确定交直流复合激励下导磁构件杂散损耗的方法技术

技术编号:31562942 阅读:26 留言:0更新日期:2021-12-25 10:46
本发明专利技术公开了一种确定交直流复合激励下导磁构件杂散损耗的方法,包括:S1、在实验条件下分别得到激励线圈在空/负载工况下的总损耗,并由所述总损耗得到所述激励线圈在空/负载下的损耗差值;S2、获取所述激励线圈在空/负载工况下的涡流损耗修正系数;S3、通过所述涡流损耗修正系数修正所述激励线圈在空载工况下的涡流损耗;S4、由所述损耗差值与所述涡流损耗间的差值得到杂散损耗。其基于空负载工况下激励线圈的损耗差异,通过引入仿真涡流损耗修正系数,恰当地考虑了涡流损耗在负载和空载条件下的变化,有效提高了大型电力变压器的杂散损耗评估的准确性。散损耗评估的准确性。散损耗评估的准确性。

【技术实现步骤摘要】
确定交直流复合激励下导磁构件杂散损耗的方法


[0001]本专利技术涉及交直流混合激励条件下变压器导磁构件中磁场及损耗分布情况的分析计算
,特别涉及一种确定交直流复合激励下导磁构件杂散损耗的方法。

技术介绍

[0002]随着高压直流输电系统的迅速发展和广泛应用,换流变压器作为该系统的关键设备,近年来受到越来越多的关注。换流变压器作为系统的关键设备,其杂散损耗分布是设计过程中最关键的性能参数之一。换流变压器通常在交直流混合激励下工作,这加剧了漏磁场和杂散损耗分布的不合理性,增加了过热和运行故障的风险,磁构件损耗研究问题面临着更严峻的挑战。评估磁构件的杂散损耗被认为是预测局部过热和优化设计大型电力变压器的关键措施,因此研究有效的损耗计算方法是十分必要的。
[0003]目前在杂散损耗问题的研究中,多数为正弦激励条件,交直流混合激励下材料损耗数据测量难度增大而该方面研究却相对较少。在通过测量确定杂散损耗时,以往的研究工作未考虑由于不同工况引起的漏磁通分布差异,涡流损耗也随之发生变化,给磁构件杂散损耗的确定带来一定误差。磁屏蔽的存在与否会造成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种确定交直流复合激励下导磁构件杂散损耗的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在实验条件下分别得到激励线圈在空/负载工况下的总损耗,并由所述总损耗得到所述激励线圈在空/负载下的损耗差值;S2、获取所述激励线圈在空/负载工况下的涡流损耗修正系数;S3、通过所述涡流损耗修正系数修正所述激励线圈在空载工况下的涡流损耗;S4、由所述损耗差值与所述涡流损耗间的差值得到杂散损耗。2.如权利要求1所述的确定交直流复合激励下导磁构件杂散损耗的方法,其特征在于,S1中,所述激励线圈在负载工况下的总损耗P
load
包括欧姆损耗、涡流损耗和杂散损耗;所述激励线圈在空载工况下的总损耗P
no

load
包括欧姆损耗和涡流损耗;并分别通过公式1和公式2进行表示:P
load
=P
coil.o
+P
coil.ec
+P
t
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
公式1;P
no

load
=P
no

coil.o
+P
no

coil.ec
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
公式2;其中,P
coil.o
为负载工况下激励线圈的欧姆损耗,P
coil.ec
为负载工况下激励线圈的涡流损耗,P
t
为负载工况下杂散磁场引起的叠层磁构件损耗,即磁构件杂散损耗;P
no

coil.o
为空载工况下激励线圈的欧姆损耗,P
no

coil.ec
为空载工况下激励线圈的涡流损耗。3.如权利要求2所述的确定交直流复合激励下导磁构件杂散损耗的方法,其特征在于,S1中,由所述总损耗得到所述激励线圈在空/负载下的损耗差值通过公式3进行表示:P
load

P
no

load
=(P
coil.o

P
no

coil.o
)+(P
coil.ec

P
no

coil.ec
)+P
t
=ΔP
coil.o
+ΔP
coil.ec
+P
t
ꢀꢀꢀ
公式3;其中,ΔP
coil.o
为空/负载工况下激励线圈的欧姆损耗差值;ΔP
coil.ec
为空/负载工况下激励线圈的涡流损耗差值。4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵小军段松召崔伟春苑东伟杜振斌刘兰荣程志光司良英王昱皓
申请(专利权)人:保定天威保变电气股份有限公司首钢智新迁安电磁材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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