一种BiOCl纳米片修饰N掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种BiOCl纳米片修饰N掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法，主要包括以下步骤：TiO2纳米管阵列的制备、N掺杂TiO2纳米管阵列的制备、N掺杂TiO2纳米管阵列表面负载BiOCl纳米片。具体为通过湿化浸渍法制备N掺杂TiO2纳米管阵列，然后通过光沉积辅助法在N掺杂TiO2纳米管阵列表面负载BiOCl纳米片。本发明专利技术通过采用光沉积辅助法，在N掺杂TiO2纳米管阵列基体表面成功负载了BiOCl纳米片，提高了样品对有机物的响应性能。品对有机物的响应性能。品对有机物的响应性能。

【技术实现步骤摘要】
一种BiOCl纳米片修饰N掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体材料在有机物响应领域的应用，具体涉及一种BiOCl纳米片修饰N掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法。

技术介绍

[0002]传统鉴定水环境污染的方法有重铬酸钾法及库伦滴定法，这些方法以重铬酸钾为氧化剂，不仅会产生二次污染，且灵敏度低，限制了其广泛应用。TiO2纳米阵列作为应用最广泛的光催化材料，因具备较好的活性、优异的化学稳定性、低成本及无毒无害等优点受到广泛的研究。TiO2纳米阵列可作为氧化剂对水体中的有机物含量进行检测。
[0003]TiO2纳米阵列因其禁带宽度大，电子空穴复合几率高在实际应用方面受到限制。针对这些问题，提出了不同的改性方法，如负载助催化剂，调控晶面，掺杂及有机物敏化等。通过掺杂能够提升TiO2纳米阵列的本征光响应能力，Liu等将TiO
2 NTAs和PVA及尿素一起在N2气氛中退火获得C/N共掺杂的TiO
2 NTAs，使吸收边红移至470nm附近。而通过在表面负载不同的助催化剂，可以增强TiO2纳米阵列具体的光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种BiOCl纳米片修饰N掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于：通过湿化浸渍法制备N掺杂TiO2纳米管阵列，然后通过光沉积辅助法在N掺杂TiO2纳米管阵列表面负载BiOCl纳米片。2.根据权利要求1所述的一种BiOCl纳米片修饰N掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：(1)TiO2纳米管阵列的制备采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列：分别使用丙酮、乙醇及去离子水对Ti箔进行超声清洗，在含一定量氟化铵及去离子水的乙二醇溶液中进行阳极氧化，阳极氧化后的样品经过超声清洗去除表面破碎纳米管，干燥后在空气中退火晶化，得到TiO2纳米管阵列；(2)N掺杂TiO2纳米管阵列的制备采用湿化浸渍法制备N掺杂TiO2纳米管阵列：将制备的TiO2纳米管阵列置入二乙烯三胺溶液中浸渍，在N2中退火后获得N掺杂的TiO2纳米管阵列；(3)N掺杂TiO2纳米管阵列表面负载BiOCl纳米片采用光沉积辅助法在N掺杂TiO2纳米管阵列表面负载BiOCl纳米片：将N掺杂TiO2纳米管阵列放入含一定量硝酸铋的乙二醇溶液中，在不断搅拌的情况下放置吸附，将所得样品移至甲醇溶液中，光照还原沉积，将所得样品继续放入氯化钠水溶液中，通过原位反应生成所述BiOCl纳米片修饰N掺杂TiO2纳米管阵列。3.根据权利要求2所述的一种BiOCl纳米片修饰N掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中阳极氧化的具体参数为，电解液由含0.1
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0.2mol/L氟化铵和5
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10Vol％去离子水的乙二醇溶液，阳极氧化电压为40
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80V，阳极氧化时间为2
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8h，阳极氧化温度为0
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10℃。4.根据权利要求2所述的一种BiOCl纳米片修饰N掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐光青，杨振宇，段良松，吕珺，汪冬梅，吴玉程，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：