【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于材料
，具体涉及到用于压电器件或电致伸縮器件。
技术介绍
压电材料是一种倉辦将机械能和电能互相转换的功能陶瓷材料。由于它具有高 的压电性能、容易加工成复杂性状、价格低廉、易于批量生产靴点，已被广泛应 用于电子器件中。但是，现有的压电陶瓷材料尚不能满足实际应用对材料性能的综 合要求。为改进压电陶瓷材料的性能，常采用两种途径 一魏过在基^t才料中加 入第三元或第四元以形成新材料来达到改性的目的；二是根据不同掺杂离子对材料 结构和性能的影响不同，对现有材料进行掺杂改性。另外，铅基压电陶瓷在高 结时，由于铅挥发，使得组成偏离、性能下降以M环境造成污染等技术问题，尤 其是为了能采用低成本的银取代贵金属钯作为多层压电陶瓷器件的内电极，有必要 对压电陶瓷进行低温烧结研究。压电材料的这种独特功能，使其在智能材料系统中具有更广阔的应用前景。但 是，高^^结下铅挥发可导致化学计量比偏离、性能下降、污染环境。目前常用密 封烧结法、气氛片法、埋粉法、铅过量法，不能从根本上解决铅挥发，抑制铅挥发 积极而有效的方法是实现压电陶瓷的低温晓结。开发低温晓结压电陶瓷材料是...
【技术保护点】
一种低温烧结锑酸锂掺杂的五元系压电陶瓷材料，其特征在于：用下通式０．０２Ｐｂ（Ｍｇ↓［１／２］Ｗ↓［１／２］）Ｏ↓［３］－ｙＰｂ（Ｓｂ↓［１／２］Ｎｂ↓［１／２］）］Ｏ↓［３］－（０．３９－ｙ）Ｐｂ（Ｎｉ↓［１／３］Ｎｂ↓［２／３］）Ｏ↓［３］－Ｐｂ↓［０．５９］（Ｚｒ↓［０．３８］Ｔｉ↓［０．２１］）Ｏ↓［３］＋ｘＬｉ ＳｂＯ↓［３］ 表示的材料组成，式中０．００ｗｔ．％＜ｘ≤０．４０ｗｔ．％，０．０００≤ｙ≤０．０３０ｍｏｌ。
【技术特征摘要】
1、一种低温烧结锑酸锂掺杂的五元系压电陶瓷材料，其特征在于用下通式0.02Pb(Mg1/2W1/2)O3-yPb(Sb1/2Nb1/2)]O3-(0.39-y)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb0.59(Zr0.38Ti0.21)O3+xLi SbO3表示的材料组成，式中0.00wt.％＜x≤0.40wt.％，0.000≤y≤0.030mol。2、 一种权利要求1低繊结锑酸锂掺杂的五元系压电陶瓷材料的制备方法， 其特征在于该方法包括下述步骤(1) 制备锑酸锂先将Li2C03、 SbA按摩尔比为l: l进行混合，装入尼龙罐中，加入无水乙醇为 分散剂和氧化锆球为球磨介质，无水乙醇与原料的重量比为l: 1.5 2.5，用球磨机 球磨12小时，魏为400转/分，分离氧化锆球，将混合料方从千燥箱内8(TC千燥 IO小时烘干，再方^A研钵中研磨30分钟，过80目筛，过筛后的料置于氧化铝坩埚 内，用玛瑙棒压实，松装密度为1. 2 1. 5g/cm3,加盖，在电阻炉内570 73(TC予鹏 保温2 4小时合成LiSb03，自然冷却到室温，出炉；将予鹏粉体捣碎研磨1小时， 装入尼龙罐中，同上工艺进行球磨烘干备用；(2) 配料合成然后将合成的LiSb03、 Pb304、 Zr02、 Ti02 、 Mg (OH) 2 MgC03 6H20、 W03、 Sb205、 Nb205、 NiO按通式的化学计量比进行混合，^A尼龙罐中，加入无水乙醇为分散剂 和氧化锆球为球磨介质，无水乙醇与原料的重量比为l: 2，用球磨机球磨6 12小 时，織为400转/分，分离氧化锆球，将混合料方j(A千燥箱内8(TC千燥5 10小 时，再放入研钵中研磨30分钟，过80目筛；(3) 预烧将研磨后的料置于氧化铝坩埚内，用玛瑙棒压实，使其松装密度达到1. 5g/cm3, 加盖，在电阻炉内800 85(TC预烧保温2 4小时，自然冷却到室温，出炉。将预 烧粉体捣^ 开磨1小时，m尼龙罐中，加入无水乙醇为分散剂和氧化锆球为球磨 介质，无水乙醇与原料的重量比为l: 2，用球磨机球磨6 12小时，进行二次球磨， 織为300转/分，分离氧化锆球，将混合料放入千燥箱内8(TC千燥5 10小时， 过80目筛； (4) 造粒将鹏过的烧i細f^研细过160...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨祖培，晁小练，
申请(专利权)人：陕西师范大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]
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