半导体晶圆的保护方法技术

技术编号:3170191 阅读:137 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种半导体晶圆的保持方法,该方法包含如下工序:在表面粘贴有保护带的半导体晶圆(W)的背面,将外周部位保留为环状地实施背磨处理;从在背面外周部位形成有环状凸部的半导体晶圆(W)的表面剥离保护带;在剥离了保护带的半导体晶圆(W)的整个表面、和环形架f的整个表面上粘贴保持带的工序;将粘贴保持于保持带上的半导体晶圆的外周部位切断为环状,并从保持带剥离除去该部分;在整个扁平的半导体晶圆背面和环形架背面上粘贴切割带;从环形架和半导体晶圆剥离保持带。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及 一 种作为对半导体晶圆进行切割处理的前工 序、借助粘贴带将半导体晶圆粘贴保持于环形架上的技术。
技术介绍
在从半导体晶圆切出半导体芯片的工序中,进行以下处理。 将半导体晶圆粘贴保持在粘贴于环形架上的粘贴带(切割带) 上,从而形成安装架,将该安装架送入切割工序,对被粘贴保 持在环形架上的半导体晶圓实施切割处理及芯片分割处理。对于被保持于环形架上的半导体晶圆,在其保持之前对其 进行背面研磨而使其薄型化。为了避免随着该薄型化、研磨时 的加工应力蓄积到半导体晶圓上而使其发生翘曲或在进行操作 处理时使半导体晶圆产生损伤,保留半导体晶圆的外周部分而 形成环状凸部。利用该环状凸部保持半导体晶圆的刚性。(参照曰本特开2007—103582号/>寺艮)。近年来,由于电子设备的小型化、高密度安装等的需要而 促进了晶圆的薄型化。因此,极度薄型化至数十mm的半导体 晶圓,容易由于翘曲而产生裂紋、缺口。另外,在各种处理工 序及操作中,半导体晶圆破损的风险变高。在将这样薄型化的 半导体晶圓借助支承用粘贴带粘贴保持于环形架上时,也存在 破损的风险更高这样的问题。特别是在研磨半导体晶圆时保留的环状凸部,必须在切割 处理之前除去。因此,存在在除去环状凸部时,除去环状凸部 时的加工应力、在背面研磨加工时蓄积到晶圆上的应力作用于 被薄型化的半导体晶圆上而使其产生损伤这样的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种半导体晶圆的保持方法, 该方法可以借助支承用的粘贴带将半导体晶圓粘贴保持于环形 架上,从而抑制半导体晶圆随着薄型化的破损。本专利技术为了达成这样的目的,采用如下构成。一种借助粘贴带将半导体晶圆粘贴保持于环形架上的半导体晶圆的保持方法,上述方法包含以下工序粘贴保护带工序,在实施了图案形成处理的半导体晶圓的 表面粘贴保护带并沿晶圓外形将该保护带切断;背磨工序,在粘贴了上述保护带的半导体晶圆的背面,将 呈环状保留外周部位地对该半导体晶圆的背面实施背磨处理;剥离保护带工序,从通过背磨而在背面外周部位形成有环 状凸部的半导体晶圓的表面剥离上述保护带;粘贴保持带工序,在剥离了上述保护带的半导体晶圆的整 个表面、和将半导体晶圆置于中央而被装填的环形架的整个表 面上粘贴保持带;除去环状凸部工序,除去粘贴保持于上述保持带上的半导 体晶圆的环状凸部;粘贴粘贴带工序,在通过除去上述环状凸部而在扁平的半 导体晶圆整个背面和环形架整个背面上粘贴粘贴带;剥离保持带工序,剥离在环形架整个表面和半导体晶圆整 个表面上粘贴的上述保持带。采用本专利技术的半导体晶圆的保持方法,可以在形成图案的 工序之前,对具有规定刚性的厚度的半导体晶圆进行处理。另 外,在容易产生较大应力作用的背磨工序中,可以在因外周部 的环状凸部而被增强了的刚性较高的状态下,对半导体晶圆进 行处理。