含咔唑单元的有机半导体材料及合成制造技术

含咔唑单元的有机半导体材料及其合成为一种含咔唑单元的有机半导体材料及其制备方法，并将该类材料应用于有机平板显示、有机光伏电池、有机光存储、有机场效应管、化学与生物传感和有机激光等有机电子领域，该材料是在咔唑单元１，８位引入取代基的化合物材料，具有如（Ａ）结构：该材料具有：（１）合成方便易得并能灵活修饰；（２）能够有效地实现调制材料的光电性质；和（３）高热稳定性和玻璃化温度等优点。可以预期，该类材料将成为有商业化潜力的光电功能材料。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种含咔唑单元的有机半导体材料，其特征在于该材料是在咔唑单元１，８位引入取代基的化合物材料，具有如下结构：　　　　＊＊＊　　化合物材料Ⅰ　　　　式中：Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］为氢或具有１至２２个碳原子的直链、支链或者环状烷基链；或者为具有２至４０个碳原子的烯基、炔基、芳基，其中一个或多个碳原子可以被杂原子Ｓｉ、Ｓｅ、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｓ（Ｏ）↓［２］所取代，一个或多个碳原子上的氢可被氟或氰基取代；　　　　Ｒ↓［４］、Ｒ↓［５］、Ｒ↓［６］、Ｒ↓［７］出现时相同或者不同，并为氢或具有１至２２个碳原子的直链、支链或者环状烷基链，其中一个或者多个不相邻的碳原子可被Ｎ－Ｒ↓［１９］、Ｏ、Ｓ、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－、－ＣＯ－ＮＲ↓［１９］－、－ＮＲ↓［１９］－ＣＯ－ＮＲ↓［１９］－、－Ｏ－ＣＯ－Ｓ－、－ＮＲ↓［１９］－ＣＯ－Ｏ－、－ＣＳ－Ｏ－、－ＣＳ－ＮＲ↓［１９］－、－Ｏ－ＣＳ－Ｏ－、－ＮＲ↓［１９］－ＣＳ－ＮＲ↓［２０］－、－Ｏ－ＣＳ－Ｓ－、－ＮＲ↓［１９］－ＣＳ－Ｏ－、－ＣＳ－Ｓ－、－ＳｉＲ↓［１９］Ｒ↓［２０］－置换，或者其中一个或者多个氢原子被氟或氰基取代；　　　　Ｒ↓［１９］、Ｒ↓［２０］出现时相同或者不同，并为氢或具有１至２２个碳原子的直链、支链或者环状烷基链以及烷氧基链；　　　　Ａｒ↓［１］、Ａｒ↓［２］出现时相同或者不同，并为可形成单化学键的基团，包括氢、卤素、氰基以及共轭基团；其中共轭基团结构单元，具有２至４０个碳原子的烯基、炔基、芳基，其中一个或多个碳原子可以被杂原子Ｓｉ、Ｓｅ、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｓ（Ｏ）↓［２］所取代，一个或多个碳原子上的氢可被氟或氰基取代；具体如下列结构中的一种：　　　　＊＊＊　　　　其中，式中的符号具有下述含义：　　　　一＊为结构单元之间Ａｒ↓［１］、Ａｒ↓［２］与咔唑连接的位置区域；大于一个的一＊代表可以任意选择其中的一个一＊作为其之间的连接；　　　　Ｄ↓［１］、Ｄ↓［２］、Ｄ↓［３］出现时相同或者不同，并为ＣＲ↓［１９］Ｒ↓［２０］、ＮＲ↓［１９］、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓｅ－、－Ｓ（Ｏ）↓［２］－或－ＳｉＲ↓［１９］Ｒ↓［２０］－；　　　　Ｅ↓［１］、Ｅ↓［２］、Ｅ↓［３］、Ｅ↓［４］、Ｅ↓［５］、Ｅ↓［６］出现时相同或者不同，并为ＣＲ↓［１９］、Ｎ、ＳｉＲ↓［１９］；　　　　ｅ、ｆ、ｇ出现时相同或者不同，并独立为０、１、２、３、４、５、６、７、８、９、或１０；...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄维，解令海，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：84[]