本发明专利技术提供一种能够抑制发光特性差异的电光装置、电子设备及电光装置的制造方法。有机ＥＬ装置（１１）具有玻璃基板、电路元件层、和阴极。发光元件层具有在像素电极（３２）上形成的功能层、和划分功能层的储格围堰（３４）。储格围堰（３４）具有第１下层储格围堰（４１）、第２下层储格围堰（４２）和上层储格围堰（４３）。而且，储格围堰（３４）形成为磁道状，且具有长宽比不同的形状的发光区域（１２）、和形成在发光区域（１２）的短边侧的圆弧（４４）区域。在圆弧（４４）区域中，第１下层储格围堰（４１）、第２下层储格围堰（４２）和上层储格围堰（４３）形成阶梯状。另一方面，在直线（４５）区域中，第１下层储格围堰（４１）和上层储格围堰（４３）形成阶梯状。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在储格围堰的开口部形成了功能层的电光装置、电子设 备、电光装置的制造方法。
技术介绍
作为上述的电光装置的一种，公知有有机EL (电致发光)装置。 有机EL装置具有在阳极与阴极之间夹持由发光材料构成的发光层的构 造。作为有机EL装置的制造方法，其中包括例如把发光材料墨水化， 使用喷墨法把墨水喷涂在基板上的发光区域的工序。在基板上的发光区 域，形成有用于把墨水填充在规定部分的、例如由有机材料(例如丙烯 树脂)构成的储格围堰中(bank)。储格围堰在相当于发光区域的区域中，例如形成有具有长边和短边 的磁道状开口部。在短边侧所形成的圓弧内侧，存在着墨水的浸润性差， 墨水难以填充的问题。由此，被喷吐在开口部中的墨水的厚度存在偏差， 其结果，不能实现均匀地发光。因此，如专利文献l所记载，例如公知有一种使膜厚均匀的方法， 该方法是，在储格围堰的开口部，把用于容易填充墨水的无机材料(例 如，氧化硅膜、氮化硅膜)，在丙烯树脂的储格围堰的下侧形成为二层 (以下称为二层储格围堰)，并使其阶梯状地露出，由此来提高圃弧 区域的墨水的浸润性，使储格围堰内的膜厚均匀。另外，如上述那样，形成在短边侧的圆弧的内侧，墨水的浸润性差， 而长边侧存在着墨水容易溢出的问题。因此，存在的问题是，被喷吐在 开口部中的墨水的厚度产生偏差，其结果，不能实现均匀地发光。因此，如专利文献2所记载，例如公知有一种使膜厚均匀方法在 储格围堰的开口部，把用于容易填充墨水的无机材料(例如，氧化硅膜)， 形成在丙烯树脂的储格围堰的下侧，并使一部分露出，由此来提高墨水 的浸润性，使储格围堰内的膜厚均匀。 [专利文献l]特开2005-158494号>^才艮本应用例的电光装置，其具有多个发光区域，并具有基 板；储格围堰，其形成在上述基板的除了上述发光区域以外的区域上， 并且包围上述发光区域；以及功能层，其被配置在由上述储格围堰所包 围的开口部中，上述储格围堰具有上层储格围堰、和比上述上层储格围 堰的浸润性高的多层下层储格围堰，与在上述开口部中的第1区域所露 出的上述下层储格围堰的层数相比，上述下层储格围堰在第2区域所露 出的上述下层储格围堰的层数少。根据该结构，由于在开口部中的第1区域中至少形成有下层储格围 堰，所以能够使液体浸润第1区域的下层储格围堰，从而能够把液体填 充到第1区域。由此，可抑制在发光区域中液体的厚度差异，在由液体 形成了功能层时，能够获得抑制了厚度的差异的功能层。其结果，在发 光区域中能够均匀发光。并且，由于露出在第2区域中的下层储格围堰的层数少，所以可抑制因下层储格围堰的端部的突出量而造成的液体的厚度差异。并且可扩大第2区域的开口面积。优选在上述应用例的电光装置中，上述开口部，从法线 方向观察，具有角部，上述第1区域是包含上述开口部中的上述角部的 一部分的区域。根据该结构，由于在包含角部的一部分的区域中至少形成有下层储 格围堰，所以，能够使液体浸润该区域的下层储格围堰，从而能够把液 体填充到包含比较难以填充液体的角部的一部分的区域。优选在上述应用例的电光装置中，上述开口部，从法线 方向观察，具有圆弧，上述第1区域是包含上述开口部中的上述圆弧的 一部分的区域。