一种提高大功率LED芯片出光效率的方法技术

一种提高大功率ＬＥＤ芯片出光效率的方法，是在蓝宝石衬底上连接中间含有源层的ＧａＮ晶体，再在ＧａＮ晶体的表面和侧面镀上对输出波长增透的增透膜。增透膜所对应的增透波长应与芯片有源层所发出的光的波长一致，而且增透膜需有３－５纳米的带宽，以防芯片温度升高所引起的波长失配。本发明专利技术方法可以使从芯片有源层发出的光透过ＧａＮ晶体入射到ＧａＮ晶体与增透膜的界面上，以９５％以上的透过率穿过该界面而穿透出来，减少表面的反射，提高ＬＥＤ芯片的外量子效率；同时减少被ＧａＮ表面反射回去的光，提高内量子效率；具有较高的使用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及大功率LED芯片的制造技术，具体涉及一种提高大功率LED芯片出光效率的方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的不断进步和新型材料的开发及应用，GaN基蓝色发光二极管技术 趋于成熟，使得采用蓝光LED芯片加黄色荧光粉的白光LED固体光源的性能不断完善并进入 实用阶段，目前白光LED的发光效率已做到501m/W，与传统的白炽灯的光效101m/W相比， 大功率白光LED的发光效率是其5倍，但与荧光灯901m/W的光效相比，还有一定差距，这 主要是蓝光LED芯片取光效率不高的原因。大功率LED的发光效率包括内量子效率和外量子 效率，内量子效率为有源层中电子与空穴复合时的发光效率，外量子效率为发光层所发出的 光从芯片表面出射的效率。目前大功率LED的内量子效率已经很高，达到90%以上，但由于 GaN这种材料本身的的折射率比较高，有源层所发出的光在芯片的表面有不少被该表面反射 和全反射，因此外量子效率比较低，而且被反射回来的光穿越有源层后又会被吸收并产生热， 这样影响了芯片的发光效率和整体性能的提高。在先技术中，为了提高大功率LED的外量子 效率，采用在GaN表面通过激光表面粗化及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高大功率ＬＥＤ芯片出光效率的方法，ＬＥＤ芯片包括：蓝宝石衬底（１）、ＧａＮ晶体（２）、有源层（３），ＬＥＤ芯片的结构是：在蓝宝石衬底（１）上连接中间含有源层（３）的ＧａＮ晶体（２），其特征在于：在ＧａＮ晶体（２）的表面和侧面上连接有对输出波长增透的增透膜（４）。

【技术特征摘要】
1. 一种提高大功率LED芯片出光效率的方法，LED芯片包括蓝宝石衬底(1)、GaN晶体(2)、有源层(3)，LED芯片的结构是在蓝宝石衬底(1)上连接中间含有源层(3)的GaN晶体(2)，其特征在于在GaN晶体(2)的表面和侧面上连接有对输出波...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴中林，徐华斌，陈林，刘传先，
申请(专利权)人：上海第二工业大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]