半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种遮光效果好、可靠性高，而且有助于实现半导体装置的微型化的半导体装置。该半导体装置包括：具有被遮光区域（１０Ａ）的半导体层（１０）；设于该被遮光区域（１０Ａ）的该半导体层（１０）上的半导体器件（１００、１２０）；设于该半导体器件（１００、１２０）上面的第一层间绝缘层（４０）；设于该第一层间绝缘层上面的多个第一遮光层（４４）；至少设于第一遮光层（４４）上面的第二层间层间绝缘层（５０）；以及设置在该第二层间绝缘层（５０）的上面、并且具有预定图案的第二遮光层（５４），其中，该第二遮光层（５４）具有至少位于相邻的该第一遮光层（４４）之间的图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置，该半导体装置包括通过接收光可 能会使特性改变的半导体器件。
技术介绍
作为接收到光后可能会使特性改变的半导体器件，可以列举出 MOS晶体管及具有浮置栅的非易失性存储器等。这些半导体器件 尤其是在采用棵芯片等的COG安装法进行安装的情况下，通常会 受到光的照射，如果是MOS晶体管的话，会引起其导通/截止的特 性改变，而如果是非易失性存储器的话，会使注入到其浮置栅极中 的电子丢失。为了防止半导体器件的这种特性的变化，在设有这些 装置的区域的上面，通常都会设置用于防止光照射的遮光层。特开平11-288934号公报中披露了一种运用遮光层的技术。在 该特开平11-288934号公报中，将覆盖半导体器件的遮光层设置在 不同的表面上，并且这两个遮光层由接触层来连接。4旦是，为了4是高遮光效果，仅4又在避免受到光照射的区域上面 设置遮光层，难以完全地将光遮挡住，所以需要形成能够在一个较 广的范围内覆盖其外延的遮光层。这样一来，就不能缩小遮光层的面积，进而阻碍了半导体装置的微型化的实现。此外，当希望保护 的区i^的面积过大时，由于受i殳计失见则的限制，^又用一层遮光层不 能将其完全地覆盖。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种遮光效果好，可靠性高，进而还能 有助于实现半导体装置的纟敛型化的半导体装置。本专利技术的半导体装置包括具有^皮遮光区域(遮光目标区域) 的半导体层；设置在被遮光区域的半导体层上的半导体器件；设置 在半导体器件上面的第 一层间绝缘层；设置在第 一层间绝缘层上面的多个第 一遮光层；至少设置在第 一遮光层上面的第二层间绝缘 层；以及设置在第二层间绝》彖层上面的第二遮光层，其中，第二遮 光层具有预定的图案，以^更该第二遮光层能够至少:没置在相邻的第 一遮光层之间。根据本专利技术的半导体装置，半导体器件由设置在其上面的第一 遮光层和设置在与第 一遮光层不同水平面上的第二遮光层覆盖。因 此，半导体器件不会暴露在光之下，从而能够提供一种不会引起特 性的改变、且可靠性高的半导体装置。尤其，在所要遮光的面积很 大的情况下，可能存在用一层金属层无法覆盖的问题。但是，根据 本专利技术的半导体装置，通过使用多层位于不同水平面的金属层，并 使它们交错地配置，从而即使在遮光区域很大的情况下也能完全地 进行覆盖，因此能够提供一种可靠性得到提高的半导体装置。本专利技术的半导体装置还可以采用下述的方式。在本专利技术的半导体装置中，该被遮光区域可以被第一金属层和 第二遮光层中的至少一方覆盖。才艮据这种方式， 一皮遮光区域寻皮第 一遮光层和第二遮光层中的至 少一方覆盖，因而能够防止使受到光照射后会发生特性改变的半导 体装置照射到光。在本专利技术的半导体装置中，该第二遮光层可以具有至少包含该 第 一遮光层的反转形状的图案。才艮据这种方式， 一皮遮光区域被第一遮光层和第二遮光层中的至 少一方覆盖，因而能够防止接收到光。在本专利技术的半导体装置中，该第一遮光层和该第二遮光层中的 至少 一方可以在该^皮遮光区域内具有设计规则所允许的最大尺寸。在此i兌到的最大尺寸除了包括整个第一遮光层具有最大尺寸 的情况以外，还包括局部具有最大尺寸的情况。在本专利技术的半导体装置中，该第二遮光层与所述第一遮光层部分重叠;也:没置。才艮据这种方式，通过使第二遮光层和第一遮光层在被遮光区域 的上面部分i也重叠，/人而能够进一步^是高遮光岁丈果。在本专利技术的半导体装置中，该第一遮光层可以是布线层。在本专利技术的半导体装置中，该第二遮光层可以是布线层。在本专利技术的半导体装置中，还可以i殳置连4妾该第一遮光层和该 第二遮光层的通3各层。才艮据这种方式，连4妄了第一遮光层和第二遮光层的通^各层能够 防止光,人冲黄向进入，并且能够进一步才是高遮光效果。因此，能够4是 供一种可靠性提高了的半导体装置。在本专利技术的半导体装置中，该通^各层可以i殳置在该第一遮光层 和该第二遮光层相重叠的部分上。在本专利技术的半导体装置中，可以进一步包括设置在该半导体 器件和该第 一层间绝缘层之间的第三层间绝缘层和设置在该第三 层间绝^彖层上的布线层，其中，该布线层可以在该^皮遮光区i或内具 有i殳计失见则所允许的最大尺寸。在本专利技术的半导体装置中，可以包括具有一皮遮光区域的半导 体层；设置在该被遮光区域的该半导体层上的半导体器件；设置在 该半导体器件上面的第 一层间绝缘层；和设置在该第 一层间绝缘层 上面的第一遮光层，其中，该第一遮光层可以在该^皮遮光区域内具 有设计规则所允许的最大尺寸。