根据该结构，由于在包含圃弧的一部分的区域(圆弧内侧的一部分 等)中至少形成有下层储格围堰，所以，能够使液体浸润该区域的下层 储格围堰，从而能够把液体填充到包含比较难以填充液体的圆弧的一部 分的区域中。优选在上述应用例的电光装置中，上述第1区域以露出 上述第2下层储格围堰的方式形成。根据该结构，由于在比较难以填充液体的第1区域中形成浸润性高 的第2下层储格围堰，所以可将液体填充到第1区域。本应用例的电子设备其特征是，具有上述的电光装置。根据该结构，可获得能够提高数值孔径，并且能够均匀发光的电子 设备。本应用例的电光装置具有多个发光区域，并具有基板； 储格围堰，其形成在上述基板的一个面的除了发光区域以外的区域的至 少一部分上，并且包围上述发光区域；以及功能层，其配置在被上述储 格围堰包围的开口部中，上述储格围堰具有第l部分和第2部分，上述 第1部分的疏液性比上述第2部分的疏液性低。根据该结构，由于储格围堰的第l部分的疏液性比第2部分的低(浸 润性高)，所以能够使液体浸润开口部中的第1部分，从而能够把液体 填充到笫l部分的区域中。并且，利用第2部分的疏液性可抑制液体从 开口部中的第2部分的区域中的溢出。由此，可抑制在发光区域中液体 的厚度偏差，在由液体形成了功能层时，能够获得抑制了厚度的偏差的 功能层。其结果，在发光区域中能够均匀发光。优选在上述应用例的电光装置中，上述第l部分的表面 粗糙度比上述谏2部分的表面粗糙度小。根据该结构，由于第l部分的粗糙度小，所以能够使液体浸润第1 部分，从而能够把液体填充到第l部分的区域。并且，利用第2部分的粗糙度大，可抑制液体从第2部分的区域中的溢出。本应用例的电光装置的制造方法，用于制造具有多个发 光区域的电光装置，其特征在于，具有按照基板上的每个上述发光区 域形成像素电极的像素电极形成工序；形成储格围堰的储格围堰形成工 序，该储格围堰具有对上述基板上的上述像素电极进行包围的第l部分 和第2部分；在上述像素电极上的上述储格围堰的开口部，使用液滴喷 吐法形成发光层的发光层形成工序；以及隔着上述发光层，在上述像素 电极的相反侧形成阴极的阴极形成工序，上述储格围堰形成工序把上述 第l部分的疏液性形成为比上述第2部分的疏液性低。根据该方法，由于储格围堰的第l部分的疏液性形成为比第2部分 的低(浸润性高)，所以能够把液体填充到开口部中的第l部分的区域。 并且，利用第2部分的疏液性，可抑制液体从开口部的第2部分的区域中的溢出。由此，可抑制储格围堰内的液体的厚度偏差，其结果，能够 均匀发光。[应用例22优选在上述应用例的电光装置的制造方法中，上述开口 部具有角部，上述第l部分包含上述开口部中的上述角部的一部分。根据该方法，由于在开口部中包含角部的一部分的第l部分的疏液 性低(浸润性高)，所以，能够把液体填充到包含比较难以填充液体的 角部。并且，利用第2部分的疏液性，可抑制液体从第2部分的区域中 的溢出。[应用例23优选在上述应用例的电光装置的制造方法中，上述开口 部具有圆弧，上述第l部分包含上述开口部中的上述圆弧的一部分。根据该方法，由于在开口部中包含圆弧的一部分的第l部分的疏液 性低(浸润性高)，所以，能够把液体填充到包含比较难以填充液体的 圆弧的部分。[应用例24优选在上述应用例的电光装置的制造方法中，上述开口 部具有短边和长边，上述第1部分包含上述开口部中的上述短边侧的区 域，上述第2区域包含上述开口部中的上述长边侧的区域。根据该方法，由于包含短边侧的区域的第l部分的疏液性低(浸润 性高)，所以，能够把液体填充到宽度比第2部分窄的比较难以填充液 体的第1部分。并且，利用第2部分的疏液性，可抑制液体从第2部分 的区域中的溢出。应用例25优选在上述应用例的电光装置的制造方法中，上述储格 围堰形成工序具有在上述像素电极上涂敷涂敷液的涂敷工序，该涂敷 液包含具有光催化剂作用的材料；通过使上述涂敷液干燥而形成储格围 堰层的储格围堰层形成工序；在上本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电光装置，其具有多个发光区域，其特征在于， 具备：基板；储格围堰，其形成在上述基板的除了上述发光区域以外的区域上，并且包围上述发光区域；以及功能层，其配置在被上述储格围堰包围的开口部中， 上述储格围堰具有上层储格围堰、比上述上层储格围堰的浸润性高的多层下层储格围堰， 与在上述开口部中的第１区域所露出的上述下层储格围堰的层数相比，上述下层储格围堰在第２区域所露出的上述下层储格围堰的层数少。
