保护层、其形成材料和方法以及含该保护层的PDP技术

一种保护层，其由氧化镁形成并且包含至少一种附加组分，所述附加组分选自：选自铜和氧化铜的铜组分、选自镍和氧化镍的镍组分、选自钴和氧化钴的钴组分以及选自铁和氧化铁的铁组分；一种用于形成该保护层的复合材料；一种形成该保护层的方法；以及一种包含该保护层的等离子显示板。所述保护层，应用在ＰＤＰ中，保护电极和介电层不受Ｎｅ和Ｘｅ，或者Ｈｅ、Ｎｅ和Ｘｅ构成的混合气体产生的等离子体离子，并且放电延迟时间和放电延迟时间对于温度的依赖性均可降低以及抗溅射性增强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种保护层、形成该保护层的复合材料、形成该保护层的方法以及包含该保护层的等离子显示板，更具体地说涉及一种保护层，其是由氧化镁和至少一种附加组分形成的，该附加组分选自铜组分、镍组分、钴组分以及铁组分，这样是为了改善放电延迟时间和抗溅射能力；一种用于形成所述保护层的复合材料；一种形成所述保护层的方法；以及一种包含该保护层的等离子显示板。
技术介绍
等离子显示板(PDP)可容易地被用作形成大屏幕，且是自发射的，因而具备好的显示质量，并且具有快速响应。另外，由于PDP可以薄膜的方式形成，因此它们和LCD一样都适用于壁装显示。在等离子显示板中，放电支持电极组被由玻璃形成的介电层所覆盖，并且介电层被保护层覆盖，这是因为，当介电层被直接暴露在放电空间中时，放电性能以及寿命都将降低。在PDP中使用保护层会具有以下三方面的优点。首先，保护层可保护电极和电介质。甚至当仅有电极或电介质/电极时，也可以发生放电。然而，当仅有电极时，很难控制放电电流，并且当仅有电介质和电极时，由于溅射蚀刻电介质被损害。因此，电介质必须由具有强耐等离子体离子性的保护层覆盖。其次，放电的起始电压被降低了。直接涉及到放电起始电压的物理值是用于形成抗等离子体离子的保护层的材料的二次电子发射系数。随着较多的二次电子从保护层上发射，可获得较低的放电起始电压。因此，希望用于形成保护层的材料具有更高的二次电子发射系数。最后，降低了放电延迟时间。放电延迟时间是一种物理值，该物理值是描述一种在提供电压之后发生放电达预定时间的现象，它是构造延迟时间(Tf)与统计延迟时间(Ts)的总和。Tf是外加电压和放电电流之间的时间间隔，而Ts是构造延迟时间的统计离差。随着放电延迟时间的减少，可获得高速度的寻址并且因此可使用单独扫描，从而可使扫描驱动成本降低，并且可形成更多的子域从而可制备具有高亮度和高质量图像的PDP。考虑到使用保护层具有如此多的优点，通过控制PDP的保护层来降低放电起始电压和放电延迟时间的研究已经得到积极的开展。例如，日本专利No.2003-173738中揭示了一种由氧化镁作为主要组分形成的PDP的保护层，并且该保护层包含选自稀土氧化物中的至少一种氧化物。但是，传统的所使用的PDP的保护层不能够降低放电起始电压和放电延迟时间到所希望的水平。因此，必须改进PDP的保护层以获得具有长寿命和高图像质量的PDP。
技术实现思路
本专利技术提供一种由氧化镁形成的保护层，并且包含至少一种附加组分，该附加组分选自选自铜和氧化铜的铜组分，选自镍和氧化镍的镍组分，选自钴和氧化钴的钴组分，以及选自铁和氧化铁的铁组分，这样是为了改善放电起始电压和放电延迟时间；提供一种用于形成该保护层的复合材料；一种形成该保护层的方法；以及一种包含该保护层的等离子显示板。根据本专利技术的一方面，提供一种保护层，该保护层由以下材料形成氧化镁；和至少一种附加组分，该附加组分选自选自铜和氧化铜的铜组分，选自镍和氧化镍的镍组分，选自钴和氧化钴的钴组分，以及选自铁和氧化铁的铁组分。根据本专利技术的另一方面，提供一种用于形成保护层的复合材料，该复合材料包括氧化镁，该氧化镁是从选自氧化镁和镁盐的至少一种含镁化合物所衍生的；以及至少一种附加组分，该附加组分选自由选自氧化铜和铜盐的至少一种含铜化合物所衍生的铜组分，由选自氧化镍和镍盐的至少一种含镍化合物所衍生的镍组分，由选自氧化钴和钴盐的至少一种含钴化合物所衍生的钴组分以及由选自氧化铁和铁盐的至少一种含铁化合物所衍生的铁组分。根据本专利技术的又一方面，提供一种形成保护层的方法，该方法包括(a)均匀地混合至少一种选自氧化镁和镁盐的含镁化合物，和至少一种选自下述的化合物，即，至少一种选自氧化铜和铜盐的含铜化合物，至少一种选自氧化镍和镍盐的含镍化合物，至少一种选自氧化钴和钴盐的含钴化合物以及至少一种选自氧化铁和铁盐的含铁化合物；(b)煅烧由操作步骤(a)所形成的混合物；(c)烧结煅烧产物以形成用于形成保护层的复合材料；以及(d)使用用于形成保护层的复合材料形成保护层。根据本专利技术还有一方面，提供一种包含上述保护层的等离子显示板。由根据本专利技术所得到的保护层，放电的延迟时间被降低了，放电延迟时间在温度上的依赖也被降低了，并且改善了对溅射的抵抗能力。因此，所形成的PDP具有长的使用寿命和高的亮度。