在本专利技术的半导体装置中，在该净皮遮光区域的外侧可以具有遮 光区域，并且该遮光区域中可以包括设置在该半导体层上面的该 第一层间绝纟彖层；该第一层间绝纟彖层上的第一金属层；i殳置在该半 导体层和该第一金属层之间的接触层；至少设置在该第一金属层上面的第二层间绝缘层；设置在该第二层间绝缘层上面的第二金属 层；以及用于连4妄该第一金属层和该第二金属层的通^各层。根据本专利技术的半导体装置, #皮遮光区域外侧的遮光区域内，效果。在本专利技术的半导体装置中， 设置。通过将多个通^各层及^妻触层设置在 从而能够提高防止光从横向进入的该遮光区纟或可以围绕i亥^皮遮光区i或在本专利技术的半导体装置中，在该遮光区域内，该通路层可以通 过在相连的、而不是孔状的槽内填充导电层而形成。在本专利技术的半导体装置中，在该遮光区域内，该接触层可以通 过在相连的、而不是孔状的槽内填充导电层而形成。根据这种方式，被遮光区域的侧面被接触层及通路层覆盖，从 而可以进一 步纟是高遮光步丈果。在本专利技术的半导体装置中，该通^各层可以在该遮光区域内排列 成锯齿状。在本专利技术的半导体装置中，该接触层可以在该遮光区域内排列 成锯齿状。才艮据这种方式，— 皮遮光区域的侧面 一皮4妻触层及通^各层中的至少 一方覆盖，从而能够进一步l是高遮光效果。在本专利技术的半导体装置中，该半导体器件可以是单栅型非易失 性存储器。根据这种方式，能够提供一种具有提高了电荷保持特性的非易 失性存储器的半导体装置。附图说明图1 (A)是示意性示出根据第一实施例的半导体装置的剖面 图，图1 (B)是其平面图。图2 (A)是示意性示出根据第二实施例的半导体装置的剖面 图，图2 (B)是其平面图。图3 (A)是示意性示出根据第三实施例的半导体装置的剖面 图，图3 (B)是其平面图。9图4是示意性示出设置在4艮据第四实施例的半导体装置的—皮遮 光区域中的存^诸单元的立体图。图5是示意性示出设置在根据第四实施例的半导体装置的被遮 光区域中的存储单元的剖面图。图6是示意性示出根据第四实施例的半导体装置的平面图。图7是示意性示出根据第四实施例的半导体装置的平面图。 图8是示意性示出才艮据第四实施例的半导体装置的剖面图。 图9是示意性示出根据第四实施例的半导体装置的平面图。 具体实施例方式下面，对本专利技术的实施例进4于i兌明。 1.第一实施例参照图1 (A)及图1 (B)说明第一实施例的半导体装置。图 l( A)是示意性示出根据本实施例的半导体装置的剖面图，图1(B) 是用于表示图1 (A)所示的半导体装置的被遮光区域10A的平面图。如图1所示，本实施例的半导体装置包4舌形成有MOS晶体管 100等的半导体器件的^皮遮光区域IOA。帔遮本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：半导体层，具有形成有半导体器件的区域；第一布线层，形成在所述区域的上面；第二布线层，形成在所述区域的上面及所述第一布线层的上面；在俯视图中，所述第一布线层在第一方向上延伸；在俯视图中，所述第二布线层在与所述第一方向正交的第二方向上延伸。

【技术特征摘要】
JP 2004-9-10 2004-2632491.一种半导体装置，包括半导体层，具有形成有半导体器件的区域；第一布线层，形成在所述区域的上面；第二布线层，形成在所述区域的上面及所述第一布线层的上面；在俯视图中，所述第一布线层在第一方向上延伸；在俯视图中，所述第二布线层在与所述第一方向正交的第二方向上延伸。2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，俯视图中，所述半导体器件的一部分与所述第一布线层 的一部分重叠，俯^L图中，所述半导体器件的一部分与所述第二布线层 的一部分重叠。3. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述区域上，所述第一布线层的宽度比所述第二布线 层的宽度窄。4. 根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在所述区域上，所述第一布线层的宽度比所述第二布线 层的宽度窄。5. 根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一布线层的宽度为，在所述第二方向上从所述第 一布线层的一端到另一端的长度；所述第二布线层的宽度为，在所述第一方向上从所述第 二布线层的一端到另一端的长度。6. 才艮据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一布线层的宽度为，在所述第二方向上从所述第 一布线层的 一端到另 一端的长度；所述第二布线层的宽度为，在所述第一方向上从所述第 二布线层的一端到另一端的长度。7. —种半导体装置，包括半导体层，具有形成有半导体器件的区域； 第一布线层群，形成在所述区域的上面，包括多个布线层；第二布线层群，形...

【专利技术属性】
技术研发人员：前村公博，小林等，中岛忠俊，小平觉，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]