用于制造半导体器件的方法和薄膜半导体器件技术

本发明专利技术涉及一种用于制造半导体器件的方法，其中在生长衬底（１）上构建包含半导体材料的层复合结构（６），将柔性的支承体层（２）施加到所述层复合结构（６）上，将柔性的层硬化为自支承的支承体层（２），以及将生长衬底（１）剥离。替代地，支承体层（２）可以具有基本层（２ｂ）和粘附在层复合结构上的粘附层（２ａ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造半导体器件的方法和薄膜半导体器件本专利技术涉及一种用于制造半导体器件的方法和一种薄膜半导体器件。本专利技术的任务是，提出一种简化的用于制造半导体器件的方法。此外， 本专利技术的任务是，提出一种薄膜半导体器件，该器件容易处理并且机械稳 定。该任务通过根据权利要求1和2的方法以及根据权利要求25和26 的薄膜半导体器件来解决。所述方法和薄膜半导体器件的有利的改进方案 在从属权利要求中说明。根据本专利技术的用于制造半导体器件的方法的第一变形方案包括以下 步骤-在生长衬底上构建包含半导体材料的层复合结构，-将柔性的支承体层施加到所述层复合结构上，-将所述柔性的支承体层硬化为自支承的支承体层，-将生长衬底剥离。于是，在层复合结构的背离生长衬底的侧施加了柔性的支承体层，该 支承体层在硬化之后作为自支承的、优选为刚性的支承体层附着在层复合 结构上。根据本专利技术的用于制造半导体器件的方法的第二变形方案包括以下 步骤-在生长衬底上构建包含半导体材料的层复合结构，-将自支承的支承体层施加到所述层复合结构上，其中支承体层具有基本 层和朝着层复合结构的粘附层，该粘附层粘附在层复合结构上，-将生长衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件（８）的方法，具有以下步骤：－在生长衬底（１）上构建包含半导体材料的层复合结构（６），－将柔性的支承体层（２）施加到所述层复合结构（６）上，－将柔性的层硬化为自支承的支承体层（２），－将生长衬底（１）剥离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2005-8-5 102005037023.3;DE 2005-11-21 1020050551.一种用于制造半导体器件(8)的方法，具有以下步骤-在生长衬底(1)上构建包含半导体材料的层复合结构(6)，-将柔性的支承体层(2)施加到所述层复合结构(6)上，-将柔性的层硬化为自支承的支承体层(2)，-将生长衬底(1)剥离。2. —种用于制造半导体器件(8)的方法，具有以下步骤-在生长衬底(1)上构建包含半导体材料的层复合结构(6)，-将自支承的支承体层(2 )施加到所述层复合结构(6 )上，其中支 承体层(2)具有基本层(2b)和朝着层复合结构(6)的粘附层(2a)， 该粘附层粘附在层复合结构(6)上，-将生长衬底(1)剥离。3. 根据权利要求2所述的方法，其中粘附层(2a)由热熔粘合剂形成。4. 根据权利要求2或3所述的方法，其中基本层(2b )由塑料材料 形成。5. 根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中支承体层(2)是 薄片。6. 根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中支承体层(2)是 透明的。7. 根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中半导体器件(8) 是薄膜半导体器件。8. 根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中层复合结构(6) 具有有源的层序列(4)，用于产生电磁辐射。9. 根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中层复合结构(6) 结构化为单个的层堆叠(60)。10. 根据权利要求1或者根据引用权利要求1的各权利要求之一所述 的方法，其中支承体层(2)包含塑料材料。11. 根据权利要求10所述的方法，其中塑料材料包含环氧树脂、聚对苯二甲酸乙二酯和/或聚合物。12. 根据权利要求10或11所述的方法，其中塑料材料具有在150C 范围中的硬化温度。13. 根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中支承体层(2) 具有小于或等于100pm的厚度。14. 根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中支承体层(2) 包含导热的材料。15. 根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中支承体层(2) 包含电绝缘的材料。16. 根据权利要求2或者根据引用权利要求2的权利要求所述的方法， 其中支承体层(2)具有至少一个电印制导线(10a)。17. 根据权利要求1至14中的任一项所述的方法，其中支承体层(2) 具有导电的材料。18. 根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中层复合结构(6) 在朝着支承体层(2)的侧具有第一接触金属化物(50)。19. 根据权利要求18所述的方法，其中接触金属化物(50)将有源 层序列(4)所产生的辐射至少部分地反射。20. 根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中生长衬底(l) 借助激光剥离方法被剥离。21. 根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中在剥离生长衬底 (1)之后层复合结构(6)设置有第二接触金属化物(3)。22. 根据权利要求21所述的方法，其中将柔性的覆盖层(11)施加 到第二接触金属化物(3)上。23. 根据权利要求22所述的方法，其中柔性的覆盖层(11)被部分 地或者完全地硬化。24. 根据权利要求22或23所述的方法，其中覆盖层(11...

【专利技术属性】
技术研发人员：西格弗里德赫尔曼，贝特霍尔德哈恩，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]