一种Ag2WO4/WO3/g-C3N4异质结复合光催化材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Ag2WO4/WO3/g

【技术实现步骤摘要】
一种Ag2WO4/WO3/g
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C3N4异质结复合光催化材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光催化材料领域，具体涉及一种Ag2WO4/WO3/g
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C3N4异质结复合光催化材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]石墨氮化碳(g
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C3N4)具有类石墨烯层状结构，是一种新颖的可见光响应型光催化材料，由于其具有稳定无毒、不含贵金属、禁带宽度为2.7eV、制备过程简单等优点，此材料被广泛应用于水分解和有机污染物的光催化降解。然而，通过简单的煅烧热解制得纯g
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C3N4光生电子
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空穴对易复合，导致光催化效率低，为了提高其光催化活性，选择合适的半导体与其耦合形成异质结是一种提高光催化性能的有效技术之一。WO3因其具有无毒、稳定性好、窄带隙、可利用可见光进行光催化反应等特点，使得WO3成为合成具有更高光催化活性的半导体异质结的良好候选物，研究表明WO3/g
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C3N4复合光催化剂，与纯WO3和g
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C3N4相比，光催化活本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Ag2WO4/WO3/g
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C3N4异质结复合光催化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将三聚氰胺热解制得的g
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C3N4进行预处理，加入去离子水中搅拌均匀，加入浓盐酸后在140～180℃下反应0.5～4h，冷却洗涤干燥，得到三维网络状的g
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C3N4，三维网络状的g
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C3N4中形成有纳米介孔和亚微米以上的大孔；(2)将钨酸钠溶于去离子水中，加入乳酸，接着滴加盐酸，调节pH为1～2，向其中加入硝酸银后在160～200℃条件下反应18～24h，冷却洗涤干燥，得到Ag2WO4/WO3复合纳米片；(3)将步骤(1)中制得的三维网络状的g
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C3N4和步骤(2)中制得的Ag2WO4/WO3复合纳米片球磨混合8
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12h，制备得到Ag2WO4/WO3/g
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C3N4异质结复合光催化材料。2.根据权利要求1所述的Ag2WO4/WO3/g
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C3N4异质结复合光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)三聚氰胺升温到500～550℃，煅烧热解2～4h，研磨得到粉末g
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C3N4。3.根据权利要求1所述的Ag2WO4/WO3/g
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C3N4异质结复合光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中热解制得的g
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C3N4与去离子水、浓盐酸的添加比为(1～2g):(20～25ml):(5～10ml)。4.根据权利要求1
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3任一项所述的Ag2WO4/WO3/g
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C3N4异质结复合光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中制得的三维网络状g
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C3N4的纳米介孔孔径为5～50纳米，亚微米以上的大孔孔径为0.8～2微米。5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙艳，赵倩茹，刘思南，陈双洋，任炳华，王欢，阳康，徐世荣，余梦帆，杨勇，杨姗姗，
申请(专利权)人：成都大学，
类型：发明
国别省市：