一种复合型纳米膜厚标准样板制造技术

技术编号:31557051 阅读:28 留言:0更新日期:2021-12-23 11:06
本实用新型专利技术为一种复合型纳米膜厚标准样板,其特征在于:所述的标准样板包括分设于基底上的第一测量工作区域和第二测量工作区域两个工作区域,所述的第一测量工作区域为几何薄膜结构测量工作区域,所述的第二测量工作区域为物性薄膜结构测量工作区域,两测量工作区域厚度参数相同,所述的第一测量工作区域设有几何结构工作框,所述的工作框四边外周设有一级循迹标识,在工作框内部设有二级循迹标识,工作框中部则设有中心几何薄膜结构,所述的第二测量工作区域设有物性薄膜结构中心圆,其外周布置有带箭头循迹标识,所述物性薄膜结构中心圆的外周还顺序设有第一外环、第二外环和第三外环。三外环。三外环。

【技术实现步骤摘要】
一种复合型纳米膜厚标准样板


[0001]本技术涉及一种纳米薄膜厚度测量仪器校准用的纳米膜厚标准样板,特别是公开一种复合型纳米膜厚标准样板,在一个标准样板上集成光学和非光学薄膜测量,满足校准需求和量值统一,通过测量结果的有效比对分析完善纳米膜厚量值传递。

技术介绍

[0002]随着纳米的发展,纳米科技已成为许多国家提升核心竞争力的战略选择。纳米薄膜器件和薄膜结构的尺寸加工精度严重影响着相关器件的性能指标,纳米薄膜厚度的准确测量是纳米科技发展的关键所在,因此对薄膜的评价和检测技术也随之变得越来越重要,半导体产业中超薄薄膜厚度的偏差要求为5%~10%左右。我国已成为全球最大的半导体消费国,高精密纳米薄膜测量仪器的性能、评价膜系的优劣,对我国现有测试仪器和标准器的量值统一提出了更高要求。
[0003]近几年,美国VLSI标准公司设计并生产了基于美国NANOLAB认证体系、可溯源至NIST的二氧化硅薄膜样板系列和氮化硅薄膜样板系列产品,并且由于体系制约和准确的薄膜制备能力,VLSI公司几乎垄断了国际半导体领域的薄膜量值溯源和认证体系。除此之外,德本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合型纳米膜厚标准样板,其特征在于:所述的标准样板包括分设于基底上的第一测量工作区域和第二测量工作区域两个工作区域,所述的第一测量工作区域为几何薄膜结构测量工作区域,所述的第二测量工作区域为物性薄膜结构测量工作区域,两测量工作区域物性薄膜结构的厚度参数相同,所述的第一测量工作区域设有几何结构工作框,所述的工作框四边外周设有一级循迹标识,在工作框内部设有二级循迹标识,工作框中部则设有中心几何薄膜结构,所述的第二测量工作区域设有物性薄膜结构中心圆,其外周布置有带箭头循迹标识,所述物性薄膜结构中心圆的外周还顺序设有第一外环、第二外环和第三外环。2.根据权利要求 1 所述的一种复合型纳米膜厚标准样板,其特征在于:所述第一测量工作区域的几何结构工作框为长和宽均为1.5mm的矩形几何结构工作框,工作框各边框宽度均为0.125mm,所述的一级循迹标识设于工作框上、下、左、右四个位置,所述的位于上方和下方的循迹标识为相同的等腰三角形,二者中心点的连线位于中心工作区域的纵向中轴线上,所述的位于左边和右边的循迹标识为相同的直角三角形,二者斜边中心点的连线位于中心工作区域的横向中轴线上,所述的二级循迹标识为一组以工作框中心点相互对称,且中心线与工作框横向...

【专利技术属性】
技术研发人员:雷李华管钰晴傅云霞曾燕华杜黎明唐冬梅邹文哲
申请(专利权)人:上海市计量测试技术研究院
类型:新型
国别省市:

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