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作为除草剂的吡唑取代的吡咯烷酮制造技术

技术编号:31687864 阅读:25 留言:0更新日期:2022-01-01 10:40
披露了具有式(1)的化合物,包括其所有立体异构体、N

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】作为除草剂的吡唑取代的吡咯烷酮


[0001]本专利技术涉及某些吡唑取代的吡咯烷酮,其N

氧化物、盐和组合物,以及其用于控制不希望植被的方法。

技术介绍

[0002]控制不希望植被在实现高作物效率中是极其重要的。实现对杂草生长的选择性控制,尤其是在此类有用的作物尤其如稻、大豆、甜菜、玉蜀黍、马铃薯、小麦、大麦、番茄和种植作物中,是非常希望的。在此类有用的作物中的未加抑制的杂草生长可造成产量的显著下降,并且从而导致消费者的成本增加。在非作物区域中对不希望植被的控制也是重要的。为了这些目的,许多产品是可商购的,但持续需要更有效、较低成本、较低毒性、对环境更安全或具有不同的作用位点的新型化合物。
[0003]WO 2015/084796和WO 2016/196593披露了某些取代的环酰胺及其作为除草剂的用途。本专利技术的吡唑取代的吡咯烷酮未在这些出版物中披露。

技术实现思路

[0004]本专利技术涉及一种具有式1的化合物,包括其所有立体异构体、N

氧化物和盐,含有它们的农业组合物,以及它们作为除草剂的用途:
[0005][0006]其中Q选自由以下组成的组:
[0007][0008]R1是H、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C3‑
C7环烷基或C4‑
C8环烷基烷基;
[0009]R2是C1‑
C6烷基或C1‑
C6卤代烷基;
[0010]R3是卤素、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C1‑
C6烷氧基或C1‑
C卤代烷氧基;
[0011]Y是O或S;
[0012]R4是H、卤素、C1‑
C4烷基或C1‑
C4卤代烷基;
[0013]R5是卤素、C1‑
C4烷基或C1‑
C4卤代烷基;
[0014]n是1、2、3或4;
[0015]R6是H、卤素、羟基、C1‑
C4烷氧基、C1‑
C4卤代烷基或C1‑
C4烷基;
[0016]W是苯基或吡啶基,每个苯基或吡啶基任选地被至多5个R9取代;并且
[0017]每个R9独立地是卤素、氰基、硝基、C1‑
C4烷基、C1‑
C4卤代烷基、C2‑
C4烯基、C2‑
C4卤代烯基、C2‑
C4炔基、C2‑
C4卤代炔基、C1‑
C4硝基烷基、C2‑
C4硝基烯基、C2‑
C4烷氧基烷基、C2‑
C4卤代烷氧基烷基、C3‑
C4环烷基、C3‑
C4卤代环烷基、环丙基甲基、甲基环丙基、C1‑
C4烷氧基、C1‑
C4卤代烷氧基、C2‑
C4烯氧基、C2‑
C4卤代烯氧基、C3‑
C4炔氧基、C3‑
C4卤代炔氧基、C3‑
C4环烷氧基、C1‑
C4烷硫基、C1‑
C4卤代烷硫基、C1‑
C4烷基亚磺酰基、C1‑
C4卤代烷基亚磺酰基、C1‑
C4烷基磺酰基、C1‑
C4卤代烷基磺酰基、羟基、甲酰基、C2‑
C4烷基羰基、C2‑
C4烷基羰基氧基、C1‑
C4烷基磺酰基氧基、C1‑
C4卤代烷基磺酰基氧基、氨基、C1‑
C4烷基氨基、C2‑
C4二烷基氨基、甲酰氨基、C2‑
C4烷基羰基氨基、

SF5、

SCN、C3‑
C4三烷基甲硅烷基、三甲基甲硅烷基甲基或三甲基甲硅烷基甲氧基;
[0018]前提是该化合物不是具有式1的化合物,其中Q是Q

1;R1是H;R2是CH3;R3是C(CH3)3;R4是H;R6是H;Y是O,W是在2

位处被R9取代的苯基;并且R9是F。
[0019]更具体地,本专利技术涉及一种具有式1的化合物(包括所有立体异构体)、其N

氧化物或盐。本专利技术还涉及一种除草组合物,该除草组合物包含本专利技术的化合物(即以除草有效量)和至少一种选自由表面活性剂、固体稀释剂和液体稀释剂组成的组的组分。本专利技术还涉及一种用于控制不希望植被的生长的方法,该方法包括使植被或其环境与除草有效量的本专利技术的化合物(例如,作为本文所述的组合物)接触。
[0020]本专利技术还包括一种除草混合物,该除草混合物包含(a)选自式1、其N