附图说明结合参考附图参阅下述的具体描述，使得本专利技术的更为完整的解释和本专利技术的许多上述以及其它的优点和特征可被更加容易和清楚的理解，在附图中相同的附图标记代表相同或类似的部件，其中图1是根据本专利技术一个实施方案的PDP象素的垂直截面图，其中上基底和下基底被旋转了90°；图2示出了通过使用单晶氧化镁膜形成的膜和通过使用多晶氧化镁形成膜的膜的放电延迟时间相对于温度的曲线图；图3是说明描述通过气体离子从固体发射电子的俄歇中和理论的示意图；图4是包含根据本专利技术的实施方案的保护层的PDP的分解透视图；图5到7是放电延迟时间相对于包含根据本专利技术实施方案的保护层的放电单元温度的曲线图；图8是放电延迟时间相对于包含使用单晶氧化镁形成的保护层的42英寸SD板的温度的曲线；以及图9是放电延迟时间相对于包含根据本专利技术实施方案的保护层的42英寸SD板的温度的曲线图。具体实施例方式图1示出了在几十万个PDP象素之中的PDP象素，参考图1，放电支持电极组15包括，在前基底14的下表面上成对的第一电极和第二电极。放电支持电极组15被由玻璃形成的介电层16所覆盖，由于当介电层直接暴露于放电空间时，放电特性会减少并且使用寿命会缩短，因此要在介电层16上覆盖一保护层17。由介电层12覆盖的地址电极11被形成在后基底10的上表面。前基底14与后基底10分开一定距离，该距离是几十个μm，在前基底14和后基底10之间所形成的空间中充入Ne和Xe的混合气体或者是He、Ne和Xe的混合气体，它们可产生紫外线，混合气体具有压力(例如，450torr)。Xe气产生真空紫外线(Xe离子147nm共振反射脉冲，Xe，173nm共振反射脉冲。)根据本专利技术实施方案的保护层可以由氧化镁形成，并且包含至少一种附加组分，该附加组分选自选自铜和氧化铜的铜组分，选自镍和氧化镍的镍组分，选自钴和氧化钴的钴组分，以及选自铁和氧化铁的铁组分。附加组分，通过掺杂等方法被人工地添加到保护层中，这不同于天然杂质，这是被本领域普通技术人员所公知的。保护层的氧化镁是多晶氧化镁。保护层的氧化镁也可以使用单晶MgO或多晶MgO形成。可以从高纯度烧结的MgO中获得用于形成保护层的单晶MgO。高纯度烧结的MgO在电弧炉中生长到2-3英寸的直径，并且被加工处理成3-5mm的颗粒以用于保护层的沉积。单晶MgO典型地包含一定量的杂质。表1示出了通过感应耦合等离子体发射分光计(ICP)分析而得到的可以存在于典型的单晶MgO中的所包含杂质的种类以及量。表1 包含在单晶MgO中典型的杂质的例子可包括Al、Ca、Fe、Si、K、Na、Zr、Mn、Cr、Zn、B、Ni等等。在其中，Al、Ca、Fe和Si为主要杂质组分。在以薄膜的形式将带有杂质的单晶MgO沉积以后，杂质的量可一被控制在几百ppm以改善薄膜的特性。但是，当使用单晶MgO形成保护层时，用于形成保护层的制备过程是复杂的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护层，包括：氧化镁；和至少一种选自铜组分、镍组分、钴组分和铁组分的附加组分。

【技术特征摘要】
KR 2005-1-11 10-2005-00024301.一种保护层，包括氧化镁；和至少一种选自铜组分、镍组分、钴组分和铁组分的附加组分。2.权利要求1的保护层，其中铜组分选自铜和氧化铜，镍组分选自镍和氧化镍，钴组分选自钴和氧化钴，以及铁组分选自铁和氧化铁。3.权利要求1的保护层，其中该至少一种附加组分包含铜组分。4.权利要求1的保护层，其中该至少一种附加组分包含镍组分。5.权利要求1的保护层，其中该至少一种附加组分包含钴组分。6.权利要求1的保护层，其中该至少一种附加组分包含铁组分。7.权利要求1的保护层，其中还含有选自铝和氧化铝的铝组分。8.权利要求1的保护层，其中基于1g氧化镁，该至少一种附加组分的含量在5.0×10-5到1.0×10-3重量份的范围内。9.权利要求3的保护层，其中基于1重量份的氧化镁，铜组分的含量在5.0×10-5到6.0×10-4重量份的范围内。10.权利要求4的保护层，其中基于1重量份的氧化镁，镍组分的含量在1.0×10-4到5.0×10-4重量份的范围内。11.权利要求5的保护层，其中基于1重量份的氧化镁，钴组分的含量在1.0×10-4到5.0×10-4重量份的范围内。12.权利要求6的保护层，其中基于1重量份的氧化镁，铁组分的含量在1.0×10-4到5.0×10-4重量份的范围内。13.权利要求7的保护层，其中基于1重量份的氧化镁，铝组分的含量在1.0×10-4到5.0×10-4重量份的范围内。14.权利要求1的保护层，其中氧化镁是多晶氧化镁。15.具有权利要求1的保护层的等离子显示板。16.一种用于形成保护层的复合材料，该复合材料包括自至少一种选自氧化镁和镁盐的含镁化合物所衍生的氧化镁；至少一种附加组分，该附加组分选自自至少一种选自氧化铜和铜盐的含铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玟锡，崔钟书，金奭基，金哉赫，徐淳星，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]