一种基于MicroLED的硒鼓打印结构制造技术

本发明专利技术公开了一种基于Micro LED的硒鼓打印结构，包括硒鼓滚筒，还包括设置在所述硒鼓滚筒上方的自发光组件，所述自发光组件包括设置为条形结构的Micro LED阵列，所述Micro LED阵列用于向硒鼓滚筒的表面发射特定波长的红外光；所述Micro LED阵列与所述硒鼓滚筒之间设有光波导管线阵，所述光波导管线阵用于聚拢光线，所述光波导管线阵上靠近所述硒鼓滚筒的一侧设有微透镜线阵，所述微透镜线阵用于对光线进行收；所述Micro LED阵列包括若干Micro LED器件，所述Micro LED器件包括像素电极和发光颗粒，所述发光颗粒为采用垂直结构的半导体发光二极管微粒。本发明专利技术通过采用MicroLED发光芯片替代了传统打印机的激光，提高了出光效率且降低了功耗。且降低了功耗。且降低了功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种基于Micro LED的硒鼓打印结构


[0001]本专利技术涉及Micro LED器件
，具体为一种基于Micro LED的硒鼓打印结构。

技术介绍

[0002]光导鼓(感光鼓)、磁鼓(显影辊)以及墨粉盒一体构成硒鼓，硒鼓不仅决定了打印质量的好坏，还决定了使用者在使用过程中需要花费的金钱多少。现在常用的是激光硒鼓打印机，但是激光硒鼓的打印质量并不高且功耗较大。
[0003]Micro LED技术一般指微型的LED颗粒通过可控的电极供电控制其开关的技术,本专利中的Micro LED包含直小于等于500微米的微LED颗粒,本文所指Micro LED可用Mini LED的称呼进行命名。即也可理解为本文所述Micro LED可用MiniLED进行等价替换。
[0004]MicroLED是新一代可控发光技术，比激光发光效率更好、功耗更低，但是现在还没有应用MicroLED技术的硒鼓打印机结构。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供了一种基于Micro LED的硒鼓打印结构，采用MicroLED发光芯片，提高了出光效率且降低了功耗。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种基于Micro LED的硒鼓打印结构，包括硒鼓滚筒，还包括设置在所述硒鼓滚筒上方的自发光组件，所述自发光组件包括设置为条形结构的Micro LED阵列，所述Micro LED阵列用于向硒鼓滚筒的表面发射特定波长的红外光。
[0007]优选的，所述Micro LED阵列与所述硒鼓滚筒之间设有光波导管线阵，所述光波导管线阵用于聚拢光线。
[0008]优选的，所述Micro LED阵列包括若干Micro LED器件，所述Micro LED器件包括像素电极和发光颗粒，所述发光颗粒为采用垂直结构的半导体发光二极管微粒。
[0009]优选的，所述光波导管线阵中光波导管的数量大于等于所述Micro LED阵列中Micro LED器件的数量。
[0010]优选的，所述光波导管线阵上靠近所述硒鼓滚筒的一侧设有微透镜线阵，所述微透镜线阵用于对光线进行收敛。
[0011]优选的，所述发光颗粒包括N型半导体、P型半导体和设置在二者之间的发光量子阱，所述像素电极设置为阴极电极且与所述N型半导体相连接，所述P型半导体通过引线与阳极电极相连接，且所述发光颗粒的侧边设置有绝缘隔离结构。
[0012]优选的，所述绝缘隔离结构设置在所述P型半导体和发光量子阱的侧边。
[0013]优选的，所述引线通过绝缘层与所述发光颗粒的侧边相连接。
[0014]优选的，所述发光量子阱的发光波长范围为170nm
‑
180nm。
[0015]优选的，所述阴极电极和阳极电极分别嵌至硅基板的表面，所述阴极电极和阳极
电极均为金属电极，且所述硅基板上布设有与阴极电极和阳极电极相连接的CMOS驱动控制电路，所述CMOS控制电路用于对阳极电极进行供电控制以实现对发光颗粒的发光控制。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0017]本专利技术通过采用MicroLED发光芯片替代了传统打印机的激光，提高了出光效率且降低了功耗；
[0018]通过在Micro LED阵列与硒鼓滚筒之间设置光波导管线阵对Micro LED的发射光线进行聚拢，提高了出光效率；
[0019]通过将硅基板上内嵌的阴极电极与发光颗粒的N型半导体侧直接连接，可以省去硅基板与发光颗粒之间的绝缘层，可以减少发光功耗。
附图说明
[0020]图1为本专利技术一种基于Micro LED的硒鼓打印结构的结构示意图。
