电子陶瓷基片一体烧结方法技术

本发明专利技术涉及电子陶瓷材料制备工艺领域，尤其是一种有效提高电子陶瓷基片品质，同时由于陶瓷基片熟烧和复平两个工序合并为一个烧结工序，还可以节能减排，又能缩短生产制造周期的电子陶瓷基片一体烧结方法，包括如下步骤：a、陶瓷基片坯体的排胶脱脂处理；b、钨钼片间夹陶瓷基片的设置；c、还原气氛炉的烧结；d、熟烧和复平一体烧结，分别取出钨钼片及陶瓷基片得到产品。本方法烧结后，产品的翘曲度可以直接达到0.05mm以内，陶瓷体积密度不受压烧影响而降低，烧结后基片表面粗糙度可直接达到0.1μm以下，整体产品性能优良，满足高端陶瓷基片需求。本发明专利技术尤其适用于电子陶瓷基片一体烧结工艺之中。艺之中。

【技术实现步骤摘要】
电子陶瓷基片一体烧结方法


[0001]本专利技术涉及电子陶瓷材料制备工艺领域，尤其是一种电子陶瓷基片一体烧结方法。

技术介绍

[0002]近年来，电动汽车、电力汽车以及半导体照明航空航天、卫星通信等进入高速发展阶段，其电子器件工作电流大、温度高、频率高，为满足器件及电路工作的稳定性，对芯片载体提出了更高的要求，陶瓷基板具有优良的热性能、微波性能、力学性能及可靠性高等优点，可广泛应用于这些领域。无论是传统的氧化铝、氧化铍陶瓷基板，还是目前市场火热的氮化硅、氮化铝陶瓷基板都要求成瓷后的陶瓷基板具有较好的平整度便于后续加工，基本要求陶瓷基板厚度在1mm以内，平整度不得大于陶瓷厚度的10％。
[0003]目前陶瓷基板的制作工艺基本采用熟烧后再增加复平烧结的方式，通过将陶瓷基板叠放后配重压烧的方式进行整平，该方式目前主要存在几个问题：
[0004]首先是陶瓷基板熟烧后，翘曲程度不一，叠片后压烧对于部分翘曲严重的基片不能起到整平作用，导致复平效果参差不齐，部分翘曲严重的还需再一次甚至三次复平烧结，多次烧结同时必然带来陶瓷晶粒二次发育，晶粒过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.电子陶瓷基片一体烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：a、陶瓷基片坯体的排胶脱脂处理：将成型好后的陶瓷基片放入排胶脱脂窑炉中，对陶瓷基片进行排胶脱脂处理，排胶脱脂烧结温度范围为1300℃
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1400℃；B、钨钼片间夹陶瓷基片的设置：烧结窑具为采用高温钨钼板，其中钨钼板的尺寸略大于陶瓷基板的尺寸，将陶瓷基片排胶脱脂后的坯体单片放置与钨钼板上，再在陶瓷基片上覆盖一层钨钼板，再将下一片陶瓷基片放置与上一片钨钼板上，依次反复循环操作，其中，叠放层数保证不得压碎最底部的陶瓷基片；C、还原气氛炉的烧结：将摆好的窑具与陶瓷的烧结整体放入还原气氛或者保护气氛的窑炉中的高温下烧结；D、熟烧和复平一体烧结：烧结过程中，陶瓷基片的最高烧结温度范围为1620℃
‑
1700℃，高温保温时间范围为4
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5h，烧结冷却后，分别取出钨钼片及陶瓷基片得到产品。2.如权利要求1所述的电子陶瓷基片一体烧结方法，其特征在于：步骤b中，钨钼板的厚度为2
‑
3mm。3.如权利要求1所述的电子陶瓷基片...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚华，王刚，段冰，林贵洪，
申请(专利权)人：宜宾红星电子有限公司，
类型：发明
国别省市：