碳纳米管、电子发射源、电子发射设置及其制造方法技术

一种具有拉曼光谱的碳纳米管（ＣＮＴ），其拉曼光谱具有Ｇ带和Ｄ带，其中包括Ｇ带峰值积分Ｉ↓［Ｇ］和Ｄ带峰值积分Ｉ↓［Ｄ］的比率是５或更大。此外，还有一种包括该ＣＮＴ的电子发射源，一种包括该电子发射源的电子发射装置，以及一种制造该电子发射装置的方法。包括ＣＮＴ的电子发射源具有优选的电流密度，因此利用该电子发射源的电子发射装置的可靠性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种CNT(碳纳米管)、包括该碳纳米管的电子发射源、包括电子发射源的电子发射装置、以及制造该电子发射装置的方法，并且更具体地涉及一种具有G带和D带拉曼光谱的CNT，其中G带峰值积分(peak integral)(IG)与D带峰值积分(ID)的比率是5或更大，以及涉及-种包括该CNT的电子发射源，包括电子发射源的电子发射设置，以及制造该电子发射装置的方法。
技术介绍
电子发射装置包括阳极和阴极。施加在阳极和阴极之间的电压形成电场。因此，阴极电子发射源发射电子。电子与阳极上的磷材料碰撞而发射光。基于碳的材料包括具有强电子传导率的碳纳米管(CNT)，并且具有多个优点强电导性，高场放大作用，低功函，以及良好的电子发射特性。而且，基于碳的材料可以在低电压下操作并且大面积的制造。因此，基于碳的材料被认为是电子发射装置的理想的电子发射源。Kishi等人的美国专利6608437，电子放射设备、电子源、成像装置以及制造该装置的方法，公开了一种包括石墨膜的电子发射装置，利用具有514.5nm(纳米)波长和1μm(微米)光点直径的激光光源对该石墨膜所作的拉曼光谱分析显示，大约1580cm本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有拉曼光谱的碳纳米管，其拉曼光谱具有Ｇ带和Ｄ带，其中Ｇ带峰值积分（Ｉ↓［Ｇ］）和Ｄ带峰值积分（Ｉ↓［Ｄ］）的比率至少是５。

【技术特征摘要】
KR 2004-4-29 30258/041.一种具有拉曼光谱的碳纳米管，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率至少是5。2.根据权利要求1的碳纳米管，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率在5-7的范围内，并且包括5和7。3.根据权利要求1的碳纳米管，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率在5-7的范围内。4.根据权利要求1的碳纳米管，其中拉曼光谱的G带表示1580±80cm-1区的拉曼位移值处的峰值，拉曼光谱的D带表示1360±60cm-1区的拉曼位移值处的峰值。5.根据权利要求4的碳纳米管，其中与G带和D带相关的频率范围根据用于拉曼分析的激光光源而移位。6.一种电子发射源，包括具有拉曼光谱的碳纳米管，其拉曼光谱具有G带和D带，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率至少是5。7.根据权利要求6的电子发射源，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率在5-7的范围内，并且包括5和7。8.根据权利要求6的电子发射源，其中G带峰值积分(IG)和D带峰值积分(ID)的比率在5-7的范围内。9.根据权利要求6的电子发射源，还包括5V/μm时大于100AμA/cm2的电流密度。10.根据权利要求6的电子发射源，其中约5V/μm时电流密度大于约100μA/cm2。11.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：南仲祐，朴钟焕，柳美爱，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]