形成有环状凸部的半导体晶圆经过其后的各工序,除去增 强用的环状凸部。即,由于可以仅将半导体晶圆较薄的主部借 助粘贴带保持于环形架上,因此,可以在具有刚性的情况下进 行操作,从而不对半导体晶圆作用加工应力。并且,能确实且 容易地进行较薄的半导体晶圆主部的切割处理及芯片分割处 理。另外,在除去环状凸部的工序中,例如,也可以将半导体 晶圆的背磨区域的外周部位切断为环状,将切断部位从粘贴带 剥离除去,该半导体晶圆被粘贴保持于保持带上。另外,作为另一种方法,也可以将半导体晶圆的背磨区域 的外周部位研磨去除到背磨高度,该半导体晶圆被粘贴保持于 保持带上。另外,在切断除去环状凸部的情况下,优选保持带使用紫 外线固化型的粘贴带,在切断除去环状凸部之前,对环状凸部 的保持带粘贴面照射紫外线。采用该方法,由于使粘贴带的粘合层固化而使得其粘接力 降低,因此,可以容易地剥离除去切断部位。因此,可以抑制 粘贴带在剥离切断部位时产生变形,因此可以抑制对被保持有 粘贴带的半导体晶圆作用不需要的应力,从而可以避免破损。另外,在上述方法中,优选是对形成有环状凸部的半导体 晶圆,通过具有直径小于该环状凸部内径的吸附凸部的吸附台 来吸附保持环状凸部内侧的扁平凹部,粘贴各种带。更为优选是在粘贴各种带时保持非粘贴面侧的环状凸部的 扁平面。采用该方法,以平坦的状态保持半导体晶圆、环形架。因 此,粘贴辊的按压均匀,能确实地进行各种带的粘贴。附图说明为了说明本专利技术,图示了当前被认为是比较优选的几种实 施方式,但是期望了解的是本专利技术并不限定于图示那样的构造 及方案。图l是表示保护带粘贴工序的主要部分的纵向剖视图。图2是完成了背磨工序的主要部分的纵向剖视图。图3是表示保护带剥离工序的前半段的主要部分的纵向剖视图。图4是表示保护带剥离工序的后半段的主要部分的纵向剖视图。图5是表示保持带粘贴工序的主要部分的纵向剖视图。图6是表示环状凸部除去工序的前半段的主要部分的纵向剖视闳图7是表示环状凸部除去工序的后半段的主要部分的纵向剖视图。图8是表示切割带粘贴工序的主要部分的纵向剖视图。 图9是表示保持带剥离工序的前半段的主要部分的纵向剖 视图。图IO是表示保持带剥离工序的后半段的主要部分的纵向剖视图。图ll是完成了保持带剥离工序的主要部分的纵向剖视图。 图12是完成后的安装架的立体图。 图13是完成了背磨工序的半导体晶圆的立体图。 图14是表示环状凸部工序的另 一实施例的主要部分的纵 向剖视图。具体实施方式基于附图说明本专利技术的半导体晶圆的保持方法的顺序。 在此,如图l所示,作为处理对象的半导体晶圆W (以下,简称为晶圆W)整个面厚度为数百y m的状态,在其表面a 上实施形成电路图案的处理。 保护带粘贴工序如图1所示,将经过了图案形成处理的晶圆W使其表面a朝 上地载置于卡盘台l上并对其进行吸附保持之后,使由滚动的 粘贴辊2按压的保护带PT粘贴于晶圆W的表面a的整面上。当向晶圆W的带粘贴结束时,在上方待机的圆板型的刀具3 下降,刺入保护带PT。该刀具3—边滑动接触晶圆外周缘一边 进行旋转移动。通过该动作,保护带PT被沿晶圆外形切断。背磨工序如图2所示,将在表面a上粘贴有保护带PT的晶圆W搬入到 背磨装置。此时,晶圆W以背面b朝上的姿势被载置保持于卡盘 台4上。在该状态下,利用未图示的旋转磨具从上方进行背磨。在该情况下,在径向保留约2mm左右地研磨外周部。因此, 加工成在晶圆W的朝上背面b上形成扁平凹部c,并且沿其外周 残留环状凸部d的形状(参照图13)。进行研磨加工使该扁平凹 部c的晶圆厚度为数十ju m,并且,在该扁平凹部c的区域内的 相反面即表面a上包含整个电路图案。