一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法技术

本发明专利技术公开了一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法及其图案化电极，其方法过程为：在表面绝缘基底上溅射导电种子层；在溅射完导电种子层电镀上金属膜；在金属膜表面旋涂光刻胶，采用光刻法在金属膜表面光刻出电极图案；采用退镀法进行处理，使得没有被光刻胶保护的金属膜和导电种子层被反应溶解，有光刻胶的部分被保留下来；退镀后进行超声清洗，去除光刻胶和金属碎屑残留物，得到图案化电极。本发明专利技术省去了湿法刻蚀环节，从而避免了湿法刻蚀所带来的种种问题。来的种种问题。

【技术实现步骤摘要】
一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法


[0001]本专利技术涉及电极加工制造领域，具体涉及一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法及图案化电极。

技术介绍

[0002]目前，大面积生产厚膜图案化电极（电极厚度 > 10μm）大多采用电镀
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光刻
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湿法刻蚀的工艺流程。虽然该工艺能确保电极的图案精度，但流程步骤繁多，所需化学药品品类众多，湿法刻蚀金属膜的过程中会产生大量化学废液。废液直接排放会严重污染环境，废液处理又费时费力，增加生产成本。除此之外，湿法刻蚀所用刻蚀液大多含有腐蚀性较强的酸性和碱性溶液，在刻蚀金属的同时，也会对基底产生刻蚀，破坏基底表面晶体结构，粗糙度变大，进而可能会对器件性能造成严重影响。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的缺点与不足，本专利技术的目的在于提供一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法及其图案化电极，该方法省去了湿法刻蚀环节，从而避免了湿法刻蚀所带来的种种问题。
[0004]本专利技术公开的采用退镀工艺制备图案化电极的方法，其技术方案包括以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：在表面绝缘基底上溅射导电种子层；在溅射完的导电种子层电镀上金属膜；在金属膜表面旋涂光刻胶，采用光刻法在金属膜表面光刻出电极图案；采用退镀法进行处理，使得没有被光刻胶保护的金属膜和导电种子层被反应溶解，有光刻胶的部分被保留下来；退镀后进行超声清洗，去除光刻胶和金属碎屑残留物，得到图案化电极。2.如权利要求1所述的采用退镀工艺制备图案化电极的方法，其特征在于， 所述表面绝缘基底为AlN基底、SiC基底或者表面有SiO2绝缘层的硅片基底。3.如权利要求1所述的采用退镀工艺制备图案化电极的方法，其特征在于，所述导电种子层为三层结构，分别为下方与表面绝缘基底直接接触的粘附金属层、上方的导热导电金属层以及粘附金属层和导热导电金属层之间的过渡金属层。4.如权利要求3所述的采用退镀工艺制备图案化电极的方法，其特征在于，所述粘附金属层为Cr，所述导热导电金属层为Cu，所述过渡金属层为Ti。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓元，李冉冉，张玮峰，华小社，
申请(专利权)人：北京航空航天大学杭州创新研究院，
类型：发明
国别省市：