一种磁场传感器和磁场检测方法技术

本发明专利技术实施例公开一种磁场传感器和磁场检测方法。在一具体实施方式中，该磁场传感器，包括光源、光纤、光电探测器和数据处理器；其中，至少部分所述光纤的纤芯包层包括聚二甲基硅氧烷层和设置于所述聚二甲基硅氧烷层外侧的磁致伸缩材料层；所述光源，用于向所述光纤的第一端输出设定光强的光；所述磁致伸缩材料层，用于在待测环境中的磁场的作用下产生拉伸所述聚二甲基硅氧烷层的形变，以改变所述聚二甲基硅氧烷层的折射率；所述数据处理器，用于根据所述光电探测器感测的所述光纤的第二端输出的光的光强及预存的光强与磁场强度值的对应关系，确定待测环境中的磁场强度值。确定待测环境中的磁场强度值。确定待测环境中的磁场强度值。

【技术实现步骤摘要】
一种磁场传感器和磁场检测方法


[0001]本专利技术涉及光纤传感
更具体地，涉及一种磁场传感器和磁场检测方法。

技术介绍

[0002]目前，传统的磁场传感器由于体积大又笨重、易受电磁干扰、温漂大、磁滞现象和铁磁共振等问题而具备一定的局限性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种磁场传感器和磁场检测方法，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：
[0005]本专利技术第一方面提供了一种磁场传感器，包括光源、光纤、光电探测器和数据处理器；其中，至少部分所述光纤的纤芯包层包括聚二甲基硅氧烷层和设置于所述聚二甲基硅氧烷层外侧的磁致伸缩材料层；
[0006]所述光源，用于向所述光纤的第一端输出设定光强的光；
[0007]所述磁致伸缩材料层，用于在待测环境中的磁场的作用下产生拉伸所述聚二甲基硅氧烷层的形变，以改变所述聚二甲基硅氧烷层的折射率；
[0008]所述数据处理器，用于根据所述光电探测器感测的所述光纤的第二端输出的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁场传感器，其特征在于，包括光源、光纤、光电探测器和数据处理器；其中，至少部分所述光纤的纤芯包层包括聚二甲基硅氧烷层和设置于所述聚二甲基硅氧烷层外侧的磁致伸缩材料层；所述光源，用于向所述光纤的第一端输出设定光强的光；所述磁致伸缩材料层，用于在待测环境中的磁场的作用下产生拉伸所述聚二甲基硅氧烷层的形变，以改变所述聚二甲基硅氧烷层的折射率；所述数据处理器，用于根据所述光电探测器感测的所述光纤的第二端输出的光的光强及预存的光强与磁场强度值的对应关系，确定待测环境中的磁场强度值。2.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述至少部分所述光纤的纤芯包层还包括设置于所述聚二甲基硅氧烷层内侧的内包层。3.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述至少部分所述光纤的纤芯包层还包括设置于所述磁致伸缩材料层外侧的保护层。4.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述光源为宽谱光源。5.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷层的厚度的取值范围为100μm
‑
200μm。6.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述磁致伸缩材料层的厚度的取值范围为500μm
‑
800μm。7.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林剑涛，刘耀，李宗祥，刘祖文，黄雅雯，程浩，陶文昌，吕耀朝，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：