【技术实现步骤摘要】
一种合金高纯铜靶材的制备方法
[0001]本专利技术属于靶材制造领域,涉及一种合金高纯铜靶材的制备方法。
技术介绍
[0002]磁控溅射是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩原子和电子,电子飞向基片,氩离子在电场的作用下加速轰击溅射基台上的靶材组件上的靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶材原子(或分子)沉积在基板上成膜,而最终达到对基板表面镀膜的目的。
[0003]CN110227906A提供了一种铜镍合金旋转靶材的生产方法,其对真空熔炼工艺和自由锻冲孔工艺进行了改善从而达到避免铜镍合金旋转靶材产生裂纹的技术目的:通过对熔铸温度和真空度进行控制,能够有效减少铸锭残余缩孔、夹有杂质等会引发锻造裂纹的缺陷,同时通过预先车孔进而减小冲孔时的阻力从而避免冲孔时产生裂纹。通过本方法所制备得到的铜镍合金旋转靶材,其具有组织成分均匀、致密性良好的优点,且晶粒度可达到100微米,能够避免锻造裂纹的产生,满足客户需求同时使用效果良好,适应目前市场前景。
[0004]CN106435261A提 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种合金高纯铜靶材的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括对坯料依次进行的第一锻伸处理、第一热处理、第二锻伸处理、第二热处理、第三锻伸处理、第四锻伸处理、静压处理、压延处理以及第四热处理。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一锻伸处理为将所述坯料拔长至原长度的170~200%,在镦粗至原长度;优选地,所述第一锻伸处理至少重复3次;优选地,所述第一锻伸处理的温度为890~910℃。3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述第一热处理的温度为540~560℃;优选地,所述第一热处理的时间为25~35min。4.根据权利要求1
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3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第二锻伸处理为将所述坯料拔长至原长度的170~200%,在镦粗至原长度;优选地,所述第二锻伸处理至少重复3次;优选地,所述第二锻伸处理的温度为890~910℃。5.根据权利要求1
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4任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第二热处理的温度为540~560℃;优选地,所述第二热处理的时间为25~35min。6.根据权利要求1
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5任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第三锻伸处理为将所述坯料拔长至原长度的170~200%,在镦粗至原长度;优选地,所述第三锻伸处理至少重复3次;优选地,所述第三锻伸处理的温度为890~910℃。7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述第四锻伸为将所述第三锻伸处理拔长后的坯料镦粗至原长度的105~135%。8.根据权利要求1
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7任一项所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军,潘杰,边逸军,王学泽,章丽娜,罗明浩,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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