一种多晶硅变流干式变压器制造技术

本实用新型专利技术提供一种多晶硅变流干式变压器，包括：三相铁心，以及分别套设在所述三相铁心上的三相原边绕组和三相副边绕组；三相副边绕组中的每相副边绕组包括两组单相副边分裂绕组，六组所述单相副边分裂绕组之间相互独立，且彼此绝缘；每组单相副边分裂绕组中的上部分线圈和下部分线圈在铁心的辐向上间隔开分布，且上部分线圈和下部分线圈在所述铁心的轴向上间隔开分布，通过外部连线串联连接。本实用新型专利技术中的变压器在半穿越运行状态变压器负载运行时，两个并联的原边绕组之间不会产生环流，不会发生漏磁场分布不对称、涡流损耗突然剧增、变压器绕组首末端部局部过热、变压器烧毁事故等状况，极大提高了产品运行可靠性。极大提高了产品运行可靠性。极大提高了产品运行可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅变流干式变压器


[0001]本技术涉及变流变压器
，具体涉及一种多晶硅变流干式变压器。

技术介绍

[0002]多晶硅还原炉电气系统的主要设备是大功率调压器。调压器(即：多晶硅变流干式变压器)所带负载是多晶硅棒串联而成的纯电阻负载。调压器的作用实际上是对负载电阻进行电加热，并且保持硅棒表面温度恒定(一般1080℃)。硅棒电阻大范围变动引起调压器输出电压和电流的调节范围大是这种调压器的设计特点，在通常的情况下，多晶硅变流干式变压器容量和单炉产量有很大关系，容量越大，炉产量就越高，电流的大小和多晶硅棒的面积有关系，电流越大，所生产硅棒直径就越粗；电压的高低和多晶硅棒的长短有关系，额定电压越高，发热体总长度越长，生产出硅棒总长度就越长，因此，大部分还原的电器设备，都朝着大电流大容量等方面发展。伴随着多晶硅产能大幅提高，相应的多晶硅变流干式变压器容量也随之增大，由此带来多晶硅生产过程出现的异常情况增多，例如硅棒碰壁、裂棒检测及断电再上电继续生产等等，表现在多晶硅变流干式变流变压器上的情况如下：
[0003]1、变压器现场运行中，由于采用晶闸管控制存在谐波对变压器的影响，包括谐波对铁心励磁的影响，回路中的谐波电流将会使铁心励磁曲线产生畸变，谐波含量(主要是3次～13次谐波)，谐波引起变压器损耗增加、温升升高问题；谐波引起高频震动，影响产品噪声及结构安全稳定；高次谐波含量很大，谐波电流会导致变压器负载能力下降，变压器过热。
[0004]2、现有传统技术多晶硅变流干式变压器在某些档位抽头工作时，存在上、下副边绕组不同时运行，即缺相运行的情况。对于变压器来说就是半穿越的运行状态，变压器负载严重不平衡，漏磁产生涡流损耗突然剧增，引起变压器绕组首末端部局部过热；此类变压器副边绕组均采用箔式绕组，由极薄的箔片绕制而成，由于其结构特点，在漏磁场的影响下箔式绕组会出现不均匀电流密度分布，即挤流效应，同时，绕组电流产生的漏磁场也会在上、下夹件、拉板等金属结构件中产生损耗，集中在小面积上的杂散损耗往往会引起绕组和结构件中的局部过热问题；漏磁场会在箔式绕组导体中产生极不均匀的电流密度和涡流损耗，尤其是随着变压器容量的不断增加，问题愈加严重。另外，在半穿越运行时，由于原边绕组电流分配不均匀，引起的安匝不平衡较为严重，如果发生短路故障，那么轴向短路电动力对产品造成的危害，将威胁着变压器的安全运行。
[0005]以上两点中，问题尤为突出就是缺相运行。针对以上现象，现有技术中的变压器多采取以下措施：
[0006]1、调整绕组导体截面，改善局部温度集中状况，提高缺相运行时档位过载能力；
[0007]2、调整绕组散热气道分布，针对现场实际运行情况，在靠近铁心的个别档位多设置2～3层散热气道，改善散热条件；
[0008]3、在低压侧绕组下部和高压绕组侧面安装大风量离心式风机。
[0009]但以上措施均很大程度上提高了产品制造成本；且缺相运行(即：半穿越的运行)
下的局部过热情况并未得到明显地改善。

