磷酸锡防渗透膜及方法和设备技术

揭示一种磷酸锡防渗透膜及方法和设备。该方法包括以下步骤：在器件的至少一部分上沉积磷酸锡的低液相线温度（ＬＬＴ）的无机材料，形成沉积的磷酸锡ＬＬＴ材料；在基本上不含氧气和湿气的环境中对沉积的ＬＬＴ材料进行热处理，形成气密式密封；其中，沉积ＬＬＴ材料的步骤包括使用含钨的电阻型加热元件。还揭示一种有机电子器件，该器件包括基板；至少一层电子层或光电子层；和磷酸锡ＬＬＴ防渗透层，其中，电子层或光电子层被气密式密封在磷酸锡ＬＬＴ防渗透层和基板之间。还揭示一种设备，其至少一部分用磷酸锡ＬＬＴ防渗透层密封。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种阻止氧气和湿气渗透以及随后使器件和设备性能下降的方法。
技术介绍
氧气或湿气传送通过层叠的材料或包封的材料和随后侵入内部材料代表了两种与许多器件有关的最普遍的性能下降机理，所述器件例如有发光器件(OLED器件)、薄膜 传感器和迅衰波导传感器。如果采取各种步骤来最大程度地减小氧气和/或湿气的渗 透，可以显著增加这些器件的运行寿命。目前对延长这些器件的寿命的所做的努力包括吸气法、包封以及多种器件密封 技术。用于密封器件如0LED的常规方法包括使用环氧化物和无机材料和/或有机材料， 通过进行加热或暴露于紫外光，在固化时形成气密式密封。虽然这种密封提供了一定 程度的气密式密封，但是它们的价格较高，并且不能确保在长期操作中维持气密式密 封。类似的氧气和湿气渗透问题在其它器件中也很常见，如薄膜传感器、迅衰波导传 感器、食物容器和医用容器。因此，要求能够阻止氧气和湿气渗透到这些器件中。本 专利技术满足了这一要求和其它的要求。专利技术概述在第一方面，本专利技术提供一种阻止氧气和湿气渗透进器件的方法，该方法包括以下步骤在器件的至少一部分上沉积磷酸锡的低液相线温度的无机材料，形成沉积的 低液相线温度的无机材料；在基本上不含氧气和湿气的环境中对沉积的低液相线温度 的无机材料进行热处理，形成气密式密封；其中，沉积低液相线温度的无机材料的步 骤包括使用含钨的电阻型加热元件。另一方面，本专利技术提供一种采用本专利技术方法制造的器件。另一方面，本专利技术提供一种有机电子器件，该器件包括基板；至少一个有机电子 层或光电子层；和磷酸锡的低液相线温度的防渗透层，其中，电子层或光电子层被气 密式密封在磷酸锡的低液相线温度的防渗透层和基板之间。又一方面，本专利技术提供其至少一部分是以磷酸锡的低液相线温度的防渗透层密封的设备。本专利技术的其它方面将在详细描述、附图和权利要求书中得到阐明，并且部分可从 详细描述中得出或者可以通过本专利技术的实施而获知。应该理解，上文的一般性描述和 下文的详细描述都仅是示例性的和解释说明性的，并且不限制本文所揭示的本专利技术。附图简述附图包含于本说明书中，并构成本说明书的一部分，它们示出了本专利技术的某些方 面，与说明书一起用于解释而非限制本专利技术的原理。附图说明图1是按照本专利技术一方面，在器件的至少一部分上形成磷酸锡LLT防渗透层的示 例方法的示意图。图2是按照本专利技术另一方面，其上形成有磷酸锡LLT防渗透层的示例器件的示意图。图3示出按照本专利技术的一方面，使用钨舟时，对焦磷酸锡LLT起始物质可达到的稳定的高沉积速率。专利技术详述通过参照下面的详细描述、实施例、权利要求书以及上文和下文的描述，便 可以更容易地理解本专利技术。然而，在揭示和描述本专利技术的器件和/或方法之前，应 该理解除非特别说明，否则本专利技术并不限于所揭示的这些具体的器件和/或方法，因此当然可以改变这些所揭示的内容。还应该理解，本文所使用的术语只是为了 描述特定的方面，并不规定为限制。所揭示的是一些可用于所揭示的方法和组合物、可与所揭示的方法和组合物 一起使用、可用于制备所揭示的方法和组合物的材料、化合物、组合物以及组分， 或者是所揭示的方法和组合物的产品。这些和其它材料在本文中得以揭示，并且 应该理解，当这些材料的组合、子集、相互作用、分组等都得到揭示时，尽管可能没有明确揭示各种单独和集合组合的具体参照以及这些化合物的变换，但是在 本文中对各种情况都进行过具体预期和描述。因此，如果揭示了一类组分A、 B和C以及一类组分D、 E和F，并且揭示了组合分子的一个例子A-D，则即使并没有 单独提及各种情况，也对这些各种情况进行了单独和集合的预期。因此，在本示 例中，各种组合A-E、 A-F、 B-D、 B-E、 B-F、 C-D、 C-E和C-F均被具体预期过， 并且应该被视为可以从A、 B和C; D、 E和F;和示例组合A-D的揭示中得出。 同样，这些的任何子集或组合也被具体预期和揭示过。因此，例如，子组A-E、； B-F和C-E被具体预期过，并且应该被视为可以从A、 B和C; D、 E和F;和示 例组合A-D的揭示中得出。这种概念应用于本揭示内容的所有方面，包括但不限 于制造和使用所揭示的组合物的方法中的步骤。因此，如果有各种附加的可实施 的步骤，则应该理解，这些附加步骤中的每一步可以用所揭示方法的任何特定实 施方式或实施方式组合来实施，每一种这样的组合都具体预期过并且应该被视为 揭示过。下面对本专利技术的描述作为以其目前已知的实施方式对本专利技术的阐释。