【技术实现步骤摘要】
一种薄膜检测方法、装置、终端设备及存储介质
[0001]本申请属于薄膜检测
,尤其涉及一种薄膜检测方法、装置、终端设备及存储介质。
技术介绍
[0002]随着半导体镀膜技术的发展,在同一基板上的镀膜层数逐渐增多,而膜层的薄膜厚度逐渐减薄,现有产品承受外力冲击的耐受度一般受限于产品本身的薄膜强度。而现有的针对薄膜强度的检测方法一般主要为铅笔硬度测试、百格测试等,而利用该测试手段对薄膜强度进行测试的检测效率较低。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供了一种薄膜检测方法、装置、终端设备及存储介质,可以解决薄膜强度的检测效率较低的问题。
[0004]第一方面,本申请实施例提供了一种薄膜检测方法,包括:
[0005]以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试;
[0006]确定上述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线;上述薄膜磨损曲线为上述薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线;
[0007]根据上述薄膜磨损曲线确定上述待测样品的薄膜强度。
[0008]第 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜检测方法,其特征在于,包括:以预设测试负载对待测样品的薄膜预设区域进行摩擦测试;确定所述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线;所述薄膜磨损曲线为所述薄膜预设区域内的各个位置与磨损深度之间的对应关系曲线;根据所述薄膜磨损曲线确定所述待测样品的薄膜强度。2.如权利要求1所述的薄膜检测方法,其特征在于,所述确定所述薄膜预设区域的薄膜磨损曲线,包括:对施以预设测量负载的薄膜预设区域进行测量,确定所述薄膜预设区域内的各个位置的凹陷深度;对施以预设测量负载的薄膜目标区域进行测量,确定所述薄膜目标区域的凹陷深度;将所述各个位置的凹陷深度和所述薄膜目标区域的凹陷深度之间的差值确定为所述磨损深度;根据所述各个位置分别对应的磨损深度确定所述薄膜磨损曲线。3.如权利要求1所述的薄膜检测方法,其特征在于,所述根据所述薄膜磨损曲线确定所述待测样品的薄膜强度,包括:确定所述薄膜磨损曲线的离散程度;若所述离散程度大于等于第一预设阈值,则更正所述薄膜磨损曲线;若更正后的薄膜磨损曲线的离散程度小于所述第一预设阈值,则根据所述更正后的薄膜磨损曲线确定所述待测样品的薄膜强度。4.如权利要求3所述的薄膜检测方法,其特征在于,所述确定所述薄膜磨损曲线的离散程度,包括:计算所述薄膜磨损曲线的标准差和平均值;将所述标准差和所述平均值的比值确定为所述离散程度。5.如权利要求3所述的薄膜检测方法,其特征在于,所述更正所述薄膜磨损曲线,包括:计算所述薄膜磨损曲线的平均值;若所述平均值大于等于第二预设阈值,则将所述预设测试负载调低预设值;以调低...
【专利技术属性】
技术研发人员:应小维,曹生轩,朱晓宇,魏东,袁海江,
申请(专利权)人:惠科股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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