一种分层熔体结构及依次打断导体和分层熔体的激励保护装置，包括至少两根熔体，所述熔体上下分层设置，所述熔体两端并联连接形成连接端。本发明专利技术的激励保护装置，包括壳体，激励源、冲击装置、导体，在所述导体上还并联连接有本发明专利技术的分层熔体结构；当激励源驱动冲击装置动作断开所述导体后，所述冲击装置依次断开所述分层熔体结构上的各层熔体。本发明专利技术的分层熔体结构可提高激励保护装置的灭弧能力和分断能力。能力。能力。
【技术实现步骤摘要】
一种分层熔体结构及依次打断导体和分层熔体的激励保护装置
[0001]本专利技术涉及电力控制和电动汽车领域，尤其是指通过依次打断导体和分层熔体进行电流分断的激励保护装置。
技术介绍
[0002]目前电动汽车电池包保护器件除了传统的热熔熔断器，已经存在一种快速切断开口的激励保护装置，并逐渐扩大应用范围。熔断器为利用电流热积累效应，使熔体设置的电流感知点(狭颈)在一定时间里熔化断开并熄灭电弧的保护器件。激励保护装置为在短时间内利用电子气体发生装置推动绝缘体切断导体形成物理断口的一种快速保护器件。
[0003]熔断器的优点为成熟稳定、可分断上限高、灭弧能力强，缺点为：耐电流冲击性差；发热量较大；在低倍数故障电流下需长时间才能断开电路，无法实现快速保护；熔断器熔断后无法达到完全的物理隔绝，主要体现在断后绝缘电阻数值较小，数值范围在0.1MΩ～50MΩ；体积重量较大。激励保护装置的优点为通过快速切断开口实现快速保护、耐电流冲击性好、发热量小、断开后可实现完全的物理隔绝，断后绝缘电阻数值范围在550MΩ以上；缺点为单靠切断开口分断上限不高、灭弧能力弱(依靠空气冷却灭弧或挤压灭弧)。
[0004]综合传统熔断器和激励保护装置的优缺点，已经出现了在激励保护装置的导体上并联熔体来提高灭弧能力和分断能力的方案，并在此基础上进一步出现了较优的方案，即依次打断导体和并联在导体上的熔体的激励保护装置。该方案在小倍数故障电流下，主要利用打断导体断开电路熔体不熔断仅被切断；在中倍数故障电流下，先打断导体，电流转移到熔体上，熔体开始熔断，熔断过程中切断熔体并加速灭弧和分断；在大倍数故障电流下，先打断导体，电流转移到熔体上，熔体很快完全熔断，最后在无电流的情况下打断熔体，实现完全的物理隔绝。这种激励熔断器目前存在的问题为：在中倍数故障电流下，由于导体已经被打断，此时依靠熔体介入分断故障电流，但中倍数故障电流不能使熔体迅速熔断，此时只能依靠切断熔体来实现切断故障电流，此时会较难分断故障电流。这种中倍数故障电流情况下，导体先被打断而熔体狭径部分熔化但未完全熔断并只能依靠强制打断熔体来分断的故障电流，我们称之为阶跃电流。随着需要的分断故障电流范围增大时，需要分断能力更高的熔体，阶跃电流也随之升高。例如分断0～10KA故障电流的熔体，其阶跃电流在3～6KA左右，而分断0
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20KA故障电流的熔体，其阶跃电流也将增大至6～12KA。随着市场需求，对高压保护器件分断能力要求越来越来大，也就意味着阶跃电流的上限也将越来越高，范围也会越来越大，阶跃电流下产生的问题也会被无限放大，可能导致断后绝缘电阻不佳，甚至可能导致分断失败。
技术实现思路
[0005]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种分层熔体结构及依次打断导体和分层熔体的激励保护装置，采用多根熔体分层设置与导体并联。遇到大故障电流时，在打断导体
后，依次打断分层布置的熔体，随着熔体逐层被切断，熔体的横截面积降低，其阶跃电流也随之降低，从而将阶跃电流降至切断结构能够承受的范围，实现正常分断，达到完全的物理隔绝。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案是一种分层熔体结构，包括至少两根熔体，其特征在于，所述熔体上下分层设置，所述熔体两端并联连接形成连接端。
[0007]优选地，所述熔体折弯呈分层设置。
[0008]优选地，所述连接端开设有连接通孔。
[0009]优选地，在每根所述熔体上分别设置有断开薄弱处。
[0010]优选地，在所述熔体上设置有狭颈。
[0011]本专利技术还提供一种依次打断导体和分层熔体的激励保护装置，包括壳体，激励源、冲击装置、导体，在所述导体上还并联连接有上述分层熔体结构；当激励源驱动冲击装置动作断开所述导体后，所述冲击装置依次断开所述分层熔体结构上的各层熔体。
[0012]优选地，在每根熔体上设置有至少一个预断口，在至少一个预断口处设置有推块机构，所述冲击装置驱动所述推块机构断开所述熔体预断口形成断口。
[0013]优选地，所述推块机构以嵌套装置形式夹持在所述熔体预断口上。