为此，本领 域的技术人员会认可和赞同可以对在此所述的本专利技术的各方面进行许多变动，而仍然 可以获得本专利技术的有益结果。本专利技术的某些要求的益处可以通过选择本专利技术的某些特 征而不采用其它特征来获得，这点也会是显而易见的。因此，从事本领域的人员会认 同对本专利技术的许多修改和改变是可能的，在某些情况甚至是需要的，并且是本专利技术的一部分。因此，下面的描述是对本专利技术原理的说明，而不构成对其的限制。在本说明书和随后的权利要求书中，将提到许多术语，这些术语应该定义成具有下列含义本文所用的单数形式一个、一种、该(这)包括多个对象，除非上下 文明确指出有其他含义。因此，例如，低液相线温度的无机材料，包括具有两种 或多种这种材料的方面，除非上下文明确指出有其他含义。任选或任选地是指接下来描述的事件或情况可发生或可不发生，并且该 描述包括发生该事件或情况的情形和不发生的情形。例如，短语任选替代的组分 是指该组分可被替换或可不被替换并且该描述包括不替换的组分和替换的组分。在本文中，范围可以表示为从大约 一个特定值和/或到大约另一个特定值。 当表示这样的范围时，另一个方面包括从一个特定值和/或到另一特定值。类似地，当 用前缀大约将数值表示为近似值时，将理解该特定值构成另一方面。将进一步理 解，各范围的端点在与另一端点有关和与另一端点无关的情况下都是重要的。除非另有说明，否则本文所用的组分的Wt.%或重量百分比是指该组分的 重量与包括该组分的组合物总重量的比率，按百分比来表示。除非另有说明，否则本文所用的术语低液相线温度的无机材料、低液相线 温度的材料和LLT材料指其熔点(L)或玻璃化转变温度(T》低于约l，OO(TC的材 料。本文所用起始材料指可以蒸发和沉积在器件上的材料。 本文所用沉积的材料指已经沉积在器件或设备上的材料。 本文所用防渗透层指气密式涂层，在此特指沉积的磷酸锡LLT材料，该材料 己在能有效形成气密式密封的温度下进行了热处理。如上面简短引出的，本专利技术提供一种在器件或设备上形成磷酸锡LLT防渗透层的 改进的方法。在下面详细描述的其它方面中，本专利技术方法包括将磷酸锡LLT起始材料 沉积在器件或设备的至少一部分上，形成沉积的LLT材料，并对沉积的磷酸锡LLT材 料进行热处理，以消除缺陷和/或孔，形成磷酸锡LLT防渗透层。磷酸锡LLT材料可以通过例如热蒸发、共蒸发、激光烧蚀、闪蒸、气相沉积、电 子束辐射，或它们的组合，沉积在器件上。磷酸锡LLT材料中的缺陷和/或孔可以通过 固结或热处理步骤除去，在器件上面产生无孔或基本无孔的不透氧和湿气的保护涂层。 虽然许多沉积方法都可以用于普通玻璃(即，具有高熔点的那些材料)，但是固结步骤 只能在磷酸锡LLT材料上实施，固结温度足本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止器件被氧气和湿气渗透的方法，该方法包括以下步骤：在该器件的至少一部分上沉积磷酸锡低液相线温度无机材料，形成沉积的低液相线温度无机材料；在基本上不含氧气和湿气的环境中对沉积的低液相线温度无机材料进行热处理，形成气密式密封；其中，沉积低液相线温度无机材料的步骤包括使用含钨的电阻型加热元件。

【技术特征摘要】
US 2006-8-24 11/509,4451.一种防止器件被氧气和湿气渗透的方法，该方法包括以下步骤在该器件的至少一部分上沉积磷酸锡低液相线温度无机材料，形成沉积的低液相线温度无机材料；在基本上不含氧气和湿气的环境中对沉积的低液相线温度无机材料进行热处理，形成气密式密封；其中，沉积低液相线温度无机材料的步骤包括使用含钨的电阻型加热元件。2. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，磷酸锡材料包括偏磷酸锡、原磷 酸氢锡、原磷酸二氢锡、焦磷酸锡，或它们的混合物。3. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，磷酸锡低液相线温度无机材料还 包含锡氧化物。4. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，磷酸锡低液相线温度无机材料包 含约60-80摩尔％ Sn0。5. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，磷酸锡低液相线温度无机材料基本不含氟。6. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，磷酸锡低液相线温度无机材料还包含铌化合物。7. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，器件包括以下的至少一种 有机电子器件；薄膜传感器； 光电子器件； 光生伏打器件； 食品容器；或 医用容器。8. 如权利要求1所述的方法制造的器件。9. 一种有机电子器件，该器件包括 基板；至少一层有机电子层或光电子层；和磷酸锡低液相线温度防渗透层，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：BG艾特肯，CP安，BZ汉森，MA奎萨达，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]