一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机制造技术

本发明专利技术公开了一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，涉及蚀刻机技术领域，包括机箱，所述机箱的内腔设置有蚀刻台，所述蚀刻台顶面的中部设置有固定盘，所述固定盘的侧面设置有第一凸起部，所述固定盘的侧面设置有第二凸起部，所述蚀刻台的内部固定安装有伺服电机。该连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，通过第二凸起部与顶板之间的挤压配合，推动两块推动块通过滑杆沿导向滑槽进行相互远离的移动，使得两块推动块之间形成大于半导体晶圆面积的区域，使得半导体晶圆移动至支撑板的顶面，并在第二弹簧的弹力作用下使得两块推动块对半导体晶圆进行挤压配合，实现了自动对半导体晶圆进行固定的功能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机


[0001]本专利技术涉及蚀刻机
，具体为一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机。

技术介绍

[0002]蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类，化学蚀刻是使用化学溶液，经由化学反应以达到蚀刻的目的，而电解蚀刻机是利用金属在自来水或盐水为蚀刻主体的溶液中发生阳极溶解的原理，在对晶圆进行蚀刻的时候不会产生污染物，在半导体晶圆蚀刻的过程中，为了提高生产的效率，于是出现了连续式半导体晶圆湿法蚀刻机。
[0003]但是现有的连续式半导体晶圆湿法蚀刻机在蚀刻时没有对晶圆进行很好的固定，容易在蚀刻时产生漂浮现象，另外现有的连续式半导体晶圆湿法蚀刻机对半导体晶圆进行清洗时一般是通过纯水进行漂洗，清洗的效率以及质量不高，达不到现今使用的要求，因此我们提出了一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，解决了上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种连续式半导体晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，包括机箱（1），其特征在于：所述机箱（1）的内腔设置有蚀刻台（2），所述蚀刻台（2）顶面的中部设置有固定盘（5），所述固定盘（5）的侧面设置有第一凸起部（9），所述固定盘（5）的侧面设置有第二凸起部（10），所述蚀刻台（2）的内部固定安装有伺服电机（3），所述伺服电机（3）的输出轴连接有转动盘（4），所述转动盘（4）的顶部设置有电动液压杆（7），所述电动液压杆（7）输出端的顶部固定连接有升降块（6），所述升降块（6）的侧面固定连接有若干组连杆（11），所述连杆（11）的一端固定连接有支撑板（8），若干所述支撑板（8）均匀布置在固定盘（5）的侧部，所述支撑板（8）的表面对称设置有倾斜的两个导向滑槽（17），所述导向滑槽（17）的内腔设置有滑杆（35），所述滑杆（35）的一端延伸至支撑板（8）的顶面且固定连接有推动块（36），所述滑杆（35）的另一端分别延伸至支撑板（8）的底部且固定连接有定位板（37），一个所述定位板（37）内侧面的中部设置有带有内腔的定位套（40），另一个所述定位板（37）内侧面的中部设置有定位杆（39），所述定位杆（39）的一端活动套接至定位套（40）的内腔，所述定位套（40）的外侧套接有第二弹簧（41），所述第二弹簧（41）的两端分别与两个定位板（37）的内侧面相连接，两个所述定位板（37）靠近固定盘（5）的一侧均设置有顶板（38），两个所述顶板（38）相互滑动贴合，所述顶板（38）的位置与第二凸起部（10）相适配，所述支撑板（8）的顶面设置有贯穿前后侧壁的定位滑槽（18），所述定位滑槽（18）的内腔设置有定位滑块（21），所述定位滑块（21）顶端的一端且位于支撑板（8）的上方固定连接有推板（34），所述推板（34）的位置与第一凸起部（9）的位置相适配，所述支撑板（8）的顶面且靠近固定盘（5）的一侧设置有挡块（19），所述挡块（19）的内侧固定连接有第一弹簧（20），所述第一弹簧（20）的一端与推板（34）的侧面相连接。2.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述蚀刻台（2）的顶部开设有刻蚀槽（13），所述蚀刻台（2）的顶部开设有碱洗槽（14），所述蚀刻台（2）的顶部开设有HF酸槽（15），所述蚀刻台（2）的顶部开设有清洗槽（1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王珏，
申请(专利权)人：王珏，
类型：发明
国别省市：