等离子体显示板制造技术

本发明专利技术涉及等离子体显示板，其中成形显示电极时的精度级别通过改变透明电极的形状得以提高，该等离子体显示板包括：形成在第一基板上的地址电极；在第一基板和第二基板之间的空间中限定放电单元的阻挡肋；以及显示电极，其在该第二基板上在横越该地址电极的方向上形成，包括布置在每个放电单元的两侧的一对线条部分，且具有彼此面对，从各自的线条部分朝每个放电单元的中心延伸的一对凸出部分。该对凸出部分在每个凸出部分的面对配对的凸出部分的两个角落处具有圆形轮廓，且其在该角落的曲率半径Ｒ１满足以下条件：０．０５ａ≤Ｒ１≤０．２ａ，其中ａ是在该线条部分的延伸方向上测量的该凸出部分的宽度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体显示板，尤其是，涉及一种其透明电极层的形状为了高精度成形显示电极而被改变的等离子体显示板。
技术介绍
通常，等离子体显示板(PDP)是一种由气体放电产生的紫外线激励磷光体以产生图像的显示设备，并因其大屏幕、薄厚度、高分辨率而优于阴极射线管。在典型的交流(AC)PDP中，由设置在前基板和后基板之间的阻挡肋限定放电单元(discharge cell)。相应于每个放电单元，在后基板上形成地址电极，并且在前基板上形成包含维持电极和扫描电极的显示电极。地址电极和显示电极被覆有各自的电介质层。每个放电单元具有磷光体层，在磷光体层上形成有红、蓝和绿磷光体中的一种，并且每个放电单元填充有放电气体(通常是Ne-Xe的气体混合物)。在这样的PDP中，用于发光的放电单元通过地址放电来选择，该地址放电通过施加在地址电极和扫描电极间的地址电压而发生。然后，由于施加在维持电极和扫描电极之间的维持电压(Vs)，在选定的放电单元中发生等离子体放电，并且等离子体发射真空紫外线，该紫外线激励放电单元中的磷光体层从而发射用于形成图像的可见光。为运行PDP，维持电极和扫描电极由透明电极层如氧化铟锡(ITO)制成，这样这两个电极都能传输由放电单元产生的可见光。每个透明电极层的电导通过由金属材料如银制成的总线电极层得到补偿。可以采用以下步骤形成透明电极(1)在整个前基板上形成ITO层，(2)通过公知的光刻工艺在ITO层上形成掩模层，(3)蚀刻未被遮蔽的ITO层和(4)剥去掩模层并清洗/干燥。或者，可以采用以下步骤形成透明电极(1)在整个前基板上形成ITO层，(2)通过激光直接蚀刻ITO层，为了易于蒸发该激光采用1,064nm的波长。早期的PDP透明电极层形成条形图案，并且放电单元中的放电性能只是受到其线宽度(line-width)和放电间隙的影响。然而，为提高放电效率，最近引入了一种新的结构，其中透明电极层的线宽度在放电单元之间的非放电区内减小，而在放电单元的放电区内透明电极层的线宽度增加。而且，现在在尝试通过将放电单元的平面形状改为多边形，而不是长方形，来提高放电效率。所以，显示电极的透明电极层的平面形状有很多变化。然而，透明电极层的此复杂形状带来了问题，即与其他线条部分(lineportion)相比，其角落因通过湿法蚀刻或激光蚀刻构图透明电极层的过程中加工偏差的增加具有高粗糙度。这使得成形透明电极层的精度级别降低，导致放电性能变差，如误放电，和出现显示故障，如图像污点。
技术实现思路
本专利技术提供一种等离子体显示板，其中通过改变透明电极的形状来提高成形显示电极的精度级别，从而提高放电性能并防止显示故障。根据本专利技术一示例性实施例，等离子体显示板(PDP)包括形成在第一基板上的地址电极；在第一基板和第二基板之间的空隙中限定放电单元的阻挡肋；以及显示电极，其在第二基板上在与地址电极交叉的方向上形成，包括一对形成在每个放电单元的两侧的线条部分、一对彼此面对从各自线条部分朝每个放电单元的中心延伸的凸出部分。这对凸出部分在每个凸出部分的面向配对的凸出部分的两个角落处具有圆形轮廓，且该角落处的其曲率半径R1满足以下条件0.05a≤R1≤0.2a，其中a代表在线条部分的延伸方向上测得的凸出部分的宽度。圆形轮廓可以形成在将凸出部分与线条部分相连接的角落处。该角落处的曲率半径R2满足以下条件0.05b≤R2≤0.2b，其中b代表在线条部分的延伸方向上测得的凸出部分之间的距离。半径R1和R2中的每个优选在10-150μm的范围内。本专利技术的等离子体显示板通过把每个凸出部分的朝向配对的凸出部分的两个角落修成圆形，可以提高成形透明电极层的精度级别，从而降低由于加工偏差造成的粗糙。因此，本专利技术的等离子体显示板可以提高放电性能，防止显示故障，并扩大放电电压裕度。附图说明随着通过在结合附图考虑时参照以下详细说明来更好地理解本专利技术，对本专利技术更完整的了解及其伴随而来的优点将更显然，附图中相同的附图标记表示相同或相似的元件，其中图1是根据本专利技术第一实施例的分解的PDP的局部透视图。图2是根据本专利技术第一实施例的PDP的局部平面图。图3是根据本专利技术第二实施例的PDP的局部平面图。图4是根据本专利技术第三实施例的PDP的局部平面图。