一种金属网格导电膜及其制作方法技术

技术编号:31792806 阅读:23 留言:0更新日期:2022-01-08 10:51
本发明专利技术提供一种金属网格导电膜及其制作方法,制作方法包括如下步骤:制备光刻胶组合物,光刻胶组合物包括光引发剂,光引发剂选自裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种;在基材的至少一面上涂布光刻胶组合物;在光刻胶层上涂布催化剂溶液,得到膜片B;对膜片B进行曝光,得到膜片C;对膜片C进行显影,得到膜片D;对膜片D进行化铜,得到膜片E;对膜片E进行黑化,得到膜片F;在膜片F的表面涂布透明高分子材料,得到金属网格导电膜。本发明专利技术在曝光过程中克服氧阻聚,从而使得本申请提供的金属网格导电膜制作过程中,减少了在光刻胶或催化剂层上覆保护膜的步骤,有利于减少金属网格导电膜的制作步骤。有利于减少金属网格导电膜的制作步骤。

【技术实现步骤摘要】
一种金属网格导电膜及其制作方法


[0001]本专利技术涉及导电膜
,具体而言,涉及一种金属网格导电膜及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着互联网+与大数据5G时代的到来,可穿戴设备、可折叠设备、智能家居、教育教学等领域发展迅速,同时对中大尺寸的触控面板或柔性面板的需求越来越迫切;传统的ITO(氧化铟锡)薄膜不能实现弯曲、折叠应用,导电性也无法满足中大尺寸触控面板的要求,而且ITO属于稀缺资源,不可再生,因此,ITO的替代技术迎来机遇。
[0003]ITO的替代技术,有金属网格、纳米银线、碳纳米管以及石墨烯等材料。目前碳纳米管与石墨烯无法实现工业化量产,材料导电效果无法满足要求;金属网格与纳米银线材料相比,Metal Mesh(金属网格导电膜)技术更加成熟,得到业界广泛认可。Metal Mesh可应用于超薄、可折叠、穿戴式电子产品中,支持即将到来的可折叠柔性显示触控一体化的新型消费电子产业需求,应用前景广阔。
[0004]目前Metal Mesh的生产工艺,在涂布光刻胶后,为避免曝光过程中因氧气存在而影响光固化过程的进行,需要在光刻胶上涂布一层保护层,导致制作过程繁琐。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的问题是目前金属网格导电膜的制作过程繁琐。
[0006]为解决上述问题,本专利技术提供一种金属网格导电膜的制作方法,包括如下步骤:
[0007]S1:制备光刻胶组合物,所述光刻胶组合物包括光引发剂与供氢组分,且所述光引发剂选自裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种;
[0008]S2:在基材的至少一面上涂布所述光刻胶组合物,固化,形成光刻胶层,得到膜片A;
[0009]S3:在所述膜片A的所述光刻胶层上涂布催化剂溶液,固化,形成催化剂层,得到膜片B;
[0010]S4:对所述膜片B进行曝光,得到膜片C;
[0011]S5:对所述膜片C进行显影,形成由光刻胶与催化剂组成的网格图案,得到膜片D;
[0012]S6:对所述膜片D进行化铜,在所述网格图案上形成铜金属网格层,得到膜片E;
[0013]S7:对所述膜片E进行黑化,形成黑化层,得到膜片F;
[0014]S8:在所述膜片F的表面涂布透明高分子材料,形成保护层,得到金属网格导电膜。
[0015]可选地,所述裂解型光引发剂选自2

羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基
‑1‑
丙酮、1

羟基环己基苯基甲酮、2

甲基
‑1‑
[4

(甲基硫代)苯基]‑2‑
(4

吗啉基)
‑1‑
丙酮、2

苄基
‑2‑
二甲基氨基
‑1‑
(4

吗啉苯基)丁酮中的至少一种。
[0016]可选地,所述夺氢型光引发剂选自二苯甲酮、4

甲基二苯甲酮、2,4,6

三甲基二苯甲酮、四甲基米蚩酮、四乙基米蚩醇、甲乙基米蚩酮中的至少一种。
[0017]可选地,所述光刻胶组合物还包括有机硼烷。
[0018]可选地,步骤S2中的固化温度为70℃~110℃,固化时间为10s~5min;所述光刻胶层的厚度为0.3μm~2μm。
[0019]可选地,步骤S3中的催化剂溶液为钯催化剂溶液;所述催化剂层的厚度为0.03μm~0.2μm。
[0020]可选地,步骤S4中曝光的波长范围为300nm~450nm。
[0021]可选地,步骤S5中的显影液选自显影液选自四甲基氢氧化铵溶液、氢氧化钠溶液、2,6

