【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超导薄膜的处理方法及装置,具体来说是超导薄膜布图布线方法及装置。技术背景2001年1月10日,日本青山学院秋光纯教授的研究小组发现了金属间化合物二硼化镁( MgB2)具有超导电性,超导转变温度高达39K, MgB2优异的超导特性使得人们不断去开拓这 种材料的制备方法和应用领域。制备超导薄膜的方法很多,如激光沉积、溅射、分子束外延、化学气相沉积(CVD)等, 特别是化学气相沉积方法原理简单,和传统微电子工艺兼容,制备的薄膜特性较好。贵州大 学傅兴华研究小组用化学气相沉积加异位退火的两步制备方法和混合物理化学气相沉积( HPCVD) —步法制备了单层和多层的大面积MgB2超导薄膜,薄膜分布均匀,面积达65mmX 50mm,电流密度达到3Xl()7A/cm2。此种超导薄膜虽然特性较好,但是目前实际应用并不多 ,且也没有成熟的技术将其应用于工业化生产。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是,提供一种在二硼化镁超导薄膜上制备出各种图形和连线 的方法及装置,可与微电子制造工艺中的光刻技术完全兼容,不会增加生产设备和成本,工 艺原理简单,容易操作,成本低廉。为了解决上述问题本专利技术提供了一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法,它包括以下步骤(1) 先在氧化铝多晶或者单晶衬底上制备二硼化镁超导薄膜,再用稀盐酸溶液处理薄 膜的表面,将薄膜的表面处理干净;(2) 选择非光敏性聚酰亚胺(Polyimide)薄膜(PI膜)作为屏蔽膜,在二硼化镁超导 薄膜上布图布线,其制作流程如下a. 在二硼化镁超导薄膜表面涂覆一层均匀的PI膜,然后在13(TC 15(TC的温 ...
【技术保护点】
一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法,它包括以下步骤: (1)先在氧化铝晶体衬底上制备二硼化镁超导薄膜,再用稀盐酸溶液处理薄膜的表面; (2)选择PI膜作为屏蔽膜,在二硼化镁超导薄膜上布图布线,其制作流程如下: a.在二硼化镁超导薄膜表面涂覆一层均匀的PI膜,然后在130℃~150℃的温度下预固化30min~60min,再在PI膜表面涂覆一层均匀光刻胶膜; b.利用常规的光刻技术将设计好的图形转移到光刻胶膜上,然后在乙二胺和水合肼的混合液中将没有被光刻胶膜屏蔽的PI膜腐蚀掉,再用光刻胶去膜剂去掉光刻胶膜,从而将设计好的图形转移到PI膜上; c.将PI膜放入固化热处理装置中进行固化热处理,处理温度为室温~400℃,处理时间为450min~500min,使PI膜脱水转化成高质量的聚酰亚胺膜; d.将上述的固化好的样品放入浓氢氟酸和浓硝酸的混合溶液中,在一定温度下将没有被PI膜屏蔽的二硼化镁薄膜腐蚀掉,再用乙二胺和水合肼的混合液去掉PI膜,从而实现设计好的图形转移到二硼化镁超导薄膜上。
【技术特征摘要】
1. 一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法,它包括以下步骤(1)先在氧化铝晶体衬底上制备二硼化镁超导薄膜,再用稀盐酸溶液处理薄膜的表面;(2)选择PI膜作为屏蔽膜,在二硼化镁超导薄膜上布图布线,其制作流程如下a.在二硼化镁超导薄膜表面涂覆一层均匀的PI膜,然后在130℃~150℃的温度下预固化30min~60min,再在PI膜表面涂覆一层均匀光刻胶膜;b.利用常规的光刻技术将设计好的图形转移到光刻胶膜上,然后在乙二胺和水合肼的混合液中将没有被光刻胶膜屏蔽的PI膜腐蚀掉,再用光刻胶去膜剂去掉光刻胶膜,从而将设计好的图形转移到PI膜上;c.将PI膜放入固化热处理装置中进行固化热处理,处理温度为室温~400℃,处理时间为450min~500min,使PI膜脱水转化成高质量的聚酰亚胺膜;d.将上述的固化好的样品放入浓氢氟酸和浓硝酸的混合溶液中,在一定温度下将没有被PI膜屏蔽的二硼化镁薄膜腐蚀掉,再用乙二胺和水合肼的混合液去掉PI膜,从而实现设计好的图形转移到二硼化镁超导薄膜上。2、 根据权利要求l所述的一种二硼化镁超导薄膜布图布线方法,其特 征在于二硼化镁超导薄膜上层的PI膜的厚度为5 y m 25 ...
【专利技术属性】
技术研发人员:傅兴华,杨发顺,周章渝,
申请(专利权)人:贵州大学,
类型:发明
国别省市:52[中国|贵州]
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