一种电感器制造技术

技术编号:31696892 阅读:17 留言:0更新日期:2022-01-01 10:57
本申请公开了一种电感器。该电感器包括:磁芯,围设有一容置区域;线圈,绕设在磁芯上;磁珠,串接在线圈上,且设置在容置区域内。通过这种方式,能够提高电感器对高频电磁干扰的抑制能力,且保证其体积无增加。且保证其体积无增加。且保证其体积无增加。

【技术实现步骤摘要】
一种电感器


[0001]本申请涉及电磁兼容
,特别是涉及一种电感器。

技术介绍

[0002]随着电气、电子及信息设备的广泛应用,电磁干扰问题日益严峻,而电感滤波是抑制电磁干扰的重要措施。
[0003]本申请的专利技术人在长期的研发中发现,现有电感器的高频阻抗较低,其应用频段较窄,对高频电磁干扰的抑制效果不佳,或者现有电感器体积较大,不便于电子元器件的小型化及集成化。

技术实现思路

[0004]本申请主要解决的技术问题是提供一种电感器,以提高对高频电磁干扰的抑制能力,且保证其体积无增加。
[0005]为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种电感器。所述电感器包括:磁芯,围设有一容置区域;线圈,绕设在所述磁芯上;磁珠,串接在所述线圈上,且设置在所述容置区域内。通过这种方式。
[0006]在一具体实施例中,所述线圈包括第一线圈及第二线圈,所述第一线圈在所述磁芯上的绕设方向与所述第二线圈在所述磁芯上的绕设方向相反。
[0007]在一具体实施例中,所述磁珠包括第一磁珠及第二磁珠,所述第一磁珠与所述第一线圈串接,所述第二磁珠与所述第二线圈串接。
[0008]在一具体实施例中,所述电感器进一步包括:隔离件,设置在所述第一线圈及所述第二线圈之间,且位于所述容置区域内,所述第一磁珠与所述第二磁珠位于所述隔离件的两侧,且所述第一磁珠与所述第一线圈同侧设置,所述第二磁珠与所述第二线圈同侧设置。
[0009]在一具体实施例中,所述电感器进一步包括固定件,所述电感器包括多个所述磁珠,所述固定件用于将所述多个磁珠沿与所述隔离件平行的方向固定。
[0010]在一具体实施例中,所述电感器进一步包括粘贴件,设置在所述线圈与所述磁珠之间,用于将所述线圈与所述磁珠固定。
[0011]在一具体实施例中,所述磁珠串接在所述线圈的末端。
[0012]在一具体实施例中,所述磁珠至少部分串接设置在所述线圈的中间部分。
[0013]在一具体实施例中,所述磁芯为环形磁芯。
[0014]在一具体实施例中,所述第一线圈的尺寸及匝数与所述第二线圈相同;所述第一磁珠的尺寸及数量与所述第二磁珠相同。
[0015]本申请实施例的有益效果是:本申请电感器包括:磁芯,围设有一容置区域;线圈,绕设在磁芯上;磁珠,串接在线圈上,且设置在容置区域内。通过这种方式,本申请在电感器的线圈上连接磁珠,因磁珠的高频阻抗较大,具有很好的高频抑制效果,能够弥补传统电感器高频阻抗较低的问题,能够提高电感器对高频电磁干扰的抑制能力。因此,本申请电感器
具有较高的低频阻抗及较高的高频阻抗,能够扩展其应用频段,对高频电磁干扰及低频电磁干扰均具有较好的抑制效果;且本申请将磁珠设置在磁芯围设的容置区域内,不仅能够保护磁珠不受外力损坏,而且不需要为磁珠额外设置安装区域,因此还能够保证电感器的体积不增加,有利于电子器件的小型化及集成化。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本申请电感器第一实施例的结构示意图;
[0018]图2是本申请电感器第二实施例的结构示意图;
[0019]图3是本申请电感器第三实施例的结构示意图;
[0020]图4是本申请电感器第四实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0021]下面结合附图和实施例,对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是,以下实施例仅用于说明本申请,但不对本申请的范围进行限定。同样的,以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
[0022]在本申请实施例的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。
[0023]在本申请实施例中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0024]在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0025]本申请首先提出一种电感器,如图1所示,图1是本申请电感器第一实施例的结构示意图。本实施例电感器10包括:磁芯110、线圈120及磁珠130;其中,磁芯110围设有一容置
区域;线圈120绕设在磁芯110上;磁珠130串接在线圈120上,且设置在容置区域内。
[0026]线圈120包括导线(图未标)及包设在导线外表面的绝缘层(图未标),以实现线圈120导电,且保证线圈120与磁芯110,及线圈120不同线匝之间绝缘。
[0027]由于磁珠130的阻抗特性在低频段属于低阻,相当于原电感器(不加磁珠的电感器)在该频段的阻抗可以忽略,所以磁珠130在低频段对原电感器的阻抗几乎无影响。当频率大于原电感器的转折频率点后,原电感器侧会呈现容性阻抗,将会与磁珠130的寄生电感发生串联谐振,此频段由于磁珠130的阻抗还比较小,所以该频段的原电感器的阻抗大小相比电感器10会略有下降。但随着频率的上升,磁珠130的电阻会急剧上升,该频段的电感器10的阻抗会远远大于原电感器,因此,本实施例能够通过磁珠130能够明显增加电感器10在高频段的阻抗,因此,能够明显提高电感器10对高频电磁干扰的抑制能力。
[0028]本实施例电感器10的线圈120上连接磁珠130,因磁珠130的高频阻抗较大,具有很好的高频抑制效果,能够弥补传统电感器高频阻抗较低的问题,能够提高电感器10对高频电磁干扰的抑制能力。因此,本实施例电感器10具有较高的低频阻抗及较高的高频阻抗,能够扩展其抗干扰的频段,对高本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电感器,其特征在于,包括:磁芯,围设有一容置区域;线圈,绕设在所述磁芯上;磁珠,串接在所述线圈上,且设置在所述容置区域内。2.根据权利要求1所述的电感器,其特征在于,所述线圈包括第一线圈及第二线圈,所述第一线圈在所述磁芯上的绕设方向与所述第二线圈在所述磁芯上的绕设方向相反。3.根据权利要求2所述的电感器,其特征在于,所述磁珠包括第一磁珠及第二磁珠,所述第一磁珠与所述第一线圈串接,所述第二磁珠与所述第二线圈串接。4.根据权利要求3所述的电感器,其特征在于,进一步包括:隔离件,设置在所述第一线圈及所述第二线圈之间,且位于所述容置区域内,所述第一磁珠与所述第二磁珠位于所述隔离件的两侧,且所述第一磁珠与所述第一线圈同侧设置,所述第二磁珠与所述第二线圈同侧设置...

【专利技术属性】
技术研发人员:任国兵朱贤刘玉辉
申请(专利权)人:合肥华凌股份有限公司美的集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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