基于Bi掺杂Ag2Se量子点的超宽带短波红外LED及其制备方法及应用技术

本发明专利技术涉及光电技术领域，具体涉及一种基于Bi掺杂Ag2Se量子点的超宽带短波红外LED及其制备方法与应用：将硒粉加入有机膦配体溶液中得到硒前驱体溶液；将含银化合物、金属配体和非配位性溶剂加热升温，加入硒前驱体溶液，反应得到Ag2Se量子点；将含铋化合物溶解在极性溶剂中加热得到Bi前驱体溶液；将Ag2Se量子点与铋前驱体溶液加热反应得到Bi掺杂Ag2Se量子点；将Bi掺杂Ag2Se量子点封装得到光致转换型超宽带短波红外LED。本发明专利技术通过铋离子掺杂使Ag2Se发射波段红移，强化了Ag2Se量子点在1400

【技术实现步骤摘要】
基于Bi掺杂Ag2Se量子点的超宽带短波红外LED及其制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及光电
，具体涉及一种基于Bi掺杂Ag2Se量子点的超宽带短波红外 LED及其制备方法及应用。

技术介绍

[0002]公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视 为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
[0003]短波红外(SWIR,900
‑
1700nm)光谱技术在食品安全分析、无创健康检测、农作物和环境 检测等方面具有广泛应用。水、蛋白质、脂质等生物成分在SWIR波段具有强烈的吸收，C
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H， N
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H和O
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H键在SWIR区域呈现特定的分子振动，污染物颗粒如灰尘和烟雾等对SWIR波段 的光具有高的穿透能力。利用这些优势，短波红外光源能够在上述应用中快速、灵敏和非侵 入性检测不同类型的化合物。目前市场上现有的SWIR光源，如钨丝白炽灯、卤素灯等体积 较大、易产生热量且功耗高，从而限制其实际应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于Bi掺杂Ag2Se量子点的超宽带短波红外LED制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硒粉加入有机膦配体溶液中得到硒前驱体溶液；将含银化合物、金属配体和非配位性溶剂加热升温，同时加入硒前驱体溶液，反应得到Ag2Se量子点；(2)将含铋化合物溶解在极性溶剂中，加热反应得到Bi前驱体溶液；将Ag2Se量子点与一定量的铋前驱体溶液加热反应，得到Bi掺杂Ag2Se量子点；(3)将环氧树脂和固化剂混合均匀，得到混合胶；(4)将步骤(2)得到的Bi掺杂Ag2Se量子点与步骤(3)得到的混合胶混合均匀，得到粉胶混合物；(5)将粉胶混合物点至芯片上，密封LED后干燥固化。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中有机膦配体溶液选自三正辛基氧膦、三丁基膦、三己基氧膦或十四烷基磷酸中的一种；或者，步骤(1)中含银化合物选自硝酸银、醋酸银或二乙基二硫代氨基甲酸银中的一种；或者，步骤(1)金属配体选自烷基硫醇或烷基二硫醇；或者，步骤(1)中非配位性溶剂选自十八烯、油胺或液体石蜡中的一种；或者，步骤(2)中含铋化合物选自醋酸铋、氧化铋、草酸铋、硝酸铋或氯化铋中的一种。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中硒粉加入有机膦配体溶液在室温下反应，室温反应的时间为0.5h～2h；或者，步骤(1)中加热反应的温度为150℃～200℃，反应时间为30min～90min；或者，步骤(1)中Ag：Se的摩尔比为3：1～5：1；或者，步骤(2)中Bi比Ag含量为0.15mol％～15mol％；或者，步骤(2)中加热反应温度为20℃～40...

【专利技术属性】
技术研发人员：高雯，曹心怡，王丽平，刘振华，唐波，
申请(专利权)人：山东师范大学，
类型：发明
国别省市：