形成于背面外周的环状 凸部d作为提高晶圆W的刚性的环状肋起作用。因此,抑制了在 操作、其后的处理工序中的晶圆W的挠曲变形。保护带剥离工序如图3所示,经过了背磨工序的晶圓W在接受了由溅镀进行 的金属蒸镀等的应力除去处理之后,上下翻转并被载置保持于 卡盘台5上。此时,将小于环状凸部d的内径的卡盘台5的扁平 凸部d插入到晶圆W的环状凸部内,从而吸附保持其背面b。然后,粘贴辊6—边进行按压一边进行滚动,从而将强粘合性的剥离带T1粘贴于保护带PT上。如图4所示,当剥离带T1的粘贴结束时,利用剥离辊7的滚 动巻取回收剥离带T1。此时,粘合于剥离带T1上的保护带PT 与剥离带T1一体地被巻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种借助粘贴带将半导体晶圆粘贴保持于环形架上的半导体晶圆的保持方法,上述方法包含以下工序:粘贴保护带工序,在实施了形成图案处理的半导体晶圆的表面粘贴保护带并沿晶圆外形将该保护带切断;背磨工序,在粘贴有上述保护带的半导体晶圆的背面,将呈环状保留外周部位地对该半导体晶圆的背面实施背磨处理;保护带剥离工序,从通过背磨在背面外周部位形成有环状凸部的半导体晶圆的表面剥离上述保护带;保持粘贴带工序,在剥离了上述保护带的半导体晶圆的整个表面、和将半导体晶圆置于中央而被装填的环形架的整个表面上粘贴保持带;环状凸部除去工序,除去粘贴保持于上述保持带上的半导体晶圆的环状凸部;粘贴带粘贴工序,在通过除去上述环状凸部而变成扁平的半导体晶圆的整个背面和环形架的整个背面上粘贴粘贴带;保持带剥离工序,剥离在环形架整个表面和半导体晶圆整个表面上粘贴的上述保持带。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-25 2007-1390891. 一种借助粘贴带将半导体晶圆粘贴保持于环形架上的半导体晶圓的保持方法,上述方法包含以下工序粘贴保护带工序,在实施了形成图案处理的半导体晶圆的 表面粘贴保护带并沿晶圆外形将该保护带切断;背磨工序,在粘贴有上述保护带的半导体晶圆的背面,将 呈环状保留外周部位地对该半导体晶圆的背面实施背磨处理;保护带剥离工序,从通过背磨在背面外周部位形成有环状 凸部的半导体晶圆的表面剥离上述保护带;保持粘贴带工序,在剥离了上述保护带的半导体晶圓的整 个表面、和将半导体晶圓置于中央而被装填的环形架的整个表 面上粘贴保持带;环状凸部除去工序,除去粘贴保持于上述保持带上的半导 体晶圆的环状凸部;粘贴带粘贴工序,在通过除去上述环状凸部而变成扁平的 半导体晶圆的整个背面和环形架的整个背面上粘贴粘贴带;保持带剥离工序,剥离在环形架整个表面和半导体晶圆整 个表面上粘贴的上述保持带。2. 根据权利要求l所述的半导体晶圆的保持方法, 在上述环状凸部除去工序中,将被粘贴保持于保持带上的半导体晶圆的背磨区域的外周部位切断为环状,^将该部位从 粘贴带剥离除去。3. 根据权利要求2所述的半导体晶圆的保持方法, 上述保持带为紫外线固化型的祐贴带,在切断除去上述环状凸部之前,对上述环状凸部的保持带 粘贴面照射紫外线。4. 根据权利要求l所述的半导体晶圆的保持方法, 在上述环状凸部除去工序中,将半导体晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员:山本雅之森本一男
申请(专利权)人:日东电工株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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