【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微细加工及半导体
,涉及一种对金属微尖如钼、钨等微尖阵列制备方法的改进。现有的金属微尖如钼、钨等微尖阵列制备方法,如图1所示目前主要采用溅射方法制备而成,图1(a)是二氧化硅蒸发金属栅极;图1(b)是形成光刻图案;图1(c)是腐蚀二氧化硅和金属栅极孔;图1(d)是斜角蒸发金属牺牲层;图1(e)是蒸发形成金属微尖和覆盖层;图1(f)是腐蚀掉牺牲层;图1中二氧化硅2、金属栅极3、带有导电层的衬底1、牺牲层4、金属钼微尖7、闭合层6、光刻胶图形阵列5,既是在带有导电层的衬底上依次溅射一层二氧化硅、金属栅极(Nb、Cr、Mo、W)、牺牲层(Al)等。已有技术工艺是利用掩膜、光刻、腐蚀技术在带有导电层的衬底表面上形成光刻胶图形圆孔阵列后继续刻蚀出二氧化硅、金属栅极圆孔阵列,然后利用溅射方法依次在旋转的衬底上斜角溅射金属牺牲层和金属钼等,在溅射过程中,金属钼在孔中逐渐堆积形成圆锥形同时也逐渐形成闭合层。将金属铝牺牲层和闭合层除去,这样就形成了金属钼微尖阵列。本专利技术的目的是克服已有技术工艺复杂、所需设备昂贵、制备方法成本高、制备面积小等问题,将提供一种工艺简单、成本低、制备面积大的。本专利技术的详细内容在金属基底上溅射一层抗蚀层;再经过光刻、腐蚀等过程将抗蚀层形成一定尺寸的圆点形状的抗蚀层图形阵列;然后将带有圆点形状抗蚀层图形阵列的金属基底在化学溶液中进行腐蚀,金属基底经过适当时间的腐蚀形成带有抗蚀层帽的金属微尖原坯;取出带抗蚀层帽的金属微尖原坯,继续溅射一层适当厚度的绝缘层,然后再在带抗蚀层帽的金属微尖原坯上溅射一层栅极金属;将带抗蚀层帽 ...
【技术保护点】
一种金属微尖冷阴极的制备方法,其特征在于:在金属基底上溅射一层抗蚀层;再经过光刻、腐蚀等过程将抗蚀层形成一定尺寸的圆点形状的抗蚀层图形阵列;然后将带有圆点形状抗蚀层图形阵列的金属基底在化学溶液中进行腐蚀,金属基底经过适当时间的腐蚀形成带有抗蚀层帽的金属微尖原坯;取出带抗蚀层帽的金属微尖原坯,继续溅射一层适当厚度的绝缘层;然后再在带抗蚀层帽的金属微尖原坯上溅射一层栅极金属;将带抗蚀层帽的金属微尖原坯在原溶液中继续进行腐蚀直至形成尖锐的金属微尖冷阴极。
【技术特征摘要】
1.一种金属微尖冷阴极的制备方法,其特征在于在金属基底上溅射一层抗蚀层;再经过光刻、腐蚀等过程将抗蚀层形成一定尺寸的圆点形状的抗蚀层图形阵列;然后将带有圆点形状抗蚀层图形阵列的金属基底在化学溶液中进行腐蚀,金属基底经过适当时间...
【专利技术属性】
技术研发人员:王惟彪,
申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,
类型:发明
国别省市:82[中国|长春]
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