本发明专利技术公开了一种多肉植物天照万象组织培养快速繁殖方法，包括：从天照万象植株上剪取花剑，消毒，切除基部；初代培养：将切段的外殖体进行诱导培养，待小苗长出，切出小苗，进行增值培养；将增值苗接入到退激素培养基中培养，退激素处理后的芽苗进行生根培养，幼苗驯化。上述各培养基中采用改良的ms培养基，可在短时间获得大量天照万象组培苗，提高增殖倍数，减少玻璃化和污染率。减少玻璃化和污染率。减少玻璃化和污染率。
【技术实现步骤摘要】
一种多肉植物天照万象组织培养快速繁殖方法
[0001]本专利技术涉及组织培养方法，特别涉及一种多肉植物天照万象组织培养快速繁殖方法。
技术介绍
[0002]天照万象属百合亚纲天门冬属目独尾草科十二卷属多肉植物，是由日本育种家酒井通过杂交改良的品种，天照万象是最著名的无纹万象，特点是清澈大窗，有近似翡翠冰面的小裂纹，属无纹万象中最经典的万象，观赏价值极高，深受国内外玩家欢迎，具有较高的市场前景和经济价值。
[0003]天照万象无法通过种子繁殖，采用叶插繁殖，周期长，且不易获得大批母叶。目前天照万象的常规育苗方法包括叶插法和根插法。但叶插法和根插法期生长缓慢，育苗周期达四年以上；叶插苗成活率和繁殖效率低。仅通过传统方式获得种苗已经不能满足日益扩大的市场需求。因而采用组织培养技术繁殖天照万象成为重要的良种繁育途径。然而，当前生产上天照万象组织培养繁殖仍存在以下一些问题：1、天照万象在自然条件下生长较慢，不容易获得较多外植体，极大地影响了天照万象初代愈伤组织的获得量，制约了天照万象的规模化生产；2、增殖诱导率低。增殖培养基普遍以MS为基本培养基，丛生芽诱导量较低，且出瓶苗瘦弱；3、出瓶苗窗面过大，出瓶苗畸形，导致在自然条件下极易缩窗；
[0004]因此，通过组织培养技术提高天照万象繁殖系数是当前生产上必需解决的问题。
技术实现思路
[0005]专利技术目的：本专利技术目的是提供一种提高增值率和产量的多肉植物天照万象组织培养快速繁殖方法。
[0006]技术方案：本专利技术提供一种多肉植物天照万象组织培养快速繁殖方法，包括如下步骤：
[0007](1)外植体准备：
[0008]从天照万象植株上剪取花剑，洗净，消毒，切除基部，备用；
[0009](2)初代培养：
[0010]接种前，将培养基消毒，将花剑茎段切成每4～5cm的外殖体，然后将外殖体下端插入诱导培养基中，培养30～40天，待花剑上隐芽抽生萌发出小苗长至0.2～0.4cm时，切出小苗移至增值培养基中进行增值培养；
[0011](3)增值培养：
[0012]a、增值培养I：
[0013]将初代培养后的苗插入继代培养基中培养，培养温度为22℃
‑
28℃，光照强度1500～2000lux，培养数天后，分割形成单株苗，在转苗过程中，去掉外圈老叶；
[0014]b、增值培养II：
[0015]将增值培养1后的单株苗接入增值培养基II中培养，培养温度为22℃
‑
28℃；
[0016](4)退激素处理：
[0017]将增值苗接入到退激素培养基中培养，培养温度为22℃
‑
28℃；
[0018](5)生根培养：
[0019]将退激素处理后的芽苗转移到生根培养基上培养，培养温度为22℃～28℃，光照强度1500～2000lux，每日光照12小时，培养室温度为16℃～28℃，培养数天后，待根长出，即可出瓶；
[0020](6)幼苗驯化：
[0021]将生根培养后的芽苗移到大棚中，顶端盖遮光率为85％的遮阳网，静置后出瓶，出瓶后，将所有苗根全部要切掉，并将切口朝上，晾干，移栽于无土栽培基质中，保持遮光率为为50％～60％，温度为22℃～28℃，7～30天即可生根。
[0022]进一步地，各培养基中均包括改良MS培养基，每升改良MS培养基中含：大量元素：82.5硝酸铵、95mg硝酸钾、18.5mg七水硫酸镁；钙溶液：44g二水氯化钙；磷酸溶液：17g磷酸二氢钾；铁盐：2.78g乙二胺四乙酸二钠，3.73g七水硫酸亚铁；微量元素：2.23g四水硫酸锰，0.86g七水硫酸锌，0.0025g六水氯化钴，0.0025g五水硫酸铜，0.62g硼酸，0.025g钼酸钠，0.083g碘化钾；有机元素：0.05g烟酸，0.05g维生素B6，0.05g维生素B1，10g肌醇，0.2g甘氨酸。
[0023]进一步地，所述步骤(2)中初代培养基配方为：改良MS+1.0ml/L 6
‑
BA+1.0ml/L KT+0.06ml/L NAA+蔗糖30g/L+琼脂7g/L，PH为5.8，培养温度为22℃～28℃，光照强度1500～2000lux，在组培瓶顶端放上报纸，遮光培养。
[0024]进一步地，所述增值培养I的培养基配方为：改良MS+0.16～0.17ml/L 6
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BA+0.16～0.17ml/L KT+0.06～0.07ml/L NAA+蔗糖30g/L+琼脂7g/L，PH为5.8。
