用于有机图像传感器的活性材料制造技术

本公开涉及用于有机图像传感器的活性材料。本公开涉及透明N材料和/或涉及透明P材料以及它们在吸收层、光电转换层和/或有机图像传感器中的用途，以及它们的合成方法。本公开还涉及包括根据本公开的活性材料的光电转换层，涉及包括根据本公开的活性材料或根据本公开的光电转换层的器件。此外，本公开涉及有机图像传感器，包括根据本公开的光电转换层。包括根据本公开的光电转换层。包括根据本公开的光电转换层。

【技术实现步骤摘要】
用于有机图像传感器的活性材料
[0001]本申请是申请日为2016年3月31日的题为“用于在有机光电二极管 中的有机光电转换层的N和P活性材料”的中国专利申请No. 201680017925.4的分案申请。


[0002]本披露的领域在于用于有机图像传感器的活性物质。
[0003]本公开涉及透明N材料和/或涉及透明P材料以及它们在吸收层、光 电转换层和/或有机图像传感器中的应用，以及它们的合成方法。
[0004]本公开还涉及光电转换层，其包括根据本公开的活性物质，涉及器件， 其包括根据本公开的活性物质或根据本公开的光电转换层。
[0005]此外，本公开涉及有机图像传感器，其包括根据本公开的光电转换层。

技术介绍

[0006]本文提供的“背景”描述是为了一般呈现本披露的上下文的目的。目前 指定的专利技术人的工作，在该背景部分中描述的程度上，以及在提交时可能 没有其他资格作为现有技术的描述的方面，既不明确也不隐含地被承认为 现有技术(针对本公开)。
[0007]图像传感器，其是用于将光学图像转换成电信号的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机图像传感器，包含：基板；第一电极；第二电极；以及所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换单元；其中所述有机光电转换单元包含以下通式IIIa的基于萘二酰亚胺的材料：其中R在每次出现时独立地选自由以下组成的组：
‑
C
x
H
2x+1
、
‑
C
x
X
2x+1
、
‑
C
x
H2X
2x
‑1、、x是1至10的整数，X是卤素，Y选自由CH2、S、O、Se和N
‑
R2组成的组，R2在每次出现时独立地选自由H、直链或支链烷基、环烷基、卤代烷基、卤素原子、烷基或芳基硫烷基、烷基或芳基胺、芳基、卤代烷基、杂芳基和芴基组成的组。2.根据权利要求1所述的有机图像传感器，其中在P:N异质结或者P:N双层或多层结中，所述基于萘二酰亚胺的材料通过HOMO解离过程解离在彩色N或彩色N材料的混合物(N1:N2)或另一种彩色P或彩色P和N材料的混合物(P2:N或P2:N1:N2)上产生的激子，其中透明是指在可见光波长范围内在从约400nm至约700nm的区域中小于约60,000cm
‑1的吸收系数，或者在甲苯中小于约60,000M
‑1cm

【专利技术属性】
技术研发人员：西尔维娅，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：