[0014]优选地，所述分层熔体结构位于所述导体下方的壳体中，在所述导体及分层熔体结构的每根熔体上分别设置有至少一个断开薄弱处，在所述冲击装置上对应设置有断开所述导体和每根所述熔体断开薄弱处的冲击头。
[0015]优选地，所述壳体自上而下依次包括保护套、支撑壳、上壳体、下壳体、熔体壳体和支撑板，各壳体间接触面处为密封接触；所述激励源设置在所述支撑壳中通过所述保护套固定，所述激励源与所述支撑壳接触处为密封接触；所述冲击装置设置于所述上壳体中，所述冲击装置与所述上壳体接触面处为密封接触；所述导体穿设固定在所述上壳体与所述下壳体间；所述分层熔体结构位于所述下壳体内，通过所述熔体壳体进行支撑；所述支撑板用于固定所述熔体壳体。
[0016]优选地，在所述支撑壳与所述上壳体相接触的端面间设置有用来装配定位和密封的凸块凹槽结构。
[0017]优选地，在所述上壳体空腔上端处形成一圈倒角斜面，在所述冲击装置上端处对应设置有尖状凸棱，所述尖状凸棱卡设在所述倒角斜面上对所述冲击装置初始位置限位。
[0018]优选地，在所述下壳体和熔体壳体形成的密闭空腔中填充有灭弧介质，所述熔体穿设在所述灭弧介质中，熔体的狭颈完全位于所述灭弧介质中。
[0019]本专利技术的并联熔体结构，将多根熔体分层设置成为并联熔体结构整体，简化了多根容易分层设置的激励保护装置的组装工序，提高了组装效率。在激励保护装置中分层并联多根熔体，依次在导体和并联熔体上形成多个断口，逐级降低流经熔体的电流，更易灭弧。当遇到大故障电流时，在断开导体后，依次断开分层布置的熔体，随着熔体逐层被切断，熔体的横截面积降低，其阶跃电流也随之降低，从而将阶跃电流降至切断结构能够承受的范围，实现正常分断，达到完全的物理隔绝。因此，使用本专利技术的并联熔体结构的激励保护装置，分断能力和灭弧能力均得到很大的提升。
附图说明
[0020]图1是分层熔体结构示意图。
[0021]图2是使用分层熔体结构的激励保护装置剖视图。
[0022]图3是垂直图2的剖视方向的使用分层熔体结构的激励保护装置剖视图。
[0023]图4是分层熔体结构与推块机构、分层熔体结构壳体、盖板结构示意图。
[0024]图5是区别图4视角的分层熔体结构与推块机构、分层熔体结构壳体、盖板结构示意图。
具体实施方式
[0025]本专利技术提供分层熔体结构及使用该分层熔体结构的可依次断开导体和分层熔体的激励保护装置。
[0026]分层熔体结构，包括至少两根熔体，多根熔体上下分层设置，多根熔体两端并联连接形成连接端。
[0027]使用上述分层熔体结构的可依次断开导体和分层熔体的激励保护装置，自上而下依次包括保护套、支撑壳、上壳体、导体、下壳体、熔体壳体、支撑板；还包括设置在支撑壳中的激励源、设置在上壳体中的冲击装置、穿设在上壳体与下壳体间的导本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种分层熔体结构，包括至少两根熔体，其特征在于，所述熔体上下分层设置，所述熔体两端并联连接形成连接端。2.根据权利要求1所述的分层熔体结构，其特征在于，所述熔体折弯呈分层设置。3.根据权利要求1所述的分层熔体结构，其特征在于，所述连接端开设有连接通孔。4.根据权利要求1至3任一所述的分层熔体结构，其特征在于，在每根所述熔体上分别设置有断开薄弱处。5.根据权利要求4所述的分层熔体结构，其特征在于在所述熔体上设置有狭颈。6.一种依次打断导体和分层熔体的激励保护装置，包括壳体，激励源、冲击装置、导体，其特征在于，在所述导体上还并联连接有权利要求1至5任一所述分层熔体结构；当激励源驱动冲击装置动作断开所述导体后，所述冲击装置依次断开所述分层熔体结构上的各层熔体。7.根据权利要求6所述的依次打断导体和分层熔体的激励保护装置，其特征在于，在每根所述熔体上设置有至少一个预断口，在至少一个预断口处设置有推块机构，所述冲击装置驱动所述推块机构断开所述熔体预断口形成断口。8.根据权利要求7所述的依次打断导体和分层熔体的激励保护装置，其特征在于，所述推块机构以嵌套装置形式夹持在所述熔体预断口上。9.根据权利要求6所述的依次打断导体和分层熔体的激励保护装置，其特征在于，所述分层熔体结构位于所述导体下方的壳体中，在所述导体及分层熔体结构的每根熔体上分别设置有至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：戈西斌，王欣，石晓光，段少波，
申请(专利权)人：西安中熔电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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