[0025]进一步地，所述增值培养II的培养基配方为：改良MS+0.53～0.54ml/L 6
‑
BA+0.53～0.54ml/L KT+0.06～0.07ml/L NAA+蔗糖30g/L+琼脂7g/L，PH为5.8。
[0026]进一步地，所述退激素培养基配方为改良MS+蔗糖30g/L+琼脂7g/L，PH为5.8。
[0027]进一步地，所述生根培养基为改良MS+0.2mg/L NAA+蔗糖30g/L+琼脂7g/L，PH为5.8。
[0028]进一步地，所述步骤(6)的基质成分与配方为：鹿沼土，赤玉土，大汉泥炭413＝3∶3∶4。
[0029]有益效果：本专利技术与现有技术相比，具有如下优势：
[0030]1、采用多肉植物花剑器官为外殖体。组织苗初代培养形成的改良ms培养基作为增殖培养基，可以在较短时间获得大量天照万象组培苗。
[0031]2、增加了侧芽萌发量，提高了天照万象增殖倍数达到6
‑
8倍以上。
[0032]3、降低了育苗次数，缩短了壮苗得时间，在二十天就能看到明显变化。
[0033]4、组培过程中不容易玻璃化。
[0034]5、出瓶苗壮实，出瓶苗窗面正常，自然条件下能正常生长，出瓶以后容易硬化，不易缩窗。
[0035]6、在一个流程中，用两次增值，极大的提高的了天照万象的增值量。
附图说明
[0036]图1为初代培养；
[0037]图2为增殖培养；
[0038]图3为棚栽培中幼苗。
具体实施方式
[0039]实施例1：镇江万山红遍生态园
[0040]步骤1：外植体准备
[0041][1]外植体选取
[0042]当天照万象植株长出花剑，约15cm时，从天照万象植株上剪取花剑，用自来水反复冲洗干净，最后用洗衣粉刷洗表面，后在无菌条件下放入烧杯中备用。
[0043][2]外植体消毒
[0044]将花剑用75％酒精浸泡6s，后用无菌清水冲洗4次，然后在放入0.1％升汞溶液浸泡4分钟，以上过程要不断轻微摇动，以便外植体与溶液充分接触，最后在用无菌清水反复冲洗外植体6遍，直至将残留生汞完全冲洗干净，最后用无菌纸吸干花剑表面水分，切除基部0.5厘米，其余部分保留备用。
[0045]步骤2初代培养
[本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多肉植物天照万象组织培养快速繁殖方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)外植体准备：从天照万象植株上剪取花剑，洗净，消毒，切除基部，备用；(2)初代培养：接种前，将培养基消毒，将花剑茎段切成每4～5cm的外殖体，然后将外殖体下端插入诱导培养基中，培养30～40天，待花剑上隐芽抽生萌发出小苗长至0.2～0.4cm时，切出小苗移至增值培养基中进行增值培养；(3)增值培养：a、增值培养I：将初代培养后的苗插入继代培养基中培养，培养温度为22℃
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28℃，光照强度1500～2000lux，培养数天后，分割形成单株苗，在转苗过程中，去掉外圈老叶；b、增值培养II：将增值培养1后的单株苗接入增值培养基II中培养，培养温度为22℃
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28℃；(4)退激素处理：将增值苗接入到退激素培养基中培养，培养温度为22℃
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28℃；(5)生根培养：将退激素处理后的芽苗转移到生根培养基上培养，培养温度为22℃～28℃，光照强度1500～2000lux，每日光照12小时，培养室温度为16℃～28℃，培养数天后，待根长出，即可出瓶；(6)幼苗驯化：将生根培养后的芽苗移到大棚中，顶端盖遮光率为85％的遮阳网，静置后出瓶，出瓶后，将所有苗根全部要切掉，并将切口朝上，晾干，移栽于无土栽培基质中，保持遮光率为为50％～60％，温度为22℃～28℃，7～30天即可生根。2.根据权利要求1所述的多肉植物天照万象组织培养快速繁殖方法，其特征在于：各培养基中均包括改良MS培养基，每升改良MS培养基中含：大量元素：82.5硝酸铵、95mg硝酸钾、18.5mg七水硫酸镁；钙溶液：44g二水氯化钙；磷酸溶液：17g磷酸二氢钾；铁盐：2.78g乙二胺四乙酸二钠，3.73g七水硫酸亚铁；微量元素：2.23g四水硫酸锰，0.86g七水硫酸锌，0.0025g六水氯化钴，0.002...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭正兵，李鹏飞，王姗，
申请(专利权)人：江苏农林职业技术学院，
类型：发明
国别省市：
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