有机半导体材料薄膜的形成方法和有机薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种在基板上形成迁移率提高的有机半导体材料膜的方法，以及由此呈现高性能的有机薄膜晶体管的制造方法。该有机薄膜晶体管的制造方法是在基板表面上涂布含有有机半导体材料的液体，形成半导体材料薄膜的有机半导体材料膜的形成方法，上述基板表面的表面自由能由γ↓［Ｓ］＝γ↓［Ｓ］↑［ｄ］＋γ↓［Ｓ］↑［ｐ］＋γ↓［Ｓ］↑［ｈ］以及上述液体中溶剂的表面自由能由γ↓［Ｌ］＝γ↓［Ｌ］↑［ｄ］＋γ↓［Ｌ］↑［ｐ］＋γ↓［Ｌ］↑［ｈ］（这里，γ↓［Ｓ］↑［ｄ］、γ↓［Ｓ］↑［ｐ］、γ↓［Ｓ］↑［ｈ］和γ↓［Ｌ］↑［ｄ］、γ↓［Ｌ］↑［ｐ］、γ↓［Ｌ］↑［ｈ］分别表示基于Ｙｏｕｎｇ－Ｆｏｗｋｅｓ式的固体表面和液体表面的自由能的非极性、极性分量、或氢键分量。）表示时，γ↓［Ｓ］↑［ｈ］－γ↓［Ｌ］↑［ｈ］的值在－５ｍＮ／ｍ～２０ｍＮ／ｍ的范围，且上述基板表面的表面自由能的氢键分量γ↓［Ｓ］↑［ｈ］满足０＜γ↓［Ｓ］↑［ｈ］＜２０（ｍＮ／ｍ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在基板上形成有机半导体材料薄膜的方法和使用该有机半导体材料薄膜的形成方法的有机薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
近年来，正在对使用有机半导体作为半导体沟道的有机薄膜晶体管进行各种研究。有机半导体与无机半导体相比加工容易，和塑料支持体的亲合性高，作为薄层器件具有魅力。 作为有机半导体薄膜的形成方法，代表性的有通过蒸镀的方法，但根据材料特性正在使用各种方法。其中有机半导体材料的特征是通过涂布或喷墨等在基板上使用溶液、液体的常压工艺(湿法工艺)，比蒸镀等更容易获得薄膜。 特别的，正在较多地尝试获得与硅片具有同等大的载体迁移率的有机半导体薄膜。 例如，在专利文献1中，尝试着通过溶液叠层获得有机半导体薄膜，其中正在尝试通过取向膜强化有机半导体聚合物排列。 并且，在专利文献2中，公开了作为有机半导体材料溶剂使用液晶性材料，通过在取向处理的面上涂布有机半导体材料，形成具有规定分子取向的有机半导体层的方法。 并且，在非专利文献1中，使用迁移率大的噻吩聚合物溶液进行涂布，干燥溶剂，形成载体迁移率大的有机半导体薄膜或有机半导体层。 并且，也有关注适用溶液的基板的表面能和形成的有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机半导体材料薄膜的形成方法，该方法包括：在基板表面上涂布含有有机半导体材料的液体来形成半导体材料薄膜，其中，上述基板表面的表面自由能用γ↓［Ｓ］＝γ↓［Ｓ］↑［ｄ］＋γ↓［Ｓ］↑［ｐ］＋γ↓［Ｓ］↑［ｈ］表示时（式中，γ↓［Ｓ ］↑［ｄ］、γ↓［Ｓ］↑［ｐ］、γ↓［Ｓ］↑［ｈ］分别表示基于Ｙｏｕｎｇ－Ｆｏｗｋｅｓ式的固体表面的表面自由能的非极性分量、极性分量、氢键分量），并且上述液体中的溶剂的表面自由能用γ↓［Ｌ］＝γ↓［Ｌ］↑［ｄ］＋γ↓［Ｌ］↑［ｐ］＋γ↓［Ｌ］↑［ｈ］表示时（式中，γ↓［Ｌ］↑［ｄ］、γ↓［Ｌ］↑［ｐ］、γ↓［Ｌ］↑［ｈ］分别表示基于Ｙｏｕｎｇ－Ｆｏｗ...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-6-21 180568/20051.一种有机半导体材料薄膜的形成方法，该方法包括在基板表面上涂布含有有机半导体材料的液体来形成半导体材料薄膜，其中，上述基板表面的表面自由能用γS＝γSd+γSp+γSh表示时(式中，γSd、γSp、γSh分别表示基于Young-Fowkes式的固体表面的表面自由能的非极性分量、极性分量、氢键分量)，并且上述液体中的溶剂的表面自由能用γL＝γLd+γLp+γLh表示时(式中，γLd、γLp、γLh分别表示基于Young-Fowkes式的液体的表面自由能的非极性分量、极性分量、以及氢键分量)，γSh-γLh的值为-5mN/m～20mN/m的范围，且上述基板表面的表面自由能的氢键分量γSh满足0＜γSh＜20(mN/m)。2.权利要求1记载的有机半导体材料薄膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：小渕礼子，竹村千代子，平井桂，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达控股株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]