高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法技术

一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其作法是：ａ．无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比ｘ∶１－ｘ０．０１≤ｘ≤０．５称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈按，并溶解在Ｎ，Ｎ－二甲基甲酰胺中，形成无水溶液。ｂ．胶体制备：在ａ步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸。ｃ．胶体涂敷与干燥：将ｂ步制得的胶体涂覆在基片上并干燥。ｄ．烧结成相：将干燥后的基片放入烧结炉中，将炉温以５－１００℃／ｍｉｎ的速度升至８５０℃－１１５０℃，保温０．２５－２小时，随后将炉温缓慢降至室温。该法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制得的氧化铈单层缓冲层的厚度可达到１５０－２００ｎｍ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高温超导涂层导体的制备方法，尤其涉及一种高温超导涂 层导体緩沖层的制备方法。
技术介绍
第二代高温超导带材——稀土钡铜氧REBCO涂层导体，由于其优良的本征电 磁特性，尤其是其在高磁场下优良的载流能力，在电力系统中拥有广阔的应用 前景。涂层导体的高温超导层的成分为REBa2Cu3Ox (简称REBCO, RE为钇或镧系元 素)。对于超导线材、超导磁体等实际应用领域，脆性的REBCO高温氧化物超导 材料必须涂覆在机械性能(强度、韧性)优良的金属衬底上才能减少或避免加 工或使用过程中的机械损伤。另外，这种衬底材料还需具有良好的导电性和导 热性，以避免使用过程中由于局部失超引发的系统失效和崩溃。高温超导层材料由于本身的层状结构，导致极强的各向异性，晶格的ab面 上的负载电流能力远远高于c轴方向。REBC0高温超导材料的载流性能对a、 b 方向上的晶格失配也极为敏感，大的晶格失配角将会形成弱连接，严重影响其 载流能力。研究表明，REBC0的载流能力随a、 b方向上晶格失配角的增大而指 数衰减。要减小a、 b方向上晶格失配角，降低弱连接效应，保证REBCO的载流 能力，外延织构成了其制备技术中不可或缺的工艺过程。迄今为止，国内外公 认的最佳衬底材料为Ni基合金材料。由于Ni基合金和REBC0高温超导材料的 ab面存在一定的晶格失配，直接在Ni基合金基带上外延生长REBC0高温超导材 料几乎是不可能的。再者，在REBC0的成相热处理过程中Ni基合金与REBC0之 间会有较强的相互扩散和化学反应，这就严重影响了 REBCO的超导性能。因此， 在Ni基合金衬底和REBC0之间必须增加一层緩冲层材料，既要充当从Ni基合 金到REBCO外延生长的中间模板，又要阻挡两种材料的相互扩散，主要是Ni和 REBCO中的Cu的相互扩散，这样才能保证制备出性能优良的REBC0高温超导涂 层导体。因此，高温超导涂层导体都具有衬底、緩沖层(至少一层)和REBC0 超导涂层三层结构。涂层导体的緩冲层材料的制备具有积极的意义，它将极大 地简化涂层导体的结构和制备工艺，降低超导材料的制备成本，提高涂层导体的性价比。目前，氧化铈Ce02是涂层导体中广泛使用的緩冲层材料。但是，现 有制备的氧化铈Ce02单层緩冲层材料均存在50-70nm的临界厚度，緩冲层的厚 度不够，难以阻隔Ni的扩散，从而不能很好地起到緩沖层的作用。为提高单层 緩冲层材料的厚度，现有方法是利用物理气相沉积法制备稀土掺杂或锆掺杂的 氧化铈Ce02单层緩冲层，其临界厚度可达200nm。但物理气相沉积方法系统复杂， 成本昂贵，不适于大规4莫的工业化生产。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体 的緩冲层的方法。该方法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境； 制备得到的氧化铈Ce02单层緩冲层的临界厚度达到150-200nm。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案为， 一种高分子辅助硝酸盐沉积 制备高温超导涂层导体緩冲层的方法，其具体作法是a、 无水溶液制备4妄稀土或锆与铈的离子比x:l-x，O. 01《x《0. 5称量稀 土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈按，并溶解在有机溶剂N，N-二曱基甲酰胺中，形 成无水溶液；其中的稀土为钇(Y)、镧(La)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、 钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)中的一 种。b、 胶体制备在a步的无水溶液中加入聚丙烯或聚曱基丙烯酸形成胶体。c、 胶体涂敷与干燥将b步制得的胶体涂覆在基片上，并干燥。d、 烧结成相将干燥后的基片放入烧结炉中，将炉温以5-10(TC/min的速 度升至850°C-1150°C，保温0. 25- 2小时，随后将炉温以1-2°C/min的速率降至 室温，即得。与现有技术相比，本专利技术技术方案有益效果是将硝酸亚铈以及作为掺杂物的稀土硝酸盐或硝酸锆溶于相应的有机溶剂中 形成无水溶液,再在无水溶液中加入选用的高分子聚合材料形成有机物胶体体 系。