【技术特征摘要】
JP 2007-7-23 2007-190434;JP 2007-7-23 2007-1904371.一种电光装置，其具有多个发光区域，其特征在于，具备基板；储格围堰，其形成在上述基板的除了上述发光区域以外的区域上，并且包围上述发光区域；以及功能层，其配置在被上述储格围堰包围的开口部中，上述储格围堰具有上层储格围堰、比上述上层储格围堰的浸润性高的多层下层储格围堰，与在上述开口部中的第1区域所露出的上述下层储格围堰的层数相比，上述下层储格围堰在第2区域所露出的上述下层储格围堰的层数少。2. 根据权利要求l所述的电光装置，其特征在于， 上述开口部，从法线方向观察，具有角部，上述第1区域是包含上述开口部中的上述角部的一部分的区域。3. 根据权利要求l所述的电光装置，其特征在于， 上述开口部，从法线方向观察，具有圆弧，上述第1区域是包含上述开口部中的上述圆弧的一部分的区域。4. 根据权利要求l所述的电光装置，其特征在于， 上述开口部，从法线方向观察，具有短边和长边， 上述第1区域是上述开口部中的上述短边侧的区域， 上述第2区域是上述开口部中的上述长边侧的区域。5. 根据权利要求1 4中任意一项所述的电光装置，其特征在于， 上述下层储格围堰，从上述基板侧开始具有第1下层储格围堰和第2下层储格围堰，上述第2下层储格围堰对液体的接触角比上述第1下层储格围堰对 液体的接触角小。6. 根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于， 上述第1下层储格围堰是氧化硅膜，上述第2下层储格围堰是氮化硅膜。7. 根据权利要求5或6所述的电光装置，其特征在于， 上述第1区域以露出上述第2下层储格围堰的方式形成。8. 根据权利要求5或6所述的电光装置，其特征在于，上述第1区域以露出上述第1下层储格围堰和上述第2下层储格围 堰的方式而形成，上述第2区域以露出上述第1下层储格围堰或上述第2下层储格围堰的任意一方的方式而形成。9. 一种电光装置，其具有多个发光区域，其特征在于，具备基板；储格围堰，其形成在上述基板的除了上述发光区域以 外的区域上，并且包围上述发光区域；以及功能层，其配置在被上述储 格围堰包围的开口部中，上述储格围堰具有上层储格围堰、和比上述上层储格围堰的浸润性 高的下层储格围堰，上述下层储格围堰，在上述开口部中的第1区域中露出，在第2区 域中未露出。10. 根据权利要求l-8中任意一项所述的电光装置，其特征在于， 还具有像素电极，其与上述多个发光区域的每一个相对应，形成在上述基板的一个面上；以及公共电极，其隔着上述功能层设置在上述 像素电极的相反侧，上述功能层至少具有发光层。11. 一种电子设备，其特征在于，具有权利要求1 10中任意一项所 述的电光装置。12. —种电光装置，其具有多个发光区域，其特征在于，具备基板；储格围堰，其形成在上述基板的一个面的除了发光区 域以外的区域的至少一部分中，并且包围上述发光区域；以及功能层， 其配置在被上述储格围堰包围的开口部中， 上述储格围堰具有第1部分和第2部分， 上述第1部分的疏液性比上述第2部分的疏液性低。13. 根据权利要求12所述的电光装置，其特征在于， 上述开口部具有角部，上述第l部分包含上述开口部中的上述角部的一部分。14. 根据权利要求12所述的电光装置，其特征在于， 上述开口部具有圆弧，上述第l部分...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳原弘和，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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