技术实现思路

[0010]有鉴于此，本技术提供了一种多晶硅变流干式变压器，能够使变压器在半穿越运行工况下的绕组漏磁场分布均匀，无局部温度过高现象，从而提高了产品运行的可靠性及稳定性。
[0011]为解决上述技术问题，本技术采用以下技术方案：
[0012]第一方面，本技术提供了一种多晶硅变流干式变压器，包括：
[0013]三相铁心，以及分别套设在所述三相铁心上的三相原边绕组和三相副边绕组；
[0014]三相副边绕组中的每相副边绕组包括两组单相副边分裂绕组，共形成六组所述单相副边分裂绕组，且六组所述单相副边分裂绕组之间相互独立，且彼此绝缘；
[0015]每组所述单相副边分裂绕组均包括上部分线圈和下部分线圈，每组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈和所述下部分线圈在所述铁心的辐向上间隔开分布，且每组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈和所述下部分线圈在所述铁心的轴向上间隔开分布，每组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈和所述下部分线圈分别通过外部连线串联连接。
[0016]进一步地，每相所述副边绕组中的两组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈相对应设置，每相所述副边绕组中的两组所述单相副边分裂绕组中的所述下部分线圈相对应设置。
[0017]进一步地，每组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈处于所述铁心轴向上的同一高度，每组所述单相副边分裂绕组中的所述下部分线圈处于所述铁心轴向上的同一高度。
[0018]进一步地，所述铁心、所述副边绕组和所述原边绕组的线圈采用同心式结构，所述副边绕组套设在所述铁心外侧，所述原边绕组套设在所述副边绕组外侧。
[0019]进一步地，每相所述铁心上均套设有两组所述单相副边分裂绕组，两组所述单相副边分裂绕组的结构和尺寸均相同。
[0020]进一步地，每相副边绕组中的一组所述单相副边分裂绕组的下部分线圈位于另一组所述单相副边分裂绕组的上部分线圈的下方，每相副边绕组中的一组所述单相副边分裂绕组的上部分线圈位于另一组所述单相副边分裂绕组的下部分线圈的上方。
[0021]进一步地，每组所述单相副边分裂绕组中包括多个副边绕组档位抽头，且每组所述单相副边分裂绕组中所述副边绕组档位抽头的数量相同。
[0022]进一步地，每相所述原边绕组在所述铁心的轴向上分裂为两个绕组，分别为第一原边绕组和第二原边绕组，且所述第一原边绕组与所述第二原边绕组各相并联连接。
[0023]进一步地，所述原边绕组采用三角形接线方式。
[0024]进一步地，所述原边绕组带有多个分接抽头。
[0025]本技术的上述技术方案的有益效果如下：
[0026]本技术提供了一种多晶硅变流干式变压器，包括：三相铁心，以及分别套设在所述三相铁心上的三相原边绕组和三相副边绕组；三相副边绕组中的每相副边绕组包括两组单相副边分裂绕组，共形成六组所述单相副边分裂绕组，且六组所述单相副边分裂绕组
之间相互独立，且彼此绝缘；每组所述单相副边分裂绕组均包括上部分线圈和下部分线圈，每组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈和所述下部分线圈在所述铁心的辐向上间隔开分布，且每组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈和所述下部分线圈在所述铁心的轴向上间隔开分布，每组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈和所述下部分线圈分别通过外部连线串联连接。本技术中的变压器在半穿越运行状态变压器负载运行时，两个并联的原边绕组之间不会产生环流，不会发生漏磁场分布不对称、涡流损耗突然剧增、变压器绕组首末端部局部过热、变压器烧毁事故等状况，极大提高了产品运行可靠性。即解决半穿越工况下运行下的绕组漏磁场分布均匀，不造成局部温度过高现象又可提高输出容量。
附图说明
[0027]图1为多晶硅变流干式变压器的结构示意图；
[0028]图2为多晶硅变流干式变压器的另一结构示意图；
[0029本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅变流干式变压器，其特征在于，包括：三相铁心，以及分别套设在所述三相铁心上的三相原边绕组和三相副边绕组；三相副边绕组中的每相副边绕组包括两组单相副边分裂绕组，共形成六组所述单相副边分裂绕组，且六组所述单相副边分裂绕组之间相互独立，且彼此绝缘；每组所述单相副边分裂绕组均包括上部分线圈和下部分线圈，每组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈和所述下部分线圈在所述铁心的辐向上间隔开分布，且每组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈和所述下部分线圈在所述铁心的轴向上间隔开分布，每组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈和所述下部分线圈分别通过外部连线串联连接。2.根据权利要求1所述的多晶硅变流干式变压器，其特征在于，每相所述副边绕组中的两组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈相对应设置，每相所述副边绕组中的两组所述单相副边分裂绕组中的所述下部分线圈相对应设置。3.根据权利要求1所述的多晶硅变流干式变压器，其特征在于，每组所述单相副边分裂绕组中的所述上部分线圈处于所述铁心轴向上的同一高度，每组所述单相副边分裂绕组中的所述下部分线圈处于所述铁心轴向上的同一高度。4.根据权利要求1所述的多晶硅变流干式变压器，其特征在于，所述铁心、所述副边绕组和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏月刚，
申请(专利权)人：特变电工智能电气有限责任公司，
类型：新型
国别省市：