[0021]图中：1、硒鼓滚筒；2、自发光组件；21、光波导管；22、微透镜；23、发光颗粒；231、N型半导体；232、P型半导体；233、发光量子阱；24、阴极电极；25、阳极电极；26、引线；27、绝缘层；28、绝缘隔离结构；3、硅基板；4、CMOS驱动控制电路。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]如图1所示，本专利技术提供的一种实施例，一种基于Micro LED的硒鼓打印结构，包括硒鼓滚筒，还包括设置在所述硒鼓滚筒上方的自发光组件，所述自发光组件包括设置为条形结构的Micro LED阵列，所述Micro LED阵列用于向硒鼓滚筒的表面发射特定波长的红外光，发光量子阱的发光波长范围为170nm
‑
180nm。通过采用MicroLED发光芯片，提高了出光效率且降低了功耗。
[0024]优选的，所述Micro LED阵列与所述硒鼓滚筒之间设有光波导管线阵，所述光波导管线阵用于聚拢光线。进一步的，在此基础上，所述光波导管线阵上靠近所述硒鼓滚筒的一侧还可以设置用于对光线进行收敛的微透镜线阵，以对对Micro LED的发射光线进行进一步的收敛。
[0025]通过在Micro LED阵列与硒鼓滚筒之间设置光波导管线阵和微透镜线阵对Micro LED的发射光线进行聚拢，提高了出光效率。
[0026]优选的，所述Micro LED阵列包括若干Micro LED器件，所述Micro LED器件包括像素电极和发光颗粒，所述发光颗粒为采用垂直结构的半导体发光二极管微粒；所述发光颗粒包括N型半导体、P型半导体和设置在二者之间的发光量子阱，所述像素电极设置为阴极电极且与所述N型半导体相连接，所述P型半导体通过引线与阳极电极相连接，引线通过绝缘层与所述发光颗粒的侧边相连接，通过将硅基板上内嵌的阴极电极与发光颗粒的N型半导体侧直接连接，可以省去硅基板与发光颗粒之间的绝缘层，可以减少发光功耗。
[0027]所述发光颗粒的侧边设置有绝缘隔离结构，所述绝缘隔离结构设置在所述P型半
导体和发光量子阱的侧边，且隔离结构的高度大于发光颗粒的高度，隔离结构的作用在于，一方面可以对发光颗粒的发射光线进行收敛，另一方面可以对其顶部的光波导管线阵进行物理支撑，避免了光波导管对于发光颗粒的挤压，可以提升发光颗粒的使用寿命。
[0028]优选的，所述光波导管线阵中光波导管的数量大于等于所述Micro LED阵列中Micro LED器件的数量，由于将光波导管线阵进行安装时是将一步一步进行安装的，发光颗粒与隔离结构是一体成型的，隔离结构是由绝缘反光的材料制成，若干柱状的隔离结构形成支撑面，安装时，首先将发光颗粒与硅基板进行安装，然后再将光波导管线阵安装在隔离结构形成的支撑面上，如果光波导管的数量大于Micro LED阵列中Micro LED器件的数量，可以降低安装对准难度。
[0029]优选的，所述阴极电极和阳极电极分别嵌至硅基板的表面，所述阴极电极和阳极电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于Micro LED的硒鼓打印结构，包括硒鼓滚筒，其特征在于，还包括设置在所述硒鼓滚筒上方的自发光组件，所述自发光组件包括设置为条形结构的Micro LED阵列，所述Micro LED阵列用于向硒鼓滚筒的表面发射特定波长的红外光。2.根据权利要求1所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述Micro LED阵列与所述硒鼓滚筒之间设有光波导管线阵，所述光波导管线阵用于聚拢光线。3.根据权利要求2所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述Micro LED阵列包括若干Micro LED器件，所述Micro LED器件包括像素电极和发光颗粒，所述发光颗粒为采用垂直结构的半导体发光二极管微粒。4.根据权利要求3所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述光波导管线阵中光波导管的数量大于等于所述Micro LED阵列中Micro LED器件的数量。5.根据权利要求4所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述光波导管线阵上靠近所述硒鼓滚筒的一侧设有微透镜线阵，所述微透镜线阵用于对光线进行收敛。6.根据权利要求3
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙雷，张婧姣，
申请(专利权)人：北京数字光芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：