具体实施例方式如图1和2所示，根据本专利技术第一实施例的等离子体显示板(PDP)包括第一基板2、面向第一基板2且与之隔离开的第二基板4、以及位于第一基板2和第二基板4之间的放电单元6R、6G和6B。PDP的彩色图像由以独立的放电机制运行的每个放电单元6R、6G和6B产生的可见光产生。地址电极8在第一基板2的内表面上在一个方向(y轴方向)上形成，第一电介质层10形成在第一基板2的整个内表面上，从而覆盖地址电极8。地址电极8例如布置成条形图案，使得每个地址电极与相邻的地址电极平行，其间具有间隙。在第一电介质层10之上，栅格形状的阻挡肋12在地址电极8的延伸方向和横越的方向(crossing direction)(x轴方向)上形成，并限定放电单元6R、6G和6B。具有红、绿和蓝磷光体中的一种的磷光体层14R、14G和14B被覆在每个放电单元6R、6G、6B的四个侧壁上和其第一电介质层10上。阻挡肋12的形状并不限于栅格结构，其可以是条形图案或其他闭合结构。在面对第一基板2的第二基板4的内表面上形成包括扫描电极16和维持电极18的显示电极20，扫描电极16和维持电极18二者都形成在横越地址电极8的延伸方向的方向上。透明的第二电介质层22和MgO保护层24形成在第二基板4的整个内表面上，从而覆盖显示电极20。在本实施例中，扫描电极16和维持电极18二者均形成为包括透明电极层16a、18a和总线电极层16b、18b的叠层结构。透明电极层16a、18a被形成来增加PDP的开口率(aperture ratio)，且由氧化铟锡(ITO)制成。总线电极层16b、18b由银(Ag)或铬(Cr)/铜(Cu)/铬(Cr)的多层叠层制成，从而补偿透明电极层16a、18a的电导，并防止显示电极20的电压降。透明电极层16a、18a包括一对线条部分26和一对凸出部分28，该对线条部分位于与放电单元6R、6G、6B中的每一个的两个面对侧对应的位置处，该对凸出部分从各线条部分26向放电单元6R、6G、6B中的每一个的中心延伸。凸出部分28用来在放电单元6R、6G、6B内触发等离子体放电。总线电极层16b、18b形成在透明电极层16a、18a的线条部分26上，成与其线条部分26相同的图案。包括线条部分26和凸出部分28的透明电极层16a、18a的形状被设计来防止显示电极20的延伸方向上的相邻放电单元之间的串扰。PDP包括在其边缘处被密封在一起的第一基板2和第二基板4、以及两基板之间的填充有放电气体(通常是Ne-Xe的气体混合物)的放电单元6R、6G、6B。为了提高成形透明电极层16a、18a中的精度级别，本实施例提供成对凸出部分28，在每个凸出部分的面对配对的凸出部分的两个角落处具有圆形轮廓。结果，在凸出部分28的圆形角落处，由于加工偏差引起的粗糙被减小，从而在通过湿法蚀刻或激光烧蚀构图透明电极层16a、18a的过程中，凸出部分28的该角落具有和线条部分相同的精度级别。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示板，包括：彼此面对的第一基板和第二基板；布置在第一基板上的地址电极；在该第一基板和该第二基板之间的空间中限定放电单元的阻挡肋；以及显示电极，其在该第二基板上在横越该地址电极的方向上布置，包括布 置在每个放电单元的两侧的一对线条部分，且具有彼此面对、从各自的线条部分朝每个放电单元的中心延伸的一对凸出部分，该对凸出部分在每个凸出部分的面对配对的凸出部分的两个角落处具有圆形轮廓，且具有每个凸出部分的面对配对的凸出部分的该角落的曲率半径Ｒ１，该曲率半径Ｒ１满足以下条件：０．０５ａ≤Ｒ１≤０．２ａ，其中ａ是在该线条部分的延伸方向上测量的该凸出部分的宽度。

【技术特征摘要】
KR 2004-11-4 89275/041.一种等离子体显示板，包括彼此面对的第一基板和第二基板；布置在第一基板上的地址电极；在该第一基板和该第二基板之间的空间中限定放电单元的阻挡肋；以及显示电极，其在该第二基板上在横越该地址电极的方向上布置，包括布置在每个放电单元的两侧的一对线条部分，且具有彼此面对、从各自的线条部分朝每个放电单元的中心延伸的一对凸出部分，该对凸出部分在每个凸出部分的面对配对的凸出部分的两个角落处具有圆形轮廓，且具有每个凸出部分的面对配对的凸出部分的该角落的曲率半径R1，该曲率半径R1满足以下条件0.05a≤R1≤0.2a，其中a是在该线条部分的延伸方向上测量的该凸出部分的宽度。2.如权利要求1的等离子体显示板，其中圆形轮廓布置在将该凸出部分连接至该线条部分的角落处，其中将该凸出部分连接至该线条部分的该角落的曲率半径R2满足以下条件0.05b≤R2≤0.2b，其中b是在该线条部分的延伸方向上测量的该凸出部分之间的距离。3.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢昌锡，陈永镐，崔仲爀，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]