层的厚度实质上小于或等于该内层介电层的原来厚度的50%。6.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该被保留的该内层介电层的厚度实质上为100埃()~1500埃()。7.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该内层介电层具有一第一次层及一第二次层。8.根据权利要求7所述的画素结构,其特征在于,该该第一次层及该第二次层的材质的至少一者包含无机材质、有机材质或上述的组合。9.根据权利要求7所述的画素结构,其特征在于,该被保留的该内层介电层的厚度实质上等于或小于该第一次层的厚度。10.根据权利要求9所述的画素结构,其特征在于,该第一次层的厚度实质上为100埃()~1500埃()。11.根据权利要求7所述的画素结构,其特征在于,该电容区具有一第一电容,由该图案化画素电极、该第一次层及位于该电容区的该图案化第一金属层所构成。12.根据权利要求11所述的画素结构,其特征在于,一另一部份的该图案化半导体层,形成于该电容区上。13.根据权利要求12所述的画素结构,其特征在于,该电容区具有一第二电容,由位于该电容区的该图案化第一金属层、该介电层及位于该电容区的该另一部份的该图案化半导体层所构成。14.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该保护层的材质包含无机、有机或上述的组合。15.一种画素结构,包含至少一薄膜晶体管;一图案化第一金属层;一内层介电层,覆盖于该图案化第一金属层上;一保护层,覆盖于该薄膜晶体管及该内层介电层上,其中该保护层及部份该内层介电层中具有一开口,以暴露出被保留的部份该内层介电层;及一图案化画素电极,形成且接触部份该保护层及该被保留的部份该内层介电层上,其中该图案化第一金属层、位于该开口下的该被保留的该内层介电层及该图案化画素电极构成一第一储存电容,该第一储存电容电性连接该薄膜晶体管。16.根据权利要求15所述的画素结构,其特征在于,更包含一图案化半导体层,形成于该图案化第一金属层之下,且其间具有一介电层。17.根据权利要求16所述的画素结构,其特征在于,该图案化半导体层、该介电层及该图案化第一金属层构成一第二储存电容。18.根据权利要求15所述的画素结构,其特征在于,该被保留的该内层介电层的厚度实质上小于或等于该内层介电层的原来厚度的50%。19.根据权利要求15所述的画素结构,其特征在于,该被保留的该内层介电层的厚度实质上为100埃()~1500埃()。20.根据权利要求15所述的画素结构,其特征在于,该内层介电层具有一第一次层及一第二次层。21.根据权利要求20所述的画素结构,其特征在于,该第一次层及该第二次层的材质至少一者包含无机材质、有机材质或上述的组合。22.根据权利要求20所述的画素结构,其特征在于,该被保留的该内层介电层的厚度实质上等于或小于该第一次层的厚度。23.根据权利要求22所述的画素结构,其特征在于,该第一次层的厚度实质上为100埃()~1500埃()。24.根据权利要求20所述的画素结构,其特征在于,位于该开口下的该被保留的该内层介电层为该第一次层。25.根据权利要求20所述的画素结构,更包含一图案化半导体层,形成于该图案化第一金属层之下,且其的间具有一介电层。26.根据权利要求25所述的画素结构,其特征在于,该图案化半导体、该介电层及该图案化第一金属层构成一第二储存电容。27.根据权利要求15所述的结构,其特征在于,该保护层的材质包含无机、有机或上述的组合。28....
【专利技术属性】
技术研发人员:赵志伟,郑逸圣,林昆志,陈亦伟,
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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