氧化物和盐的化合物,以及(b)至少一种选自如下所述的(b1)至(b16)、以及(b1)至(b16)的化合物的盐的附加活性成分。
具体实施方式
[0021]如本文所用,术语“包括”、“包含”、“内含”、“涵盖”、“具有”、“含有”、“包容”、“容纳”、“特征在于”或其任何其他变型旨在覆盖非排他性的包括,以任何明确指明的限定为条件。例如,包含一系列元素的组合物、混合物、工艺或方法不必仅限于那些元素,而是可以包括未明确列出的其它元素,或此类组合物、混合物、工艺或方法的其它固有元素。
[0022]连接短语“由
……
组成”排除任何未指出的元素、步骤或成分。如果在权利要求中,则此类短语将使权利要求为封闭式,使其不包含除那些叙述的材料以外的材料,但与其相关的常规杂质除外。当短语“由
……
组成”出现在权利要求的特征部分,而非紧接前序部分时,则它仅仅限制所述特征部分中阐述的要素;其他元素不从整个权利要求中被排除。
[0023]连接短语“基本上由...组成”用于限定除了字面披露的那些以外还包括材料、步骤、特征、组分、或元素的组合物或方法,前提是这些附加的材料、步骤、特征、组分、或元素不会实质影响请求保护的专利技术的基本和新颖特征。术语“基本上由
……
组成”居于“包含”和“由
……
组成”中间。
[0024]当申请人已经用开放式术语如“包含着”定义了本专利技术或其一部分时,则应易于理解(除非另外指明),说明书应被解释为还使用术语“基本上由
……
组成”或“由
……
组成”描述本专利技术。
[0025]此外,除非有相反的明确说明,否则“或”是指包含性的“或”,而不是指排他性的“或”。例如,条件A或者B通过以下中的任一项满足:A为真(或存在)且B为假(或不存在),A为假(或不存在)且B为真(或存在),并且A和B都为真(或存在)。
[0026]同样,在本专利技术的元素或组分前的不定冠词“一个/一种(a/an)”关于元素或组分的例子(即,出现)的数量旨在是非限制性的。因此,“一个”或“一种”应理解为包括一个/一种或至少一个/一种,并且要素或组分的单数词语形式还包括复数,除非所述数字明显意指单数。
[0027]如本文所提及的,单独或以词语的组合使用的术语“幼苗”是指由种子的胚芽发育的植物幼苗。
[0028]如本文所提本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种化合物,其选自式1,包括其所有立体异构体、N

氧化物和盐:其中Q选自由以下组成的组:R1是H、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C3‑
C7环烷基或C4‑
C8环烷基烷基;R2是C1‑
C6烷基或C1‑
C6卤代烷基;R3是卤素、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基、C1‑
C6烷氧基或C1‑
C卤代烷氧基;Y是O或S;R4是H、卤素、C1‑
C4烷基或C1‑
C4卤代烷基;R5是卤素、C1‑
C4烷基或C1‑
C4卤代烷基;n是1、2、3或4;R6是H、卤素、羟基、C1‑
C4烷氧基、C1‑
C4卤代烷基或C1‑
C4烷基;W是苯基或吡啶基,每个苯基或吡啶基任选地被至多5个R9取代;并且每个R9独立地是卤素、氰基、硝基、C1‑
C4烷基、C1‑
C4卤代烷基、C2‑
C4烯基、C2‑
C4卤代烯基、C2‑
C4炔基、C2‑
C4卤代炔基、C1‑
C4硝基烷基、C2‑
C4硝基烯基、C2‑
C4烷氧基烷基、C2‑
C4卤代烷氧基烷基、C3‑
C4环烷基、C3‑
C4卤代环烷基、环丙基甲基、甲基环丙基、C1‑
C4烷氧基、C1‑
C4卤代烷氧基、C2‑
C4烯氧基、C2‑
C4卤代烯氧基、C3‑
C4炔氧基、C3‑
C4卤代炔氧基、C3‑
C4环烷氧基、C1‑
C4烷硫基、C1‑
C4卤代烷硫基、C1‑
C4烷基亚磺酰基、C1‑
C4卤代烷基亚磺酰基、C1‑
C4烷基磺酰基、C1‑
C4卤代烷基磺酰基、羟基、甲酰基、C2‑
C4烷基羰基、C2‑
C4烷基羰基氧基、C1‑
C4烷基磺酰基氧基、C1‑
C4卤代烷基磺酰基氧基、氨基、C1‑
C4烷基氨基、C2‑
C4二烷基氨基、甲酰氨基、C2‑
C4烷基羰基氨基、

SF5、

SCN、C3‑
C4三烷基甲硅烷基、三甲基甲硅烷基甲基或三甲基甲硅烷基甲氧基;前提是该化合物不是具有式1的化合物,其中Q是Q

1;R1是H;R2是CH3;R3是C(CH3)3;R4是H;R6是H;Y是O,W是在2

位处被R9取代的苯基;并且R9是F。2.如权利要求1所述的化合物,其中R1是H、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基或C4‑
C8环烷基烷基;R2是C1‑
C3烷基或C1‑
C3卤代烷基;R3是卤素、C1‑
C6烷基或C1‑
C6卤代烷基;
Y是O;R4是H或Cl;R5是F、Cl或Br;n是1、2或3;R6是H、卤素、羟基、C1‑
C4烷氧基或C1‑
C4烷基;W是苯基、3

吡啶基或4

吡啶基,每个苯基、3

吡啶基或4

吡啶基任选地被至多4个R9取代;并且每个R9独立地是卤素、氰基、硝基、C1‑
C4烷基、C1‑
C4卤代烷基、C2‑
C4烷氧基烷基、C2‑
C4卤代烷氧基烷基、C3‑
C4环烷基、C3‑
C4卤代环烷基、环丙基甲基、甲基环丙基、C1‑
C4烷氧基、C1‑
C4卤代烷氧基、C3‑
C4环烷氧基、C1‑
C4烷硫基、C1‑
C4卤代烷硫基、C1‑
C4烷基亚磺酰基、C1‑
C4卤代烷基亚磺酰基、C1‑
C4烷基磺酰基、C1‑
C4卤代烷基磺...

【专利技术属性】
技术研发人员:J
申请(专利权)人:FMC公司
类型:发明
国别省市:

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