贿酸亚铈及掺杂的贿酸盐作为沉积物均勻分布在该胶体体系中，涂敷后即 均匀地分布在基片上，然后通过高温烧结成相，制备出稀土或锆掺杂的氧化铈 緩冲层。选用的高分子聚合材料在緩冲层的形成过程中，起到以下作用提高 含有沉积物的整个有机体系的黏度，使其适合于涂敷，硝酸亚铈及掺杂的硝酸 盐均匀分布，掺杂效果好，緩冲层的厚度得以提高；并且在有机物体系中高分子材料和硝酸盐沉积物之间建立了极强的链接，形成稳定性良好的三维立体网络，从而在烧结过程中薄膜的应力可以通过三维结构的弛豫进行释放；这样可 避免在烧结成膜也即形成緩沖层的过程中，由于薄膜内存在的应力释放而导致 微裂紋的产生，从而进一步提高了缓冲层的临界厚度。在制备过程中，控制铈 盐与稀土盐或锆盐的加入比例，可方便控制掺杂的氧化铈M,Ce卜A单层緩冲层中 的掺杂离子与铈的阳离子配比，从而控制緩冲层的厚度。总之，通过选取的高分子聚合材料的辅助沉积作用以及相应的稀土盐或锆 盐的掺杂作用，采用本专利技术方法制得的掺杂的氧化铈单层緩冲层织构良好，表 面平整致密，临界厚度达到150-200訓，可以充当涂层导体单层緩冲层，其性能 良好。并且本专利技术方法的制备工艺简单，操作控制容易；在整个制备过程中， 没有使用污染环境的有害物质，不污染环境。在进行上述d步的烧结成相前，还进行烧结前的热分解处理，其具体作法 为将涂敷有胶体的基片置于烧结炉中，使炉温从室温升至200 。C-230。C，再以 0. l-l。C/min的速度升至280。C-400 。C,保温15-20分钟。经过这样的烧结前的 预分解处理，可使得烧结形成的緩冲层更平整更致密。上述c步中胶体涂敷与干燥的具体作法为将胶体滴在基片上，用匀胶机 旋转，使胶体均勻涂敷在基片上，干燥温度为100°C-200°C。在这种温度条件下， 可以使得胶体中的有机溶剂能更多、更快地挥发掉。下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作一步说明。 附图说明图1是本专利技术实施例一的钐Sm掺杂的氧化铈SmuCeuO涂层导体的单层緩冲 层的X射线衍射图谱。图2是本专利技术实施例一的钐Sm掺杂的氧化铈Sni(uCeo.A.,涂层导体的单层緩 冲层的10000倍扫描电子显微镜(SEM)照片。图3是本专利技术实施例一的钐Sm掺杂的氧化铈Sm(uCeaA.,涂层导体的緩冲层厚 度的测试结果。图4是本专利技术实施例二的钬Ho掺杂的氧化铈Ho。.。！ Ce。.9A.州涂层导体的单层 缓冲层的X射线衍射图谱。图5是本专利技术实施例二的钬Ho掺杂的氧化铈Ho。,m Ce。.,A.,95涂层导体的单层 緩冲层的10000倍扫描电子显微镜(SEM)照片。图6是本专利技术实施例二的钬Ho掺杂的氧化铈Ho。.。！ Cea9,0L,95涂层导体的緩冲 层厚度的测试结果。图l、图4的纵坐标为衍射强度(Intensity),任意单位(a. u.);横坐标为 衍射角2e，单位为度(deg)。图3、图6中，横坐标为台阶测试仪的探针的水平 位移，纵坐标为测出的垂向位移，单位纳米。 具体实施方法 实施例一本专利技术的一种具体实施方式为一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其具体作法是：ａ、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比ｘ∶１－ｘ，０．０１≤ｘ≤０．５称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈，并溶解在有机溶剂Ｎ，Ｎ－二甲基甲酰胺中，形成无水溶液；其中的稀土为钇（Ｙ）、镧（Ｌａ）、镨（Ｐｒ）、钕（Ｎｄ）、钐（Ｓｍ）、铕（Ｅｕ）、钆（Ｇｄ）、铽（Ｔｂ）、镝（Ｄｙ）、钬（Ｈｏ）、铒（Ｅｒ）、铥（Ｔｍ）、镱（Ｙｂ）、镥（Ｌｕ）中的一种；ｂ、胶体制备：在ａ步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸形成胶体；ｃ、胶体涂敷与干燥：将ｂ步制得的胶体涂覆在基片上，并干燥；ｄ、烧结成相：将干燥后的基片放入烧结炉中，将炉温以５－１００℃／ｍｉｎ的速度升至８５０℃－１１５０℃，保温０．２５－２小时，随后将炉温以１－２℃／ｍｉｎ的速率降至室温，即得。

【技术特征摘要】
1. 一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其具体作法是a、无水溶液制备按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x，0.01≤x≤0.5称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈，并溶解在有机溶剂N，N-二甲基甲酰胺中，形成无水溶液；其中的稀土为钇(Y)、镧(La)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)中的一种；b、胶体制备在a步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸形成胶体；c、胶体涂敷与干燥将b步制得的胶体涂覆在基片上，并干燥；d、烧结成相将干燥后的基片放入烧结炉中，将炉温以5-100℃/min的速度升至850...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵勇，张红，雷鸣，李果，蒲明华，程翠华，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]