二乙基苯胺溶液、碳酸钠溶液、碳酸氢钠溶液、碳酸钾溶液、碳酸氢钾溶液以及丙二醇甲醚醋酸酯中的任意一种。
[0022]可选地,步骤S6中的化铜时间为0.5min~15min,化铜温度为30℃~45℃;所述铜金属网格层的厚度为0.2μm~2μm;步骤S7中的黑化温度25℃~40℃,黑化时间0.1min~10min;所述黑化层的厚度为0.02μm~0.05μm。
[0023]本专利技术的另一目的在于提供一种金属网格导电膜,通过如上所述的金属网格导电膜的制作方法制作。
[0024]与现有技术相比,本专利技术提供的金属网格导电膜的制作方法具有如下优势:
[0025]本专利技术提供的金属网格导电膜的制作方法,通过选用裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种光引发剂,并结合供氢组分提供的氢原子,以在曝光过程中克服氧阻聚,从而使得本申请提供的金属网格导电膜制作过程中,在基材上形成光刻胶层后,依次进行涂布催化剂层、曝光、显影、化铜、黑化,以及涂布透明高分子材料,即可得到金属网格导电膜;与现有的制作工艺相比,减少了在光刻胶或催化剂层上覆保护膜的步骤,不仅有利于减少金属网格导电膜的制作步骤,简化制作方法,提高制作效率,而且减少了保护膜的用材,还有利于降低成本。
具体实施方式
[0026]下面详细描述本专利技术的实施例。下面描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本专利技术,而不能理解为对本专利技术的限制,基于本专利技术的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0027]为解决目前金属网格导电膜的制作过程繁琐的问题,本专利技术提供一种金属网格导电膜的制作方法,包括如下步骤:
[0028]S1:制备光刻胶组合物,该光刻胶组合物包括光引发剂与供氢组分,且光引发剂选自裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种;
[0029]S2:在基材的至少一面上涂布光刻胶组合物,固化,形成光刻胶层,得到膜片A;
[0030]S3:在膜片A的光刻胶层上涂布催化剂溶液,固化,形成催化剂层,得到膜片B;
[0031]S4:对膜片B进行曝光,得到膜片C;
[0032]S5:对膜片C进行显影,形成由光刻胶与催化剂组成的网格图案,得到膜片D;
[0033]S6:对膜片D进行化铜,在网格图案上形成铜金属网格层,得到膜片E;
[0034]S7:对膜片E进行黑化,形成黑化层,得到膜片F;
[0035]S8:在膜片F的表面涂布透明高分子材料,形成保护层,得到金属网格导电膜。
[0036]本申请中的光刻胶组合物除包括光引发剂以及供氢组分外,还包括光敏成膜树脂、溶剂以及助剂等,其中光敏成膜树脂、溶剂以及助剂等组分均可选用现有技术中的常用
物质;本申请优选,按照重量份数计,该光刻胶组合物包括1~6份的光引发剂、1~5重量份的供氢组分、5~40份的光敏成膜树脂、60~80份的溶剂以及2~5份的助剂;具体的,本申请中的光敏成膜树脂可以是环氧树脂类,也可以是酚醛树脂类等;并优选溶剂选自丙二醇单醋酸酯、丙二醇单乙醚、丙二醇本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属网格导电膜的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:制备光刻胶组合物,所述光刻胶组合物包括光引发剂与供氢组分,且所述光引发剂选自裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、肟酯类惰性分子光引发剂中的至少一种;S2:在基材的至少一面上涂布所述光刻胶组合物,固化,形成光刻胶层,得到膜片A;S3:在所述膜片A的所述光刻胶层上涂布催化剂溶液,固化,形成催化剂层,得到膜片B;S4:对所述膜片B进行曝光,得到膜片C;S5:对所述膜片C进行显影,形成由光刻胶与催化剂组成的网格图案,得到膜片D;S6:对所述膜片D进行化铜,在所述网格图案上形成铜金属网格层,得到膜片E;S7:对所述膜片E进行黑化,形成黑化层,得到膜片F;S8:在所述膜片F的表面涂布透明高分子材料,形成保护层,得到金属网格导电膜。2.如权利要求1所述的金属网格导电膜的制作方法,其特征在于,所述裂解型光引发剂选自2

羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基
‑1‑
丙酮、1

羟基环己基苯基甲酮、2

甲基
‑1‑
[4

(甲基硫代)苯基]
‑2‑
(4

吗啉基)
‑1‑
丙酮、2

苄基
‑2‑
二甲基氨基
‑1‑
(4

吗啉苯基)丁酮中的至少一种。3.如权利要求1所述的金属网格导电膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢才兴方莹李奎丁力
申请(专利权)人:江苏软讯科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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