一种为DC-DC芯片降温升的电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种为DC

【技术实现步骤摘要】
一种为DC
‑
DC芯片降温升的电路


[0001]本技术涉及电子领域，尤其涉及一种为DC
‑
DC芯片降温升的电路。

技术介绍

[0002]目前很多直流转直流(DC
‑
DC)降压型的开关芯片都把开关电路中的上下桥MOSFET集成在芯片中，以减少外围电路器件。但电流全部经过开关芯片会导致芯片温度比较高，严重的会导致芯片进入过温保护，然后电路不能正常工作。

技术实现思路

[0003]本技术提供了一种为DC
‑
DC芯片降温升的电路，包括DC
‑
DC降压开关芯片、第一电容、第二电容、电感、二极管，所述DC
‑
DC降压开关芯片内部集成上桥MOSFET、下桥MOSFET、BUCK控制器。
[0004]所述BUCK控制器分别与所述上桥MOSFET栅级、所述下桥MOSFET栅级相连。
[0005]所述上桥MOSFET的漏极与所述分别与输入电源VIN、所述第一电容一端相连，所述上桥MOSFET的栅极与所述BUCK控制器相连，所述上桥本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种为DC
‑
DC芯片降温升的电路，其特征在于：包括DC
‑
DC降压开关芯片(1)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、电感(L1)、二极管(D1)，所述DC
‑
DC降压开关芯片内部集成上桥MOSFET(Q1)、下桥MOSFET(Q2)、BUCK控制器(2)，所述BUCK控制器(2)分别与所述上桥MOSFET(Q1)栅级、所述下桥MOSFET(Q2)栅级相连；所述上桥MOSFET(Q1)的漏极与所述分别与输入电源VIN、所述第一电容(C1)一端相连，所述上桥MOSFET(Q1)的栅极与所述BUCK控制器(2)相连，所述上桥MOSFET(Q1)的源极分别与所述下桥MOSFET(Q2)的漏极、所述二极管(D1)一端、所述电感(L1)一端相连；所述下桥MOSFET(Q2)的漏极分别与所述上桥MOSFET(Q1)的源极、所述二极管(D1)一端、所述电感(L1)一端相连，所述下桥MOSFET(Q2)的栅极与所述BUCK控制器(2)相连，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁启头，陈科，何华，
申请(专利权)人：深圳鑫想科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：