荧光体及使用荧光体的成像器件制造技术

技术编号:3156807 阅读:185 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种绿色荧光体,其包括在用Tb活化的母体材料Y#-[2-2x]SiO#-[5]中的化学计量比超过常量的SiO#-[2]组分。上述荧光体的组成用下面的化学式表示:{(Y#-[1-y-z]M#-[y]Gd#-[z])#-[1-x]Tb#-[x]}#-[2](Si#-[1-b]Ge#-[b]O#-[2])#-[1+a]O#-[3];其中,x、y、z、a和b的值为0<x≤0.5,0≤y≤1,0≤z≤1,0≤y+z≤1,0<a≤1,0≤b≤1,M是至少一种选自Sc、In、La、Lu、Yb、Ce、Eu、Sm、Tm、Ho、Er和Nd的元素。用本发明专利技术的方法能够得到适用于高质量图像显示器和生成高质量图像的成像器件的荧光体,该荧光体发射光线的亮度更高,亮度衰减更小。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及荧光体和使用荧光体的成像器件如投影型阴极射线管和显示板。更具体地说,本专利技术涉及绿色荧光体,这种荧光体能够发出高亮度的光,这种光的亮度衰减很小,该荧光体适用于使用荧光体的图像显示器和成像器件如投影型阴极射线管和图像显示板。通过下述方法能够使这些成像器件达到更高的分辨率和亮度减小电子束等的激发点的直径、提高扫描速率和提高激发强度。但是,这些方法具有下述缺点成像器件中使用的荧光体的亮度饱和、亮度衰减及由于余辉形成的非常大的余像都使图像质量下降,这是一个问题。同时要求更好的色彩再现性能。因此,荧光体必须满足亮度饱和、衰减、余辉及彩色增强性能的要求。下面用投影型阴极射线管(下面称为投影管)作为一般的成像器件的例子说明这些问题。对于阴极射线管,通过调节激发电子束的电流控制发光强度。因此,要求荧光体的亮度随电流正比线性增加。但是,当激发强度很高时,通常会产生亮度饱和,即,亮度偏离该线性关系。当用高激发强度显示图像时,荧光体材料受损。结果,在连续使用投影管的过程中亮度减弱,发出的色彩衰减。投影管是用在投影型显示器中的阴极射线管,并将阴极射线管产生的图像通过光学系统放大几十倍投本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荧光体,其组成用下面的化学式表示: {(Y↓[1-y-z]M↓[y]Gd↓[z])↓[1-x]Tb↓[x]}↓[2](Si↓[1-b]Ge↓[b]O↓[2])↓[1+a]O↓[3] 其中,x、y、z、a和b的值为0<x≤0.5,0≤y≤1,0≤z≤1,0≤y+z≤1,0<a≤1,0≤b≤1,M是至少一种选自Sc、In、La、Lu、Yb、Ce、Eu、Sm、Tm、Ho、Er和Nd的元素。

【技术特征摘要】
JP 2001-11-20 354822/20011.一种荧光体,其组成用下面的化学式表示{(Y1-y-zMyGdz)1-xTbx}2(Si1-bGebO2)1+aO3其中,x、y、z、a和b的值为0<x≤0.5,0≤y≤1,0≤z≤1,0≤y+z≤1,0<a≤1,0≤b≤1,M是至少一种选自Sc、In、La、Lu、Yb、Ce、Eu、Sm、Tm、Ho、Er和Nd的元素。2.根据权利要求1的荧光体,其中,在所述的化学式中,z的值为0<z≤0.1。3.根据权利要求1的荧光体,其中,在所述的化学式中,a的值为0<a≤0.4。4.根据权利要求1的荧光体,其中,在所述的化学式中,M是Sc,y的值为0<y≤0.07。5.根据权利要求1的荧光体,其中,在所述的化学式中,M是至少一种选自In、La、Lu、Yb和Ce的元素,y的值为0<y≤0.12。6.根据权利要求1的荧光体,其中,在所述的化学式中,M是Eu,y的值为0<y≤1×10-3。7.根据权利要求1的荧光体,其中,在所述的化学式中,M是至少一种选自Sm、Tm、Ho、Er和Nd的元素,y的值为0<y≤5×10-3。8.根据权利要求1的荧光体,其中,在所述的化学式中,x的值为0.03≤x≤0.15。9.一种荧光体,其基本上由权利要求1的荧光体和至少一种选自Y3(Al,Ga)5O12∶Tb、Zn2SiO4∶Mn、LaOCl∶Tb和InBO3∶Tb的荧光体的混合物组成。10.一种阴极射线管,其包括在其面板上的荧光层和将电子束施加到荧光层上以诱导发光的部件,其中,所述的荧光层包括荧光体,该荧光体的组成用下面的化学式表示{(Y1-y-zMyGdz)1-xTbx}2(Si1-bGebO2)1+aO3其中,x、y、z、a和b的值为0<x≤0.5,0≤y≤1,0≤z≤1,0≤y+z≤1,0<a≤1,0≤b≤1,M是至少一种选自Sc、In、La、Lu、Yb、Ce、Eu、Sm、Tm、Ho、Er和Nd的元素。11.一种等离子体显示板,其包括荧光层和将紫外线施加到荧光层上以诱导发光的部件,其中,所述的荧光层包括荧光体,该荧光体的组成用下面的化学式表示{(Y1-y-zMyGdz)1-xTbx}2(Si1-bGebO2)1+aO3其中,x、y、z、a和b的值为0<x≤0.5,0≤y≤1,0≤z≤1,0...

【专利技术属性】
技术研发人员:今村伸椎木正敏小松正明松清秀次小关悦弘长谷尧山田勉
申请(专利权)人:株式会社日立制作所日立器件工程株式会社化成欧普托尼克斯株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利