一种配体修饰CsPbBr3量子点材料的制备方法技术

技术编号:31759132 阅读:34 留言:0更新日期:2022-01-05 16:42
本发明专利技术涉及一种配体修饰CsPbBr3量子点材料的制备方法,属于量子点材料技术领域。本发明专利技术的配体修饰CsPbBr3量子点材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:将反应液采用离子热法进行合成反应;所述反应液主要由Cs源、Pb源、配体和溶剂组成;所述溶剂为离子液体。本发明专利技术的配体修饰CsPbBr3量子点材料的制备方法,以反应设备简单、反应过程安全易控制的离子热合成法来制备钙钛矿材料,克服了传统高温热注法、阴离子交换法、气相沉积法等存在的制备过程繁琐、反应条件苛刻和不易规模化制备的缺点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种配体修饰CsPbBr3量子点材料的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种配体修饰CsPbBr3量子点材料的制备方法,属于量子点材料


技术介绍

[0002]以CsPbBr3为代表的全无机卤铅钙钛矿由于具有长的载流子寿命、低的陷阱密度、长的电子

空穴扩散距离、大的吸收系数和可调节的带隙结构等优异的光学特性而在太阳能电池、发光二极管、光电探测、光催化和生物传感检测等领域引起了人们的广泛关注。
[0003]全无机钙钛矿的制备方法主要有热注入法、过饱和析晶法、微波辅助法、阴离子交换法和化学气相沉积法等。但是现阶段这些制备技术仍存在诸多不足。如热注入法制备过程冗杂且可能存在反应物分布不均问题;微波辅助、过饱和析晶技术、阴离子交换法不能满足规模化生产需求;化学气相沉积法对设备精密性要求较高,生产成本昂贵。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种配体修饰CsPbBr3量子点材料的制备方法,具有工艺简单、可规模化生产和成本低的优点。
[0005]为了实现以上目的,本专利技术所采用的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种配体修饰CsPbBr3量子点材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:将反应液采用离子热法进行合成反应;所述反应液主要由Cs源、Pb源、配体和溶剂组成;所述溶剂为离子液体;所述配体选自具有如式I所示结构的化合物中的任意一种或两种以上:式I中,R1为C1

C8亚烷基,R2为羧基或磺酸基。2.根据权利要求1所述的配体修饰CsPbBr3量子点材料的制备方法,其特征在于:所述配体为1

丁基磺酸
‑3‑
甲基咪唑溴盐。3.根据权利要求1所述配体修饰CsPbBr3量子点材料的制备方法,其特征在于:所述离子液体为1

丁基
‑3‑
甲基咪唑溴盐。4.根据权利要求1所述的配体修饰CsPbBr3量子点材料的制备方法,其特征在于:所述Cs源选自Cs2CO3、Cs(OOCCH3)中的一种或任意组合;所述Pb源选自Pb(OOCCH3)2、Pb(acac)2中的一种或任意组合。5.根据权利要求1所述的配体修饰CsPbBr3量子点材料的制备方法,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢伟伟汤红妍罗洁李国芝姚开胜
申请(专利权)人:河南科技大学
类型:发明
国别省市:

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