黑矩阵结构及其制造方法、显示基板、显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种黑矩阵结构及其制造方法、显示基板、显示装置，属于显示技术领域。该黑矩阵结构包括：交叉的多个黑矩阵条，该黑矩阵条的宽度的范围为2微米～2.5微米，该多个黑矩阵条中相邻的两个黑矩阵条之间的距离的范围为4微米～5微米。本申请提供的黑矩阵结构中黑矩阵条的宽度较小，能够适用于分辨率要求较高的显示装置。显示装置。显示装置。

【技术实现步骤摘要】
黑矩阵结构及其制造方法、显示基板、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种黑矩阵结构及其制造方法、显示基板、显示装置。

技术介绍

[0002]显示装置中的彩膜基板通常包括衬底基板，位于衬底基板上的由交叉的多个黑矩阵(Black Matrix，BM)条构成的BM结构，以及位于BM结构的开口区域中的滤光结构。BM条用于遮挡光线，避免通过不同滤光结构的光线相互干扰。
[0003]在目前BM结构中，BM条的宽度较大，例如业界BM条的宽度最小为2.5微米，这导致目前BM结构难以适用于诸如虚拟现实(Virtual Reality，VR)设备等分辨率要求较高的显示装置。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种黑矩阵结构及其制造方法、显示基板、显示装置，能够适用于诸如VR设备等分辨率要求较高的显示装置。本申请的技术方案如下：
[0005]第一方面，提供一种黑矩阵结构，包括：交叉的多个黑矩阵条；
[0006]所述黑矩阵条的宽度的范围为2微米～2.5微米，所述多个黑矩阵条中相邻的两个黑矩阵条之间的距离的范本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种黑矩阵结构，其特征在于，包括：交叉的多个黑矩阵条；所述黑矩阵条的宽度的范围为2微米～2.5微米，所述多个黑矩阵条中相邻的两个黑矩阵条之间的距离的范围为4微米～5微米。2.根据权利要求1所述的黑矩阵结构，其特征在于，所述黑矩阵条的坡度角的范围为80度～85度。3.根据权利要求2所述的黑矩阵结构，其特征在于，所述黑矩阵条的第一截面的形状为倒角等腰梯形，所述倒角等腰梯形的顶角为圆弧形倒角，所述倒角等腰梯形的顶角为所述倒角等腰梯形的上底与所述倒角等腰梯形的腰之间的夹角，所述第一截面与所述黑矩阵条的宽度方向平行且与所述黑矩阵条的长度方向垂直。4.根据权利要求3所述的黑矩阵结构，其特征在于，所述倒角等腰梯形的顶角的范围为95度～100度。5.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的如权利要求1至4任一所述的黑矩阵结构；以及，位于所述衬底基板上的彩色滤光层，所述彩色滤光层的滤光结构位于所述黑矩阵结构的开口区域中。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述彩色滤光层远离所述衬底基板的一侧的保护层；以及，位于所述保护层远离所述衬底基板的一侧的隔垫物层，所述隔垫物层包括主隔垫物和辅隔垫物，所述主隔垫物的高度大于所述辅隔垫物的高度。7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5或6所述的显示基板。8.一种如权利要求1至4任一所述的黑矩阵结构的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成初始黑矩阵结构，所述初始黑矩阵结构包括交叉的多个初始黑矩阵条，所述初始黑矩阵条包括与所述衬底基板接触的本体和位于远离所述衬底基板一侧的凸缘，所述凸缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈强，方业周，夏高飞，白夏红，
申请(专利权)人：鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：